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								      公開了一種二次電池及其制造方法，該二次電池能夠減少和/或消除外部端子結構，從而減少其部件數(shù)量并降低其生產(chǎn)成本。該二次電池包括：電極組件，包括第一電極板和第二電極板；第一殼體，以至少圍繞電極組件的一個表面的形狀來安裝，并且電連接到第一電極板；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種電池模組的組裝方法和保持機構。電池模組(10)的組裝方法包括區(qū)域形成工序、配置工序和按壓工序，在區(qū)域形成工序中，施加克服彈性作用力使一對保持板(34)中的至少一方變形的強制變形力，據(jù)此在一對保持板之間形成能配置電池單元層疊體(...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及保護電路模組和電池模組，即使在不具有溫度傳感器的電池單體中發(fā)生熱傳播時，該保護電路模組和電池模組也能夠檢測電池模組內(nèi)的其中發(fā)生熱傳播的觸發(fā)電池單體。保護電路模組包括：基板；電線，該電線設置在基板上以在電線的至少一部分中形成開孔，并...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及保護和感測系統(tǒng)及方法，特別是一種電路保護裝置。該裝置包括固態(tài)斷開連接電子部件和耦合到固態(tài)斷開連接電子部件的傳感器。固態(tài)斷開連接電子部件被配置為在傳感器檢測到故障狀況時將操作電子部件和電源斷開連接。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開中描述了一種可用較少反饋回路操作的多相電壓調(diào)節(jié)器。所述多相電壓調(diào)節(jié)器被配置成生成輸出電流以對輸出電容器充電，由此提供輸出電壓。顧名思義，所述輸出電流包括多個子電流，每個子電流是由多個子電流生成器中的相應一個生成。本文中，所述子電流生成...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種集成電路，包括第一溫度敏感器件和第二溫度敏感器件。第一溫度敏感器件被配置為產(chǎn)生根據(jù)絕對溫度單調(diào)增加的第一偏置電流，并基于第一偏置電流產(chǎn)生第一電壓。第二溫度敏感器件被配置為在第二溫度敏感器件上產(chǎn)生第二電壓，并在集成電路的輸出端子輸出...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于使用自適應圖像變形來調(diào)整透視圖的視頻會晤系統(tǒng)包括圖像變形單元，圖像變形單元包括至少一個處理器。至少一個處理器被編程為：從視頻會晤系統(tǒng)中的攝像頭接收概覽視頻流；基于對來自概述視頻流的至少一個測試幀的分析，確定在至少一個測試幀內(nèi)表示的至...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出一種關于通氣及聲學調(diào)整的穿戴式聲音裝置及方法。穿戴式聲音裝置包括一出音口、一側開口、一氣脈沖產(chǎn)生裝置以及一交換器。氣脈沖產(chǎn)生裝置用來通過產(chǎn)生多個氣脈沖來產(chǎn)生可聽聲音，且產(chǎn)生流經(jīng)一第一空氣路徑的一第一氣流，第一空氣路徑經(jīng)過位在環(huán)境與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種揚聲器及其盆架。一種包括揚聲器盆架的揚聲器。揚聲器盆架包括第一框架和第二框架，第一框架包括內(nèi)表面和與內(nèi)表面相反的外表面，第二框架被容納在第一框架中。第二框架包括第一壁和第二壁，其中第二框架的第一壁和第二壁接合第一框架的內(nèi)表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及用于音頻換能器的徑向MEMS部件。更具體而言，本主題技術的各方面涉及電子設備，這些電子設備具有揚聲器，諸如微機電系統(tǒng)(MEMS)揚聲器。一種MEMS揚聲器可以包括徑向MEMS部件。該徑向MEMS部件可以包括內(nèi)支撐結構、外支撐結構和...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及MEMS揚聲器架構。更具體而言，涉及一種微電子機械換能器組件，該微電子機械換能器組件包括：殼體，該殼體限定內(nèi)部腔室和從該內(nèi)部腔室到周邊環(huán)境的開口；第一聲音輻射構件，該第一聲音輻射構件能夠操作以產(chǎn)生第一頻率；和第二聲音輻射構件，該第...
								
            
							
            
							
						
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								      一種多接入點(M?AP)協(xié)調(diào)方法，包括：第二接入點(AP)的處理器接收協(xié)調(diào)控制幀，其中，該協(xié)調(diào)控制幀由第一AP發(fā)送，其中，協(xié)調(diào)控制幀包括用于至少一個共享AP的至少一個用戶信息字段，并且至少一個用戶信息字段中的每個用戶信息字段包括受共享AP的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及無線網(wǎng)絡中的信息優(yōu)先級排序，具體公開了自主地調(diào)整UE裝置要傳輸?shù)男畔⒌膬?yōu)先級的裝置、系統(tǒng)和技術。在至少一個實施例中，UE裝置通過調(diào)整優(yōu)先級排序參數(shù)來自主地調(diào)整要傳輸?shù)男畔⒌膬?yōu)先級。在至少一個實施例中，優(yōu)先級排序參數(shù)由監(jiān)控分組統(tǒng)計信...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于第一端用戶設備的方法和裝置。在一個實施例中，第一端用戶設備與中繼用戶設備建立PC5連接，以用于支持第一端用戶設備與第二端用戶設備之間經(jīng)由中繼用戶設備的用戶設備間中繼通信。第一端用戶設備使用第一PC5中繼無線電鏈路控制信道...
								
            
							
            
							
						
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								      用于車輛用的電加熱器、特別是電動流體加熱器(12)的電路布置(1)，包括：用于提供電壓、特別是高電壓的連接，該連接具有用于第一工作電壓電勢的第一連接極(HV+)和用于第二工作電壓電勢的第二連接極(HV?)；加熱電阻器(RH
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種電子裝置與電子設備，電子裝置包括基板、線路層、多個通孔、多個導電件、多個功能元件及保護件。基板定義有第一表面及第二表面，線路層配置于第一表面上，通孔連通第一表面與第二表面，并定義靠近第一表面的第一開口與靠近第二表面的第二開口，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種印刷電路板，所述印刷電路板包括：玻璃層；第一絕緣層，設置在所述玻璃層上；第一互連層，設置在所述第一絕緣層上；以及第一保護層，覆蓋所述玻璃層的上表面的一部分、所述玻璃層的側表面的至少一部分和所述第一絕緣層的側表面的至少一部分。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種電路板及其制造方法。所述電路板可包括：絕緣層，具有在一個方向上貫穿的通路孔；焊盤，設置在所述絕緣層上以覆蓋所述通路孔；以及電路布線，設置在所述絕緣層上。所述焊盤可包括第一多個金屬層，所述電路布線可包括第二多個金屬層，并且所述焊...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種半橋電路(1)，其包括分別并聯(lián)連結的至少兩個高壓側晶體管(T1,T2)和至少兩個低壓側晶體管(T3,T4)，其中，晶體管(T1?T4)布置在帶有金屬化部的共同的基板(3)上，其中，所述至少兩個高壓側晶體管(T1,T2)和所述至...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種單晶片集成的高頻橋臂的功率半導體晶片，包括襯底和器件結構區(qū)，所述器件結構區(qū)包括第一開關區(qū)、第二開關區(qū)和邏輯電路區(qū)；所述功率半導體晶片上設置有DC+電極、DC?電極和SW電極；所述第一開關區(qū)和第二開關區(qū)包括平行于長邊的長條形區(qū)...
								
            
							
            
							
						
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