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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      一種分子表征信息生成模型的訓練方法，包括：獲取目標分子的第一分子信息；擴散處理得到第二分子信息；確定目標分子的真實軌跡信息；將第二分子信息作為目標神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的輸入，輸出分子表征信息；根據(jù)分子表征信息，確實模擬軌跡信息；根據(jù)真實軌跡信息和模...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于確定油頁巖原位極限開采深度的方法及系統(tǒng)，包括：根據(jù)待評價油頁巖原位區(qū)域的油頁巖樣品，測定不同深度下的滲透率；對油頁巖樣品進行熱解實驗，獲得各擬產(chǎn)物的組成以及各擬產(chǎn)物隨溫度變化的組分，基于此，擬合預先構(gòu)建的基于干酪根熱解的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例公開了一種離心泵的血泵剩余可用時間預測方法、裝置、計算機設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及醫(yī)療器械監(jiān)控技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：獲取單滾珠軸承在監(jiān)控周期內(nèi)的周期磨損量；基于監(jiān)控周期的周期磨損量以及監(jiān)控周期之前的歷史監(jiān)控周期的歷史周期磨損量，確定單滾...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出了一種可拆互感器結(jié)構(gòu)及智能量測開關(guān)，包括動觸頭、互感器、接線板，動觸頭和接線板通過導線連接，導線從互感器中穿過，還包括接線條，導線通過接線條與接線板連接，接線板與接線條形成可拆卸連接，接線條可從互感器中穿過。其通過長條形的、可從互...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種靜電吸盤及等離子體處理裝置，所述靜電吸盤包括：第一絕緣層，其上設(shè)置有若干個貫穿所述第一絕緣層的冷卻孔；底座組件，其設(shè)置在第一絕緣層的下方用于支撐所述第一絕緣層；若干個冷卻通道，其貫穿所述底座組件設(shè)置，分別與對應(yīng)的所述冷卻孔連通...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種應(yīng)用于半導體工藝設(shè)備的起輝控制方法及半導體工藝設(shè)備，該起輝控制方法包括：在電源開啟之前，屏蔽硬件軟互鎖報警，硬件軟互鎖報警包括：在檢測到目標硬件的狀態(tài)信號為異常時，中止起輝過程；目標硬件包括半導體工藝設(shè)備中參與起輝過程的硬件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種外延方法及設(shè)備，外延方法包括：提供III族鹵化物和第一鹵化物氣體；混合所述第一鹵化物氣體和所述III族鹵化物，得到混合氣體；將所述混合氣體通入反應(yīng)區(qū)域，與含V族元素氣體在襯底上反應(yīng)形成外延層；其中，在混合所述第一鹵化物氣體和...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法。本發(fā)明的適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法，包括如下步驟：S1：將晶圓拋光、減薄后劃切成芯片，將芯片重構(gòu)在藍膜上；S2：將掩膜版置于藍膜上方，掩膜版具有用于暴露芯片并且遮擋...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種適用于混合鍵合中芯片表面顆粒控制的方法。本發(fā)明的方法包括如下步驟：S1：將晶圓切割成芯片，將芯片間隔粘貼在藍膜上；S2：將藍膜及芯片置于激光下，對芯片之間的藍膜進行照射改性；S3：采用化學藥液對照射改性后的藍膜及芯片進行濕法...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種混合鍵合方法和半導體器件，混合鍵合方法先將芯片設(shè)置在藍膜上，而后通過UV光對藍膜進行固化，之后在對芯片進行活化，最后在將芯片與晶圓鍵合，如此設(shè)置通過UV光對藍膜進行固化可以抑制等離子體激活過程中的顆粒，避免產(chǎn)生大量顆粒...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種制造裝置與制造方法以及其所制成的半導體器件與其制作方法。所述制造裝置包括：對器件進行制造工藝操作的處理腔；以及，根據(jù)所述器件的歷史制造參數(shù)設(shè)定所述處理腔的初始操作溫度的處理腔參數(shù)設(shè)定器，且所述歷史制造參數(shù)包括兩個所述器件的歷...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種冷卻座、承載裝置及半導體工藝設(shè)備，涉及冷卻座調(diào)溫技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述冷卻座包括：座體和多個調(diào)節(jié)件；座體設(shè)有冷卻流道，冷卻流道包括入口和出口，冷卻介質(zhì)能夠經(jīng)入口進入冷卻流道，流經(jīng)冷卻流道的冷卻介質(zhì)能夠從出口流出；調(diào)節(jié)件包...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的實施例提供一種導電結(jié)構(gòu)及其形成方法，且該導電結(jié)構(gòu)包括導電特征層、介電層、第一導線部件及覆蓋層。導電特征層設(shè)置于基板上。介電層位于導電特征層上。第一導線部件位于介電層中，且包括第一導電層、第一阻擋層及第一覆蓋件。第一阻擋層包覆第一導電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種多孔負極材料及其制備方法、負極極片、二次電池和用電裝置，多孔負極材料包括具有內(nèi)部孔結(jié)構(gòu)的二次顆粒，二次顆粒包含多個一次顆粒，一次顆粒包含碳基材料，相鄰一次顆粒之間填充有多孔硬碳，二次顆粒包含的多孔硬碳形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，多孔負極材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N制備正極材料的方法、正極材料、正極極片、電池及用電裝置。本申請方法包括：將前驅(qū)體與磷源在溶劑中混合，干燥，燒結(jié)，得到中間產(chǎn)物；其中，所述前驅(qū)體包括含有或不含有摻雜元素的磷酸錳鐵鋰，所述摻雜元素包括ⅡA族元素、ⅢA族元素、ⅣA...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述正極活性材料包括正極活性材料本體和形成在所述正極活性材料本體至少部分表面的包覆層，所述包覆層包括CeaZrbLc<...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極材料包括基體和包覆在所述基體表面的包覆層；所述基體包括鋰過渡金屬氧化物；所述包覆層包括CaxAy(PO4...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片及鈉二次電池和用電裝置。所述正極活性材料滿足化學式NaxMnyM1zO2+δ，其中，0.8<x≤1，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極活性材料包括鈉錳氧化物，鈉錳氧化物包括第一相和第二相，第一相包括依次交替的第一鈉離子層和第一過渡金屬層，第一相中相鄰的兩個第一過渡金屬層在垂直于(001)晶面方向上的層間...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N氫動力模塊陽極子系統(tǒng)(100)，其配置成能夠?qū)錃鈨Υ婀拗兴鶅Υ娴臍錃鈧魉腿氲綒鋭恿δK反應(yīng)堆并包括：斷流閥(1)，其配置成能夠控制來自氫氣儲存罐的氫氣的供應(yīng)；氫噴閥(6)，其配置成能夠調(diào)節(jié)氫氣的壓力；布置在氫動力模塊反應(yīng)堆...
								
            
							
            
							
						
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