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          • 本公開涉及一種接收器的工作方法以及接收裝置。在一實(shí)施例中,作為對(duì)至少一個(gè)正交頻分復(fù)用符號(hào)?第一至第M(M為2以上的自然數(shù))子信道的各個(gè)參考信號(hào)集合通過所述至少一個(gè)正交頻分復(fù)用符號(hào)中的至少一個(gè)進(jìn)行傳輸,所述參考信號(hào)集合包括在相應(yīng)的子信道上適用...
          • 電子器件(1)具備素體(2)和電感器,電感器包括:在多個(gè)素體層(7)的層疊方向上延伸的第一導(dǎo)體(10)、第二導(dǎo)體(11)、第三導(dǎo)體(12)、第四導(dǎo)體(13)、第五導(dǎo)體(14)以及第六導(dǎo)體(15);第一電感器導(dǎo)體(20)、第二電感器導(dǎo)體(21...
          • 本發(fā)明涉及一種致動(dòng)器,包括:殼體(12),其包括殼托(14)和殼蓋(16);布置于殼體(12)中的電動(dòng)機(jī)(18);布置于殼體(12)中的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)(20),其包括輸出輪(22);以及布置于殼體(12)中的位置檢測(cè)單元(24),用于檢測(cè)輸出輪(...
          • 一種端接屏蔽線纜的方法,屏蔽線纜具有內(nèi)導(dǎo)體(21)、圍繞內(nèi)導(dǎo)體(22)的內(nèi)絕緣體(22)、圍繞內(nèi)絕緣體(22)的外導(dǎo)體(23)和圍繞外導(dǎo)體(23)的外絕緣體(24),該方法包括在內(nèi)絕緣體(22)上安裝由介電材料形成的端接環(huán)(6),并使其處于...
          • 一種用于端子組件的內(nèi)套圈(4),其構(gòu)造成端接屏蔽線纜(2)。內(nèi)套圈(4)由介電材料形成。內(nèi)套圈(4)具有大致管狀形狀。內(nèi)套圈(4)包括多個(gè)肋件,這些肋件平行于縱向軸線縱向延伸,并以一定高度從內(nèi)套圈(3)的內(nèi)表面徑向向內(nèi)延伸。內(nèi)套圈(4)套件...
          • 本公開涉及具有側(cè)壁天線的電子裝置和制造此類裝置的方法。一種電子裝置包括:具有安裝表面的裝置基板;耦合到所述安裝表面的電子電路;以及所述電子電路和所述安裝表面上的包封材料。所述包封材料具有上包封表面和在所述裝置基板的所述安裝表面與所述上包封表...
          • 本公開的可再充電電池包括:電極組件,包括堆疊在一起的多個(gè)電極,并且具有設(shè)置在多個(gè)電極中的相應(yīng)電極之間的隔膜;以及粘合構(gòu)件,設(shè)置在電極組件的拐角部分中的至少兩個(gè)拐角部分處,并且被附接以覆蓋電極組件的上表面、側(cè)表面和下表面中的每個(gè)表面的至少一部...
          • 一種在形成具有多個(gè)堆疊電池單體的雙極堆疊電池期間防止空氣被捕獲的雙極堆疊電池。在多個(gè)堆疊電池單體中的每一個(gè)之間形成電絕緣和離子絕緣的框架。
          • 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅基活性物質(zhì),所述硅基活性物質(zhì)包含核顆粒以及覆蓋核顆粒的表面的碳涂層。通過熱重分析法測(cè)量的硅基活性物質(zhì)的起始溫度為超過350℃且低于390℃,通過導(dǎo)數(shù)熱重分析法測(cè)量的硅基活性物質(zhì)的重量減少率變化值與溫度...
