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                  		最新專(zhuān)利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。存儲(chǔ)器包括穩(wěn)壓電路，穩(wěn)壓電路包括第一分壓電路，第一分壓電路的第一端用于輸入第一電壓，第一分壓電路的第二端與接地端耦接，第一分壓電路被配置為根據(jù)第一電壓向第二分壓電路提供調(diào)整電壓，第...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及用于在存儲(chǔ)器中執(zhí)行讀取操作的方法和器件。在一個(gè)示例中，一種用于操作存儲(chǔ)器器件的方法包括：基于至少一個(gè)電壓或至少一個(gè)發(fā)展時(shí)間來(lái)對(duì)所述存儲(chǔ)器器件的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行感測(cè)操作。所述存儲(chǔ)器單元耦合到字線。所述方法還包括基于所述感測(cè)操作的結(jié)果，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種蛋白質(zhì)片段(peptide)?主要組織兼容性復(fù)合體(MHC)的鍵結(jié)預(yù)測(cè)方法與裝置。其中，peptide?MHC的鍵結(jié)預(yù)測(cè)方法包括以下步驟。獲得一peptide序列及一MHC序列。依據(jù)peptide序列及MHC序列，以至少一蛋白...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種優(yōu)化捕獲探針設(shè)計(jì)的方法。具體而言，提供了通過(guò)分析單根探針、探針組合以及投入池的核酸序列特征，預(yù)測(cè)液相雜捕場(chǎng)景下單根探針及探針組合中靶率的方法，能夠加速產(chǎn)品設(shè)計(jì)，有效提高液相雜捕高通量測(cè)序基因檢測(cè)產(chǎn)品的實(shí)際中靶率，降低產(chǎn)品的設(shè)計(jì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種不同溫度和壓力下多介質(zhì)組分變化規(guī)律的確定方法及系統(tǒng)，涉及稠油開(kāi)采技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括：依據(jù)建立的井口、井底熱力學(xué)焓值三角圖版確定井口?井底焓值差熱力學(xué)三角圖版；依據(jù)建立的井口、井底體積膨脹系數(shù)三角圖版確定井口?井底稠油體積...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種頁(yè)巖儲(chǔ)層含水飽和度檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備以及介質(zhì)。該方法包括：確定目標(biāo)富有機(jī)質(zhì)頁(yè)巖對(duì)應(yīng)的目標(biāo)解釋結(jié)果信息；確定目標(biāo)富有機(jī)質(zhì)頁(yè)巖對(duì)應(yīng)采用的目標(biāo)檢測(cè)模型，目標(biāo)檢測(cè)模型能用于描述孔隙度、所有導(dǎo)電物質(zhì)體積分?jǐn)?shù)、所有導(dǎo)電物質(zhì)的等效電阻率...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種運(yùn)動(dòng)管理系統(tǒng)及其運(yùn)動(dòng)指導(dǎo)系統(tǒng)。運(yùn)動(dòng)管理系統(tǒng)提供專(zhuān)業(yè)人員建立各種運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目，其包括運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目影片與初始動(dòng)作規(guī)則、目標(biāo)動(dòng)作規(guī)則、動(dòng)作次數(shù)規(guī)則、執(zhí)行周期等設(shè)定。專(zhuān)業(yè)人員并可進(jìn)一步設(shè)定對(duì)應(yīng)的語(yǔ)音指導(dǎo)內(nèi)容，讓使用者在執(zhí)行運(yùn)動(dòng)項(xiàng)目過(guò)程中，可實(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的實(shí)施例公開(kāi)了體檢服務(wù)數(shù)據(jù)處理方法和裝置。該方法的具體實(shí)施方式包括：將體檢結(jié)果中的異常指標(biāo)輸入預(yù)先訓(xùn)練的醫(yī)療知識(shí)模型，輸出檢后建議信息供醫(yī)生診斷參考；根據(jù)醫(yī)生對(duì)所述檢后建議信息的修改操作，生成總檢建議信息；根據(jù)體檢結(jié)果中的各項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種改善晶圓邊緣高度差的方法及半導(dǎo)體器件，所述方法包括在深溝道隔離工藝進(jìn)行前執(zhí)行以下步驟：S1、在晶圓上沉積電容氧化層；S2、進(jìn)行黃光蝕刻并去掉晶背；S3、通過(guò)爐管在所述電容氧化層外部沉積局部氧化層；S4、在所述局部氧化層上方沉...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種金屬膜層的刻蝕方法，包括：通過(guò)第一種刻蝕氣體自上向下依次對(duì)各金屬膜層進(jìn)行刻蝕，直至刻蝕到最下方的金屬膜層時(shí)停止刻蝕；使用第二種刻蝕氣體將最下方的金屬膜層干法刻蝕一部分后停止刻蝕；使用常規(guī)的干法去膠和濕法清洗去除光阻以及刻蝕過(guò)程...
								
