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          • 本發(fā)明公開了本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:仿生手系統(tǒng),包括:手部組織獲取模塊,用于對(duì)手部的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行獲取,得到內(nèi)部數(shù)據(jù);本發(fā)明通過對(duì)人體手部的外部及內(nèi)部的結(jié)構(gòu)特征以及形態(tài)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取,并且依據(jù)獲取數(shù)據(jù)進(jìn)行手骨模型的打印制造,再通過控制驅(qū)動(dòng)的...
          • 本公開提供一種浮點(diǎn)數(shù)的處理方法與裝置、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法與浮點(diǎn)數(shù)數(shù)據(jù)庫轉(zhuǎn)換方法。獲取一自定義浮點(diǎn)數(shù),該自定義浮點(diǎn)數(shù)包括一符號(hào)域與一指數(shù)域,其中,該自定義浮點(diǎn)數(shù)的一數(shù)值決定于該符號(hào)域、該指數(shù)域、一基底值與一偏差值,該基底值不為整數(shù),且該基底值大...
          • 本發(fā)明涉及解碼器電路及使用于解碼器電路的解碼方法。該解碼方法包括:提供通道值存儲(chǔ)器接收并儲(chǔ)存輸入數(shù)據(jù)作為通道值;提供符號(hào)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存符號(hào)值;提供梯度下降位元存儲(chǔ)器儲(chǔ)存該通道值的差異資訊;提供變數(shù)節(jié)點(diǎn)單元根據(jù)該通道值產(chǎn)生第一輸出值與第二輸出值;...
          • 本公開提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其制造方法。存儲(chǔ)器裝置包括陣列區(qū)域、階梯區(qū)域、在陣列區(qū)域與階梯區(qū)域中的參考結(jié)構(gòu)、在陣列區(qū)域與階梯區(qū)域中的堆疊結(jié)構(gòu)以及從陣列區(qū)域沿著一方向延伸到階梯區(qū)域的壁結(jié)構(gòu)。參考結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與在階梯區(qū)域中嵌設(shè)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)的...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法,半導(dǎo)體元件包含一金屬柵極設(shè)于基底上、一間隙壁設(shè)于金屬柵極旁、一層間介電層環(huán)繞金屬柵極、一第一氣孔設(shè)于該金屬柵極一側(cè)并設(shè)于該間隙壁以及該金屬柵極之間以及一第二氣孔設(shè)于該金屬柵極另一側(cè)并設(shè)于該間隙壁以及該金...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其制作方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基底,基底上定義有一第一中高壓元件區(qū)與一低壓元件區(qū)彼此相鄰,第一中高壓元件區(qū)內(nèi)包含有第一柵極接觸以及一第一源/漏極接觸,低壓元件區(qū)內(nèi)包含有兩第二源/漏極接觸以及一第二柵極接觸,其中第二...
          • 本發(fā)明公開一種嵌入式高壓半導(dǎo)體元件及其制造方法,嵌入式高壓半導(dǎo)體元件包含基底,具有低壓元件區(qū)及高壓元件區(qū);ILD層,設(shè)于基底上;第一互連金屬層,位于低壓元件區(qū)內(nèi)的ILD層上;第一IMD層,位于ILD層和第一互連金屬層之間;第二互連金屬層,位...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件,其主要包含一金屬柵極設(shè)于一基底上、一層間介電層環(huán)繞該金屬柵極以及一凹槽設(shè)于層間介電層以及金屬柵極之間,其中金屬柵極包含一高介電常數(shù)介電層設(shè)于該基底上、一功函數(shù)金屬層設(shè)于高介電常數(shù)介電層上以及一低阻抗金屬層設(shè)于功函數(shù)...
          • 本發(fā)明涉及一種新型結(jié)構(gòu)的正極活性材料前體及其制備方法,其中所述正極活性材料前體所包含的復(fù)合過渡金屬氫氧化物含有:包含第1一次顆粒的核部分;以及在所述核部分上形成并包含第2一次顆粒的殼部分,其中,在所述正極活性材料前體的截面中,所述第2一次顆...
          • 本發(fā)明公開一種感應(yīng)式方向盤及其制造方法。感應(yīng)式方向盤包括方向盤握把及感應(yīng)電路層。感應(yīng)電路層包括彈性基底層、彈性感應(yīng)圖樣層及第一絕緣保護(hù)層。彈性基底層具有相對(duì)的第一表面及第二表面。彈性感應(yīng)圖樣層設(shè)置在第一表面上,彈性感應(yīng)圖樣層以可延展導(dǎo)電材料...
