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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開一種異形曲面顯示屏的制作方法。包括如下步驟：步驟一，利用3D激光掃描一異形曲面基底，獲取各點(diǎn)坐標(biāo)；步驟二，面板設(shè)計(jì)，依據(jù)分辨率需求將顯示區(qū)域進(jìn)行網(wǎng)格劃分，每一網(wǎng)格對(duì)應(yīng)一子像素；步驟三，依據(jù)所述步驟二的面板設(shè)計(jì)，選擇直角坐標(biāo)或極坐標(biāo)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及控制電路技術(shù)領(lǐng)域，公開一種用于顯示板的控制電路，包括：主控電路，被配置為根據(jù)用戶的觸控操作以輸出控制信號(hào)；光源驅(qū)動(dòng)電路，被配置為驅(qū)動(dòng)顯示板的光源打開或關(guān)閉；電源電路，包括主電源、第一電源支路和第二電源支路；主電源被配置為提供電壓；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)單元集，存儲(chǔ)單元集包括第一存儲(chǔ)單元組和第二存儲(chǔ)單元組，第一存儲(chǔ)單元組包括目標(biāo)態(tài)為第i態(tài)至第i+k態(tài)的存儲(chǔ)單元，第二存儲(chǔ)單元組包括目標(biāo)態(tài)為第i+k+1態(tài)至第i+j態(tài)的存儲(chǔ)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例提供了存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；外圍電路，耦合至所述存儲(chǔ)單元陣列；所述外圍電路被配置為：對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的目標(biāo)存儲(chǔ)單元進(jìn)行目標(biāo)態(tài)的編程操作；對(duì)經(jīng)過所述目標(biāo)態(tài)的編程...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片的內(nèi)測(cè)試方法、芯片及相關(guān)設(shè)備，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。其中，芯片包括只讀存儲(chǔ)器ROM和內(nèi)測(cè)試電路，該方法包括：通過內(nèi)測(cè)試電路讀取ROM中的待測(cè)試存儲(chǔ)單元，得到待測(cè)試存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的讀取值。內(nèi)測(cè)試電路用于對(duì)待測(cè)試存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種藥物靶點(diǎn)的確定方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：獲取候選蛋白質(zhì)對(duì)應(yīng)的蛋白質(zhì)熱圖；基于特征提取模型，提取所述蛋白質(zhì)熱圖的特征，得到所述候選蛋白質(zhì)對(duì)應(yīng)的熱圖特征；基于所述候選蛋白質(zhì)對(duì)應(yīng)的熱圖特征，對(duì)所述候選蛋白質(zhì)進(jìn)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器電解液和電解液添加劑的關(guān)鍵技術(shù)，可有效提高鋰離子電容器電解液的電化學(xué)性能。其主要內(nèi)容為一種鹵化鋰、硅藻土和石墨粉與聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸單體制備的電解液添加劑，以及此添加劑與包含六氟磷酸鋰、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發(fā)明涉及到正極涂布的關(guān)鍵技術(shù)―粘結(jié)劑體系的選擇。具體配料由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導(dǎo)電劑5...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種微動(dòng)開關(guān)裝配工裝。包括：上端蓋、上連接板、下端蓋、下連接板和裝配模組，所述上連接板在所述上端蓋下方且兩者相固定連接，所述上連接板具有向下開口的上連接板定位槽，所述下連接板在所述下端蓋上方且兩者相固定連接，所述下連接板具有向上開...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓冷卻方法、刻蝕方法、工藝設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，該晶圓冷卻方法應(yīng)用于冷卻裝置，晶圓的上表面沉積有金屬薄膜，金屬薄膜的材料為包括第一金屬和第二金屬的合金材料，且第一金屬的含量大于第二金屬的含量；該晶圓冷卻方法包括：根據(jù)金...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例提供了一種用于晶圓傳輸平臺(tái)的晶圓定位方法、電子設(shè)備和工藝設(shè)備。該晶圓定位方法包括：獲取晶圓在晶圓傳輸平臺(tái)內(nèi)的第一圖像；獲取晶圓的圖像特征；根據(jù)圖像特征在第一圖像上對(duì)晶圓進(jìn)行初始定位，獲得初始定位信息；基于初始定位信息，采用粒子濾...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種靜電卡盤、反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體處理設(shè)備，所述靜電卡盤包括：殼體，所述殼體包括第一晶圓承載面和與所述第一晶圓承載面相交的至少一個(gè)第二晶圓承載面；位于所述殼體中的第一吸附電極和至少一個(gè)第二吸附電極；所述第一吸附電極對(duì)應(yīng)于所述第一晶圓...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一組合結(jié)構(gòu)，第一組合結(jié)構(gòu)包括襯底、多個(gè)第一芯片和第二導(dǎo)電互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底包括多個(gè)第一區(qū)域和一個(gè)第二區(qū)域，多個(gè)所述第一芯片分別設(shè)置在所述襯底朝向第一方向的一側(cè)，并分別與所述襯底在所...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，旨在改善連接線對(duì)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生干擾的問題。本公開提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括封裝基板、轉(zhuǎn)接板、多個(gè)測(cè)試芯片和信號(hào)線。其中，多個(gè)測(cè)試芯片在封裝基板的一側(cè)層疊設(shè)置。多個(gè)測(cè)試芯片中包括目標(biāo)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供襯底和位于襯底上的襯墊層；在襯墊層上形成復(fù)合結(jié)構(gòu)層和位于復(fù)合結(jié)構(gòu)層內(nèi)的第一凹槽，第一凹槽暴露出襯墊層表面，復(fù)合結(jié)構(gòu)層包括若干層第一層和若干層第二層，第二層位于相鄰的第一層之間；去除第一凹槽暴露出的部...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鈉離子電池正極極片以及鈉離子電池，該正極極片包括正極集流體和設(shè)置在所述正極集流體的至少一個(gè)表面上的正極膜層，所述正極膜層包括正極活性材料、第一添加劑以及第二添加劑，所述第一添加劑為硼酸、偏硼酸、硼酸鹽中的至少一種，所述第二添加...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及正極活性材料及其制備方法、二次電池和裝置。該所述正極活性材料的化學(xué)式為LiaNibCocMndAleAf
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極材料及其制成的產(chǎn)品、負(fù)極漿料及制備方法。一種負(fù)極材料，其包括活性物質(zhì)、含氟有機(jī)納米顆粒和浸潤劑；所述浸潤劑包括具有式(一)結(jié)構(gòu)的共聚物：
							  2025-09-19
							
            
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N雙離子電池和用電裝置。雙離子電池包括電解液和正極極片，電解液包含四氟硼酸鋰，所述正極極片包括人造石墨正極活性材料，所述人造石墨正極活性材料的石墨化度為70％?90％。該雙離子電池具有優(yōu)異的循環(huán)性能，長的使用壽命。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了補(bǔ)鋰劑及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述補(bǔ)鋰劑為多孔結(jié)構(gòu)，所述補(bǔ)鋰劑包括內(nèi)核、催化劑和導(dǎo)電劑，所述內(nèi)核包括有機(jī)補(bǔ)鋰劑；所述催化劑包括過渡金屬氧化物、過渡金屬碳化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬磷化物中的至少...
								
            
							
            
							
						
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