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          • 本發(fā)明公開(kāi)一種單軸取向聚乙烯膜,包括具有內(nèi)表面層(I)、外表面層(O)和核心層(C)的多個(gè)層,其中,所述內(nèi)表面層(I)和所述外表面層(O)中的至少一個(gè)由包含多峰線(xiàn)性低密度乙烯(LLDPE)三元共聚物組分(PE1)的組合物制成,該組分的密度在...
          • 本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例大體上涉及用于基板處理腔室中的預(yù)熱環(huán)以及相關(guān)方法。包括黑石英(諸如由黑石英形成)的預(yù)熱環(huán)促進(jìn)材料特性,從而可促進(jìn)加熱。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,適用于半導(dǎo)體處理腔室的預(yù)熱環(huán)包括一個(gè)或多個(gè)環(huán)形段。一個(gè)或多個(gè)環(huán)形段包括限定內(nèi)尺寸的...
          • 公開(kāi)了根據(jù)各種實(shí)施例的電子裝置和電子裝置的操作方法,該電子裝置包括:通信電路,用于支持通過(guò)地面網(wǎng)絡(luò)和非地面網(wǎng)絡(luò)的蜂窩通信;存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)映射數(shù)據(jù),其中,非地面網(wǎng)絡(luò)的識(shí)別信息和由非地面網(wǎng)絡(luò)支持的服務(wù)被映射;以及通信處理器,其中,通信處理器可...
          • 一種通過(guò)原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟:a)將至少一個(gè)襯底提供到反應(yīng)器中和將反應(yīng)器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個(gè)溫度,并任選地將反應(yīng)器保持在約100托或更低的壓力下;b)將形成含硅...
          • 本發(fā)明提出通過(guò)使用適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)性的焦炭而能夠降低還原材料比的高爐的操作方法。一種高爐的操作方法,其是從高爐的爐頂將鐵系原料和焦炭以層狀裝入、并從高爐的風(fēng)口向所述高爐的內(nèi)部吹入含氧氣體和包含烴類(lèi)氣體的還原材料的高爐的操作方法,其中,在所述含氧氣...
          • 一種用于基板處理的方法,包括:使一種或多種工藝反應(yīng)性氣體流入處理腔室的上容積中;使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中;測(cè)量該處理腔室的該下容積的內(nèi)表面的溫度;以及基于測(cè)量的溫度來(lái)調(diào)整該處理腔室的該下容積的該內(nèi)表面的溫度。
          • 能夠提供一種自動(dòng)地給送膜的膜傳送機(jī)。從上游側(cè)向下游側(cè)給送膜(83)的膜傳送機(jī)包括給送機(jī)構(gòu)(70),該給送機(jī)構(gòu)包括:第一上輥(UR71)和第一下輥(LR71),設(shè)于膜傳送路徑的上游;第一向上/向下驅(qū)動(dòng)源,使第一上輥和第一下輥相對(duì)地移動(dòng)以使得它...
          • 本發(fā)明涉及一種用于輸送制冷劑的管材,所述管材包括制冷劑阻隔層和隔水層,其中所述隔水層包圍所述制冷劑阻隔層,其中所述制冷劑阻隔層包含塑料、特別是熱塑性的塑料。所述隔水層具有至少45或60或75或90重量%的聚烯烴含量。
          • 用于實(shí)現(xiàn)生物和/或化學(xué)材料的安全處理的設(shè)備,該設(shè)備包括:外殼,該外殼封閉工作空間,其中,外殼包括用于進(jìn)入工作空間的開(kāi)口;框格,該框格安裝到外殼,該框格構(gòu)造成在關(guān)閉位置和打開(kāi)位置之間移動(dòng),在關(guān)閉位置中,框格覆蓋工作空間的開(kāi)口,在打開(kāi)位置中,框...
          • 本發(fā)明提供一種固定組件,其包括:長(zhǎng)形柔性構(gòu)件,該長(zhǎng)形柔性構(gòu)件在自由端部與止擋端部之間延伸;夾頭,該夾頭具有本體,該本體包括夾緊表面、相對(duì)的固定表面、夾緊表面和固定表面沿著其交會(huì)的邊緣以及孔口,柔性構(gòu)件兩次穿過(guò)該孔口,以在本體的相對(duì)側(cè)上分別提...
