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          • 本申請涉及半導體激光器技術領域,公開了一種半導體激光器疊陣,包括激光芯片模組、散熱模組、柔性導熱絕緣層以及彈性緊固模組,其中,所述柔性導熱絕緣層設置于所述激光芯片模組和所述散熱模組之間,用于對所述激光芯片模組進行散熱和絕緣;所述彈性緊固模組...
          • 本申請屬于電池設備技術領域,尤其涉及一種高壓盒的外殼結構、高壓盒、電池及用電設備。其中,外殼結構包括:絕緣外殼,形成有用于安裝電氣器件的內腔,絕緣外殼設有裝配側壁;連接器,安裝于裝配側壁背離內腔的外側,連接器設有連接端子和屏蔽層,屏蔽層圍繞...
          • 本申請公開一種用于無人機的電連接組件及無人機。用于無人機的電連接組件包括:機身接口,設置于無人機的機身,機身接口具有第一表面,機身接口包括設置于第一表面的第一配合部;至少一個可拆卸接口,每個可拆卸接口能夠與無人機的對應功能模塊電連接,每個可...
          • 本申請涉及電子設備檢測技術領域,尤其涉及一種服務器插拔裝置、服務器測試系統及服務器測試方法。服務器插拔裝置包括固定架、驅動結構和連接器;驅動結構設置于固定架,固定架位于服務器的外側,驅動結構能夠相對于固定架沿第一方向移動,連接器的一端與驅動...
          • 本申請公開了一種電源線總成和電機,電源線總成包括絕緣保護殼、第一連接端子和電源線,絕緣保護殼設有容置腔和與容置腔連通的端子槽,第一連接端子設于端子槽,且適于和電機的插針插接連接,電源線的一端和第一連接端子連接,且電源線自第一連接端子穿過容置...
          • 本發明公開一種電連接結構、下電極組件和工藝腔室,所公開的電連接結構用于晶圓承載裝置,所述電連接結構包括絕緣基部和導電部,其中:所述導電部用于向所述晶圓承載裝置供電,導電部包括順序連接的第一剛性導電件、可形變導電件和第二剛性導電件,所述第一剛...
          • 一種天線結構和藍牙天線。天線結構包括:主要輻射部、第一接地元件、第二接地元件、載體元件、金屬腔體、第一電容器,及第二電容器;第一接地元件包括第一連接區段、第一突出區段,及第二突出區段;第二接地元件包括第二連接區段、第三突出區段,及第四突出區...
          • 本申請實施例提供了一種介質濾波器單元、介質濾波器及通信設備。該介質濾波器單元包括:兩個連接為一體的介質諧振腔、設置于兩個介質諧振腔連接區域的耦合部件;其中,每個所述介質諧振腔上設有由表面向內凹陷的第一盲孔,所述兩個介質諧振腔連接區域上設有由...
          • 本發明提供一種電池蓋板結構及電池,涉及電池技術領域,該蓋板結構包括:蓋板主體;兩連接片,間隔設置在蓋板主體的底部,兩連接片分別用于與電池的電芯主體的正極耳和負極耳連接;正極柱和負極柱,間隔設置在蓋板主體內,正極柱和負極柱分別與兩連接片連接;...
          • 本申請公開了補鋰劑及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置,所述補鋰劑為多孔結構,所述補鋰劑包括內核、催化劑和導電劑,所述內核包括有機補鋰劑;所述催化劑包括過渡金屬氧化物、過渡金屬碳化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬磷化物中的至少...
          • 本申請提供了一種雙離子電池和用電裝置。雙離子電池包括電解液和正極極片,電解液包含四氟硼酸鋰,所述正極極片包括人造石墨正極活性材料,所述人造石墨正極活性材料的石墨化度為70%?90%。該雙離子電池具有優異的循環性能,長的使用壽命。
          • 本申請提供了一種負極材料及其制成的產品、負極漿料及制備方法。一種負極材料,其包括活性物質、含氟有機納米顆粒和浸潤劑;所述浸潤劑包括具有式(一)結構的共聚物: 2025-09-23
          • 本申請涉及正極活性材料及其制備方法、二次電池和裝置。該所述正極活性材料的化學式為LiaNibCocMndAleAf
          • 本申請提供一種鈉離子電池正極極片以及鈉離子電池,該正極極片包括正極集流體和設置在所述正極集流體的至少一個表面上的正極膜層,所述正極膜層包括正極活性材料、第一添加劑以及第二添加劑,所述第一添加劑為硼酸、偏硼酸、硼酸鹽中的至少一種,所述第二添加...
          • 一種半導體結構及其形成方法,方法包括:提供襯底和位于襯底上的襯墊層;在襯墊層上形成復合結構層和位于復合結構層內的第一凹槽,第一凹槽暴露出襯墊層表面,復合結構層包括若干層第一層和若干層第二層,第二層位于相鄰的第一層之間;去除第一凹槽暴露出的部...
          • 本公開提供了一種半導體測試結構及其制備方法,涉及半導體技術領域,旨在改善連接線對測試信號產生干擾的問題。本公開提供的半導體測試結構包括封裝基板、轉接板、多個測試芯片和信號線。其中,多個測試芯片在封裝基板的一側層疊設置。多個測試芯片中包括目標...
          • 本申請提供一種半導體結構及其制備方法,半導體結構包括第一組合結構,第一組合結構包括襯底、多個第一芯片和第二導電互聯結構,其中,所述襯底包括多個第一區域和一個第二區域,多個所述第一芯片分別設置在所述襯底朝向第一方向的一側,并分別與所述襯底在所...
          • 本公開提供了一種靜電卡盤、反應腔室和半導體處理設備,所述靜電卡盤包括:殼體,所述殼體包括第一晶圓承載面和與所述第一晶圓承載面相交的至少一個第二晶圓承載面;位于所述殼體中的第一吸附電極和至少一個第二吸附電極;所述第一吸附電極對應于所述第一晶圓...
          • 本公開實施例提供了一種用于晶圓傳輸平臺的晶圓定位方法、電子設備和工藝設備。該晶圓定位方法包括:獲取晶圓在晶圓傳輸平臺內的第一圖像;獲取晶圓的圖像特征;根據圖像特征在第一圖像上對晶圓進行初始定位,獲得初始定位信息;基于初始定位信息,采用粒子濾...
          • 本申請提供了一種晶圓冷卻方法、刻蝕方法、工藝設備及可讀存儲介質,其中,該晶圓冷卻方法應用于冷卻裝置,晶圓的上表面沉積有金屬薄膜,金屬薄膜的材料為包括第一金屬和第二金屬的合金材料,且第一金屬的含量大于第二金屬的含量;該晶圓冷卻方法包括:根據金...
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