          • 本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),可應(yīng)用于三維AND閃存元件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底、介電結(jié)構(gòu)、第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)與第一密封通孔?;装ㄔ^(qū)。介電結(jié)構(gòu)位于基底上。第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)位于介電結(jié)構(gòu)中。第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞元件區(qū)。第一密封通孔位于介電結(jié)構(gòu)中。第一密...
          • 提供制造及整修具有密封件的部件的方法的實(shí)施方式。一種制造具有密封件的部件的方法包括:將第一層直接沉積到主體的密封表面上,其中所述第一層包括3D表面圖案;以及將第二層沉積到所述第一層上,其中所述第二層包括密封材料。一種整修具有密封件的部件的方...
          • 一種鋰二次電池包含:正極;負(fù)極;插入所述正極和所述負(fù)極之間的隔膜;以及非水電解質(zhì)。所述正極包含正極活性材料,所述正極活性材料包含在除鋰以外的全部金屬元素中含有50摩爾%以上的Mn并且鋰與過渡金屬的摩爾比超過1的過鋰富錳氧化物,所述非水電解質(zhì)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N切換方法、網(wǎng)關(guān)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,涉及通信技術(shù)領(lǐng)域。切換方法應(yīng)用于主網(wǎng)關(guān)設(shè)備,該切換方法包括:在確定目標(biāo)終端需要進(jìn)行切換的情況下,分別向源子網(wǎng)關(guān)設(shè)備和目標(biāo)子網(wǎng)關(guān)設(shè)備發(fā)送切換指令;其中,切換指令用于控制目標(biāo)終端由源子...
          • 本發(fā)明提供一種熱塑性纖維輻條結(jié)構(gòu)及其制造方法。該制造方法以安裝套管步驟、加熱塑形步驟及加工步驟對(duì)套管和纖維桿加熱塑形,在套置于纖維桿的套管形成卡制凹部,使纖維桿與套管相卡制。本發(fā)明在套管形成徑向嵌入纖維桿的卡制凹部,能解決現(xiàn)有輻條因黏著劑變...
          • 本發(fā)明提供具有758MPa以上的屈服應(yīng)力且?80℃下的夏比沖擊試驗(yàn)的吸收能為100J以上、并且具有優(yōu)良的耐腐蝕性的馬氏體系不銹鋼無縫鋼管。一種馬氏體系不銹鋼無縫鋼管,其具有含有以質(zhì)量%計(jì)C:0.005~0.100%、Si:0.05~1.00...
          • 根據(jù)本公開提供一種電池模塊,所述電池模塊包括:電芯組件,包括多個(gè)電芯;以及匯流條組件,包括匯流條和匯流條支架,所述匯流條與所述多個(gè)電芯中的至少一個(gè)電連接,所述匯流條支架包括位于所述電芯組件上的基座和從所述基座延伸并與所述匯流條連接的突出部,...
          • 本發(fā)明公開了一種工業(yè)爐窯排氣處理裝置,包括爐窯本體和加熱組件,爐窯本體的正面連接有爐窯門本體,爐窯本體的底端表面連接有支撐底座,加熱組件上端連接有金屬鋼支架,爐窯本體表面連接有脫硫機(jī)構(gòu),加熱組件連接于爐窯本體頂端表面。發(fā)明,通過設(shè)置有脫硫板...
          • 一種柵極驅(qū)動(dòng)裝置及驅(qū)動(dòng)方法、顯示基板、顯示裝置。柵極驅(qū)動(dòng)裝置包括移位控制電路、m級(jí)中間柵極驅(qū)動(dòng)電路(G100)、2S+1級(jí)第一類偏移柵極驅(qū)動(dòng)電路(G101)和2S+1級(jí)第二類偏移柵極驅(qū)動(dòng)電路(G102);移位控制電路向4S+2級(jí)偏移柵極驅(qū)動(dòng)...
          • 一種檢測設(shè)備與方法,用以檢測半導(dǎo)體裝置是否設(shè)置有貼片,其中,通過色彩感測器采用多光源進(jìn)行該貼片顏色分析取樣,以利用該貼片反射的光色成分比例識(shí)別該貼片,以及通過控制裝置接收該色彩感測器的動(dòng)作信號(hào)并產(chǎn)生一檢出值,若檢出值大于預(yù)設(shè)值則判定該半導(dǎo)體...
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