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          • 本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式涉及顯示裝置。顯示裝置可以包括:基板;設(shè)置在基板上的封裝層;包括開(kāi)口區(qū)域并且構(gòu)成觸摸電極的金屬屏障;以及被設(shè)置成與金屬屏障的開(kāi)口區(qū)域交疊的第一透鏡,從而提供觸摸檢測(cè)功能。
          • 本發(fā)明涉及一種能夠使用過(guò)氧化氫作為滅菌劑對(duì)被滅菌物進(jìn)行滅菌的滅菌裝置。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的滅菌裝置包括:滅菌殼體,其具有容納被滅菌物的滅菌腔室;汽化器,其與所述滅菌殼體連接,以向所述滅菌腔室供應(yīng)過(guò)氧化氫;供應(yīng)裝置,其用于向所述汽化器供應(yīng)過(guò)氧...
          • 一種能夠高速地連擊輸入的輸入裝置及輸入裝置的控制方法。本發(fā)明的輸入裝置具備:按鍵Ky,輸出與兩個(gè)按下量相應(yīng)的信號(hào);按下量檢測(cè)部51,檢測(cè)按鍵Ky的按下量;A/D轉(zhuǎn)換部14,將按鍵Ky的按下量轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù);存儲(chǔ)部12,存儲(chǔ)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù);及,主控...
          • 一種等離子體處理裝置包括:靜電卡盤(pán),其在腔室空間中支撐襯底;位于腔室主體的上部中的上電極;磁場(chǎng)控制裝置,其包括至少一個(gè)線圈,其位于上電極上方并在腔室空間中形成磁場(chǎng);以及控制單元,其控制流過(guò)至少一個(gè)線圈的至少一個(gè)電流,使得鞘區(qū)域的邊界上的目標(biāo)...
          • 提供了顯示裝置。所述顯示裝置包括:包括復(fù)數(shù)個(gè)子像素的基板;在基板上的薄膜晶體管;在薄膜晶體管上并且包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的接合層,與所述第一區(qū)域相比,所述第二區(qū)域具有更高的正切δ值;以及設(shè)置在接合層的第一區(qū)域中的與復(fù)數(shù)個(gè)子像素相對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)個(gè)...
          • 本公開(kāi)內(nèi)容公開(kāi)了顯示裝置。該顯示裝置包括:顯示面板,所述顯示面板包括子像素并且在第一頻率與最大的第N頻率之間操作,其中,N是大于1的自然數(shù);柵極驅(qū)動(dòng)器,所述柵極驅(qū)動(dòng)器被配置成向所述顯示面板輸出掃描信號(hào);數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器,所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器被配置成向所...
          • 本公開(kāi)內(nèi)容涉及顯示裝置,并且討論了時(shí)序控制器。一個(gè)示例中的顯示裝置包括:顯示面板,其包括設(shè)置在水平線和垂直線的交叉處的子像素;時(shí)序控制器,其被配置成通過(guò)第一嵌入式面板接口(EPI)輸出單元來(lái)輸出水平線的數(shù)據(jù)中的左圖像數(shù)據(jù),并且通過(guò)第二嵌入式...
          • 本公開(kāi)內(nèi)容涉及其中顯示面板的一部分的子像素以低頻率的第一頻率驅(qū)動(dòng)并且顯示面板的另一部分的子像素以高頻率的第二頻率驅(qū)動(dòng)的顯示裝置。提供了一種顯示裝置,包括:顯示面板,其包括多個(gè)子像素;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器,其被配置成向顯示面板輸出數(shù)據(jù)電壓和更新電壓;柵...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種主板組件及電子設(shè)備,旨在解決天線的效率較低的問(wèn)題,該電子設(shè)備中,中框至少部分地設(shè)置在電池和第一輻射體之間,中框上設(shè)置有開(kāi)窗,第一輻射體覆蓋至少部分開(kāi)窗,通過(guò)設(shè)置的開(kāi)窗為第一天線提供凈空,或者說(shuō)中框的部分厚度提供了第一天線...
          • 本公開(kāi)涉及一種顯示裝置,并且涉及一種可以通用數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出部分的顯示裝置。根據(jù)本公開(kāi),顯示裝置可以包括:顯示面板,該顯示面板包括多個(gè)焊盤(pán);以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器,該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)焊盤(pán)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可以包括第三輸出部分,該第三輸出部分包括緩沖器、...