            
							
            
							
						
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								      偵測(cè)晶圓的缺陷的方法包含施加第一電位至第一低部導(dǎo)電層，施加不同于第一電位的第二電位至第一高部導(dǎo)電層，第一高部導(dǎo)電層通過(guò)第一通孔件連接至第二低部導(dǎo)電層，第二低部導(dǎo)電層相鄰第一低部導(dǎo)電層，且第一低部導(dǎo)電層與第二低部導(dǎo)電層之間的間距具有第一寬度，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種硅中階層圖案的制造方法，具體包括如下步驟：提供一硅晶圓；在硅晶圓上制備對(duì)準(zhǔn)圖案，對(duì)準(zhǔn)圖案包括多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組；在硅晶圓上的目標(biāo)區(qū)域內(nèi)制備互聯(lián)圖案，其中目標(biāo)區(qū)域基于對(duì)準(zhǔn)圖案中任意一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組確定，且任意一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組至少存在三...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了封裝件及其制造方法、以及封裝件的用于高頻應(yīng)用的用途。該封裝件(100)包括：部件承載件(102)，該部件承載件(102)包括疊置件(104)，該疊置件(104)包括至少一個(gè)電傳導(dǎo)層結(jié)構(gòu)(106)和至少一個(gè)電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N具有疊置件(102)的部件承載件(100)及其制造方法，其中，所述疊置件(102)包括：i)至少一個(gè)電絕緣層結(jié)構(gòu)(106)和至少一個(gè)電傳導(dǎo)層結(jié)構(gòu)(104)；ii)疊置件側(cè)壁(107)，其中，疊置件側(cè)壁的至少一部分(110)相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路組件和芯片封裝結(jié)構(gòu)。所述集成電路組件包括：第一晶圓裸片，形成有多個(gè)運(yùn)算單元，所述多個(gè)運(yùn)算單元用于并行地執(zhí)行邏輯運(yùn)算；第二晶圓裸片，與所述第一晶圓裸片疊置，所述第二晶圓裸片中形成有多個(gè)訪問(wèn)控制單元；其中，每個(gè)運(yùn)算...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路組件。集成電路組件包括：第一晶圓裸片，形成有多個(gè)運(yùn)算單元，所述多個(gè)運(yùn)算單元用于并行地執(zhí)行邏輯運(yùn)算；第二晶圓裸片，形成有多個(gè)訪問(wèn)控制單元；至少一個(gè)第三晶圓裸片，形成有多個(gè)存儲(chǔ)單元；其中，所述第二晶圓裸片堆疊在所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種摻雜型鋅基負(fù)極及其制備方法和應(yīng)用，所述制備方法包括以下步驟：(1)將鋅源、摻雜金屬源、相分離劑和溶劑混合，得到前驅(qū)液；(2)將所述前驅(qū)液和凝膠促進(jìn)劑混合，陳化處理得到前驅(qū)體；(3)對(duì)所述前驅(qū)體進(jìn)行熱處理，得到所述摻雜型鋅基負(fù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種復(fù)合集流體，包括可粘結(jié)性聚合物基膜以及復(fù)合于所述可粘結(jié)性聚合物基膜兩側(cè)的電鍍金屬b膜。本發(fā)明提供的復(fù)合集流體，一方面避免了真空鍍膜工藝過(guò)程而導(dǎo)致的種種問(wèn)題，另一方面也不需要使用粘結(jié)劑等材料強(qiáng)化電鍍金屬膜與聚合物基膜的附著力，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種氫能管理系統(tǒng)及其控制方法，包括，響應(yīng)于對(duì)制/充氫裝置的充氫指令，控制制/充氫裝置進(jìn)入充氫模式；讀取儲(chǔ)氫裝置的可讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器以獲取儲(chǔ)氫裝置的初始?xì)錃夂坎@示于第一顯示模塊；充氫增量每間隔充氫增量閾值時(shí)，獲取儲(chǔ)氫裝置的當(dāng)前氫氣...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電池包的充電方法、電池包及充電系統(tǒng)，電池包的充電方法包括：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池包的電壓；判斷電壓不大于預(yù)設(shè)第一電壓閾值時(shí)，采用第一策略為電池包充電；其中，第一策略包括：以電池包的實(shí)時(shí)電參數(shù)獲取匹配的第一充電電流值，并以第一充電電流值為...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類(lèi)
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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