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								      本申請提供了一種正極材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極材料包括基體和包覆在所述基體表面的包覆層；所述基體包括鋰過渡金屬氧化物；所述包覆層包括CaxAy(PO4...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述正極活性材料包括正極活性材料本體和形成在所述正極活性材料本體至少部分表面的包覆層，所述包覆層包括CeaZrbLc<...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種制備正極材料的方法、正極材料、正極極片、電池及用電裝置。本申請方法包括：將前驅體與磷源在溶劑中混合，干燥，燒結，得到中間產物；其中，所述前驅體包括含有或不含有摻雜元素的磷酸錳鐵鋰，所述摻雜元素包括ⅡA族元素、ⅢA族元素、ⅣA...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種多孔負極材料及其制備方法、負極極片、二次電池和用電裝置，多孔負極材料包括具有內部孔結構的二次顆粒，二次顆粒包含多個一次顆粒，一次顆粒包含碳基材料，相鄰一次顆粒之間填充有多孔硬碳，二次顆粒包含的多孔硬碳形成網狀結構，多孔負極材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的實施例提供一種導電結構及其形成方法，且該導電結構包括導電特征層、介電層、第一導線部件及覆蓋層。導電特征層設置于基板上。介電層位于導電特征層上。第一導線部件位于介電層中，且包括第一導電層、第一阻擋層及第一覆蓋件。第一阻擋層包覆第一導電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種冷卻座、承載裝置及半導體工藝設備，涉及冷卻座調溫技術領域，其中，所述冷卻座包括：座體和多個調節件；座體設有冷卻流道，冷卻流道包括入口和出口，冷卻介質能夠經入口進入冷卻流道，流經冷卻流道的冷卻介質能夠從出口流出；調節件包...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種制造裝置與制造方法以及其所制成的半導體器件與其制作方法。所述制造裝置包括：對器件進行制造工藝操作的處理腔；以及，根據所述器件的歷史制造參數設定所述處理腔的初始操作溫度的處理腔參數設定器，且所述歷史制造參數包括兩個所述器件的歷...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種混合鍵合方法和半導體器件，混合鍵合方法先將芯片設置在藍膜上，而后通過UV光對藍膜進行固化，之后在對芯片進行活化，最后在將芯片與晶圓鍵合，如此設置通過UV光對藍膜進行固化可以抑制等離子體激活過程中的顆粒，避免產生大量顆粒...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種適用于混合鍵合中芯片表面顆粒控制的方法。本發明的方法包括如下步驟：S1：將晶圓切割成芯片，將芯片間隔粘貼在藍膜上；S2：將藍膜及芯片置于激光下，對芯片之間的藍膜進行照射改性；S3：采用化學藥液對照射改性后的藍膜及芯片進行濕法...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法。本發明的適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法，包括如下步驟：S1：將晶圓拋光、減薄后劃切成芯片，將芯片重構在藍膜上；S2：將掩膜版置于藍膜上方，掩膜版具有用于暴露芯片并且遮擋...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種外延方法及設備，外延方法包括：提供III族鹵化物和第一鹵化物氣體；混合所述第一鹵化物氣體和所述III族鹵化物，得到混合氣體；將所述混合氣體通入反應區域，與含V族元素氣體在襯底上反應形成外延層；其中，在混合所述第一鹵化物氣體和...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種應用于半導體工藝設備的起輝控制方法及半導體工藝設備，該起輝控制方法包括：在電源開啟之前，屏蔽硬件軟互鎖報警，硬件軟互鎖報警包括：在檢測到目標硬件的狀態信號為異常時，中止起輝過程；目標硬件包括半導體工藝設備中參與起輝過程的硬件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種靜電吸盤及等離子體處理裝置，所述靜電吸盤包括：第一絕緣層，其上設置有若干個貫穿所述第一絕緣層的冷卻孔；底座組件，其設置在第一絕緣層的下方用于支撐所述第一絕緣層；若干個冷卻通道，其貫穿所述底座組件設置，分別與對應的所述冷卻孔連通...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提出了一種可拆互感器結構及智能量測開關，包括動觸頭、互感器、接線板，動觸頭和接線板通過導線連接，導線從互感器中穿過，還包括接線條，導線通過接線條與接線板連接，接線板與接線條形成可拆卸連接，接線條可從互感器中穿過。其通過長條形的、可從互...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明實施例公開了一種離心泵的血泵剩余可用時間預測方法、裝置、計算機設備及存儲介質，涉及醫療器械監控技術領域。方法包括：獲取單滾珠軸承在監控周期內的周期磨損量；基于監控周期的周期磨損量以及監控周期之前的歷史監控周期的歷史周期磨損量，確定單滾...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種用于確定油頁巖原位極限開采深度的方法及系統，包括：根據待評價油頁巖原位區域的油頁巖樣品，測定不同深度下的滲透率；對油頁巖樣品進行熱解實驗，獲得各擬產物的組成以及各擬產物隨溫度變化的組分，基于此，擬合預先構建的基于干酪根熱解的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種分子表征信息生成模型的訓練方法，包括：獲取目標分子的第一分子信息；擴散處理得到第二分子信息；確定目標分子的真實軌跡信息；將第二分子信息作為目標神經網絡模型的輸入，輸出分子表征信息；根據分子表征信息，確實模擬軌跡信息；根據真實軌跡信息和模...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種存儲設備、存儲系統及電子設備，涉及計算機技術領域。該存儲設備包括：殼體、帶體、磁頭、第一電路板、第二電路板和第一密封件。殼體具有容納腔，帶體和磁頭均位于該容納腔內，且磁頭用于對帶體執行讀操作或寫操作。第一電路板位于容納腔...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種時鐘偏差測量方法、裝置、電子設備及存儲介質。該方法包括：獲取第一設備按照第一采樣頻率錄制的錄音信號，第一設備錄制第二設備以第二采樣頻率播放的周期性音頻信號，得到錄音信號，第一設備與第二設備不同，第一設備或第二設備為待測...
								
            
							
            
							
						
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								      一種音頻處理方法、裝置及相關設備，涉及音頻處理技術領域。音頻處理裝置獲取音頻，該音頻包括用戶的語音。然后，音頻處理裝置利用AI模型，從至少一種語音干擾維度對該音頻進行推理，得到推理結果，該推理結果用于指示音頻中的用戶語音質量。最后，當AI模...
								
            
							
            
							
						
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