          • 一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)彼此豎直地堆疊。第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)器單元陣列,存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元。第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:被配置為基于多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)組對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行數(shù)據(jù)...
          • 重定時(shí)器和重定時(shí)方法可以采用雙路徑時(shí)鐘轉(zhuǎn)發(fā)來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)射時(shí)鐘發(fā)生器。一種說(shuō)明性集成重定時(shí)器電路包括:采樣元件,被配置為通過(guò)根據(jù)采樣信號(hào)對(duì)模擬接收信號(hào)進(jìn)行采樣來(lái)產(chǎn)生數(shù)字接收信號(hào);定時(shí)誤差估計(jì)器,被配置為產(chǎn)生定時(shí)誤差信號(hào),該定時(shí)誤差信號(hào)指示采樣信號(hào)...
          • 本發(fā)明涉及無(wú)取向電工鋼板,其具有包含以下元素的組成:以重量百分比表示,0.0001%≤碳≤0.007%、0.18%≤錳≤0.5%、3.1%≤硅≤3.8%、0.7%≤鋁≤1.3%、磷≤0.15%、硫≤0.006%、氮≤0.09%,其中3.85...
          • 本發(fā)明涉及一種電池組,所述電池組包括:多個(gè)電池電芯;電池組殼體,所述電池組殼體用于容納多個(gè)電池電芯;以及模塊蓋,所述模塊蓋用于覆蓋所述電池電芯的外側(cè),以及阻擋構(gòu)件,所述阻擋構(gòu)件用于在所述模塊蓋的外部空間中引導(dǎo)從所述電池電芯排出的排出物。
          • 本發(fā)明提供一種具有快速連接頭的電力電纜,涉及電力電纜技術(shù)領(lǐng)域,包括:電纜芯體;所述電纜芯體外側(cè)固定設(shè)置有夾持組件;所述夾持組件內(nèi)部固定設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu);所述夾持組件外側(cè)活動(dòng)設(shè)置有控制組件,且控制組件外側(cè)固定設(shè)置有輔助組件;一處所述夾持組件外側(cè)...
          • 公開(kāi)了一種發(fā)光顯示設(shè)備,其包括發(fā)光元件、像素電路、第一公共電源線和第二公共電源線,所述發(fā)光元件包括像素電極、發(fā)光層和公共電極,所述像素電路與所述像素電極連接,所述第一公共電源線與所述公共電極連接并被配置為被施加有第一公共電源電壓,所述第二公...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種多相協(xié)同增強(qiáng)低銅合金復(fù)合材料的制備方法,屬于機(jī)械零件鑄造技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:將碳納米管+氧化鋁+碳化鈦+黏結(jié)劑+EPS珠粒混合均勻;將碳納米管+氧化鋁+碳化鈦+黏結(jié)劑+EPS珠粒混合料放入自制的消失模模具中,通蒸汽,冷卻...
          • 提供了一種顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。該顯示裝置包括:時(shí)序控制單元,產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)控制信號(hào)和柵極控制信號(hào);數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元,使用圖像數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)控制信號(hào)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào);柵極驅(qū)動(dòng)單元,使用柵極控制信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)掃描信號(hào)和發(fā)光信號(hào);以及顯示面板,使用數(shù)據(jù)信...
          • 本公開(kāi)涉及車(chē)輛控制設(shè)備及其方法。車(chē)輛控制設(shè)備可包括存儲(chǔ)有神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的存儲(chǔ)器、光檢測(cè)與測(cè)距(LiDAR)裝置、相機(jī)以及處理器。處理器可獲得第一點(diǎn)云,基于第一點(diǎn)云生成第一稀疏深度圖,通過(guò)對(duì)圖像中包括的至少一個(gè)像素的類型進(jìn)行分類來(lái)生成分割信息,...
          • 本發(fā)明提供了一種光致發(fā)光分子增強(qiáng)的超表面等離子體共振傳感器及其制備方法,屬于超表面等離子體共振傳感器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明基于光交聯(lián)多糖傳感器,通過(guò)光致發(fā)光分子標(biāo)記的抗體,形成雙抗夾心的檢測(cè)體系,顯著增強(qiáng)了超表面等離子體共振傳感器的信號(hào)強(qiáng)度和特異...
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