          • 本公開(kāi)提供了復(fù)合物及使用方法。在一些實(shí)施方案中,本文所述的復(fù)合物是包含陽(yáng)離子聚合物、陰離子聚合物和單體RNA分子的復(fù)合物,其中所述陽(yáng)離子聚合物和所述單體RNA分子形成被所述陰離子聚合物包封的核心復(fù)合物。在一些實(shí)施方案中,復(fù)合物包含線(xiàn)性陽(yáng)離子...
          • 描述了一種漿包壓機(jī)(1、101)、漿包加壓方法以及漿包生產(chǎn)線(xiàn)或系統(tǒng)。該漿包壓機(jī)(1、101)用于壓縮漿包(12、14)并且包括:底座(2、102);與底座(2、102)相對(duì)定位并連接到底座(2、102)的頂部(4、104);以及配置為在底座...
          • 一種軟件,其可存儲(chǔ)在電子處理資源(10)中并由電子處理資源(10)執(zhí)行,并且被設(shè)計(jì)成在被執(zhí)行時(shí)使電子處理資源(10)配置為實(shí)時(shí)檢測(cè)和/或預(yù)測(cè)對(duì)象在清醒(W)階段、困倦(D)階段和睡眠(S)階段之中的一個(gè)或多個(gè)行為狀態(tài)和/或轉(zhuǎn)變。所述軟件被設(shè)...
          • 控制器包括處理器和存儲(chǔ)指令的存儲(chǔ)器,該指令配置為使得處理器:接收測(cè)試氣溶膠化系統(tǒng)的排放測(cè)試數(shù)據(jù),該排放測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試氣溶膠化系統(tǒng)的測(cè)試氣溶膠化器的測(cè)試氣溶膠化器功率或測(cè)試氣溶膠化器功率范圍以及測(cè)試濃度或測(cè)試濃度范圍,接收對(duì)應(yīng)于操作持...
          • 晶片上的半導(dǎo)體器件單片陣列包括占據(jù)晶片上的第一器件區(qū)域的第一半導(dǎo)體器件,所述第一器件區(qū)域位于所述晶片中的第一多孔區(qū)上方。第一多孔區(qū)具有第一結(jié)構(gòu)、第一孔隙率和第一尺寸。第二半導(dǎo)體器件占據(jù)晶片上的第二器件區(qū)域。第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件具有...
          • 描述消息處理設(shè)施。所述設(shè)施接收用戶(hù)輸入,所述用戶(hù)輸入定義希望給收件人服務(wù)主體的文本消息。在發(fā)送所述所定義的文本消息之前,所述設(shè)施分析所述所定義的文本消息以確定多個(gè)文本消息類(lèi)別當(dāng)中所述所定義的文本消息所屬的文本消息類(lèi)別。
          • 提供了一種包括存儲(chǔ)區(qū)和非存儲(chǔ)區(qū)的單一集成電路。存儲(chǔ)區(qū)包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、設(shè)于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的存儲(chǔ)元件以及設(shè)于存儲(chǔ)元件上的第一通孔。非存儲(chǔ)區(qū)包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及設(shè)于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的第二通孔。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過(guò)包括第一光掩模的第一光刻...
          • 描述了一種服裝再造系統(tǒng),該服裝再造系統(tǒng)包括:數(shù)據(jù)庫(kù),數(shù)據(jù)庫(kù)包含用于改造衣物的基本原理和規(guī)則;用于輸入一系列用戶(hù)參數(shù)的裝置,其中,用戶(hù)可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中的列表中選擇服裝;用于與本發(fā)明的一組規(guī)則相結(jié)合來(lái)選擇數(shù)據(jù)庫(kù)中的改造,使得用戶(hù)可選擇將要制造哪個(gè)...
          • 本公開(kāi)涉及一類(lèi)新穎的可用于蛋白質(zhì)的靶向或選擇性降解的雙官能分子。
          • X射線(xiàn)生成裝置包括:X射線(xiàn)生成管、包括電子發(fā)射部分的陰極、以及包括靶的陽(yáng)極;被配置為驅(qū)動(dòng)X射線(xiàn)生成管的驅(qū)動(dòng)電路,以及被配置為容納X射線(xiàn)生成管和驅(qū)動(dòng)電路的容納容器。容納容器限定存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)電路的第一空間、以及從第一空間突出并且存儲(chǔ)X射線(xiàn)生成管的至...
          技術(shù)分類(lèi)
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