          • 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅氧化物顆粒。硅氧化物顆粒的拉曼光譜中測(cè)量的500nm?1至530nm?1區(qū)域中的峰強(qiáng)度與450nm?1至490nm?1
          • 本申請(qǐng)涉及用于裸片附接參考的獨(dú)特裸片圖案化。一種晶片襯底可包含多個(gè)個(gè)別半導(dǎo)體裸片及沿著所述晶片襯底的邊緣布置的多個(gè)不完整裸片。所述個(gè)別半導(dǎo)體裸片中的每一個(gè)及所述不完整裸片中的每一個(gè)可包含接合襯墊陣列。所述不完整裸片的子集中的每一個(gè)還可包含可...
          • 本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括:GaN芯片,具有第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。第一側(cè)包括芯片焊盤。芯片封裝還包括:引線框架,具有第一主要側(cè)和與第一主要側(cè)相對(duì)的第二主要側(cè)。引線框架的第一主要側(cè)朝向GaN芯片的第一側(cè),并且被附接到芯...
          • 公開了半導(dǎo)體器件和制作具有集成無源器件的互連橋的方法。半導(dǎo)體器件具有第一基板。第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯被部署在基板上方。互連橋被部署在第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯上方?;ミB橋具有第二基板。導(dǎo)電跡線被形成在第二基板的第一表面上方。導(dǎo)電...
          • 一種用于電子封裝體(110)的包封材料(100),其中,所述包封材料(100)包括電絕緣基質(zhì)材料(102)以及所述基質(zhì)材料(102)中的應(yīng)力抑制填料顆粒(104),所述應(yīng)力抑制填料顆粒(104)具有不大于6ppm/K的熱膨脹系數(shù)值以及不大于...
          • 公開了具有裂紋阻止結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及制造方法,其中,半導(dǎo)體器件(900)包括半導(dǎo)體部(100),該半導(dǎo)體部(100)包括中心區(qū)域(610)和將中心區(qū)域(610)與側(cè)向芯片邊緣(109)分隔開的外圍區(qū)域(690)。在半導(dǎo)體部(100)的水平第...
          • 半導(dǎo)體裝置及制造半導(dǎo)體裝置的方法。在一個(gè)實(shí)例中,半導(dǎo)體裝置可包含第一介電層,所述第一介電層包括限定通孔的內(nèi)壁。晶種層可安置在所述第一介電層上方和所述通孔中。第一導(dǎo)體可安置在所述晶種層上方和所述通孔中,且所述第一導(dǎo)體可具有圓柱形幾何形狀。第二...
          • 本發(fā)明提供一種電感組件,包括集成電感和信號(hào)組件,所述信號(hào)組件包括信號(hào)電連接件和屏蔽層;本發(fā)明通過將屏蔽層設(shè)置在信號(hào)電連接件和集成電感之間,使得信號(hào)回路免受功率回路的干擾。另一方面提供一種VRM模塊,包括電感組件、頂部組件和底部組件;所述頂部...
          • 本發(fā)明提供線圈部件和具備其的通信器件,其目的在于,在具有至少一部分被埋入樹脂層的線圈圖案的線圈部件中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)電特性和物理特性,線圈部件(100)包括包含絕緣性的無機(jī)填料(F1~F3)和粘合劑樹脂(R)的樹脂層(130)和至少一部分被埋入樹...
          • 本公開涉及變壓器組件和跨電感電壓調(diào)節(jié)。本文中所討論的組件包括導(dǎo)磁材料的層、第一變壓器繞組對(duì)、第二變壓器繞組對(duì)和第一導(dǎo)電路徑。第一繞組對(duì)包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第一初級(jí)繞組路徑和第一次級(jí)繞組路徑。第二繞組對(duì)包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第二初級(jí)繞組路徑...
          • 提供了一種磁線材,其包含合金,該合金含有質(zhì)量百分比為40%以上且50%以下的Ni,余量為Fe和不可避免的雜質(zhì),其中,在線材的沿其軸向方向的橫截面中,軸向方向與<111>方向之間的角度差為10°以下的晶體結(jié)構(gòu)的比例為20%以上。
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