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								      本發明提供一種靜電吸盤及等離子體處理裝置，所述靜電吸盤包括：第一絕緣層，其上設置有若干個貫穿所述第一絕緣層的冷卻孔；底座組件，其設置在第一絕緣層的下方用于支撐所述第一絕緣層；若干個冷卻通道，其貫穿所述底座組件設置，分別與對應的所述冷卻孔連通...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種應用于半導體工藝設備的起輝控制方法及半導體工藝設備，該起輝控制方法包括：在電源開啟之前，屏蔽硬件軟互鎖報警，硬件軟互鎖報警包括：在檢測到目標硬件的狀態信號為異常時，中止起輝過程；目標硬件包括半導體工藝設備中參與起輝過程的硬件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種外延方法及設備，外延方法包括：提供III族鹵化物和第一鹵化物氣體；混合所述第一鹵化物氣體和所述III族鹵化物，得到混合氣體；將所述混合氣體通入反應區域，與含V族元素氣體在襯底上反應形成外延層；其中，在混合所述第一鹵化物氣體和...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法。本發明的適用于等離子體激活中抑制芯片表面顆粒的方法，包括如下步驟：S1：將晶圓拋光、減薄后劃切成芯片，將芯片重構在藍膜上；S2：將掩膜版置于藍膜上方，掩膜版具有用于暴露芯片并且遮擋...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種適用于混合鍵合中芯片表面顆粒控制的方法。本發明的方法包括如下步驟：S1：將晶圓切割成芯片，將芯片間隔粘貼在藍膜上；S2：將藍膜及芯片置于激光下，對芯片之間的藍膜進行照射改性；S3：采用化學藥液對照射改性后的藍膜及芯片進行濕法...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種混合鍵合方法和半導體器件，混合鍵合方法先將芯片設置在藍膜上，而后通過UV光對藍膜進行固化，之后在對芯片進行活化，最后在將芯片與晶圓鍵合，如此設置通過UV光對藍膜進行固化可以抑制等離子體激活過程中的顆粒，避免產生大量顆粒...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種制造裝置與制造方法以及其所制成的半導體器件與其制作方法。所述制造裝置包括：對器件進行制造工藝操作的處理腔；以及，根據所述器件的歷史制造參數設定所述處理腔的初始操作溫度的處理腔參數設定器，且所述歷史制造參數包括兩個所述器件的歷...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種冷卻座、承載裝置及半導體工藝設備，涉及冷卻座調溫技術領域，其中，所述冷卻座包括：座體和多個調節件；座體設有冷卻流道，冷卻流道包括入口和出口，冷卻介質能夠經入口進入冷卻流道，流經冷卻流道的冷卻介質能夠從出口流出；調節件包...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的實施例提供一種導電結構及其形成方法，且該導電結構包括導電特征層、介電層、第一導線部件及覆蓋層。導電特征層設置于基板上。介電層位于導電特征層上。第一導線部件位于介電層中，且包括第一導電層、第一阻擋層及第一覆蓋件。第一阻擋層包覆第一導電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種多孔負極材料及其制備方法、負極極片、二次電池和用電裝置，多孔負極材料包括具有內部孔結構的二次顆粒，二次顆粒包含多個一次顆粒，一次顆粒包含碳基材料，相鄰一次顆粒之間填充有多孔硬碳，二次顆粒包含的多孔硬碳形成網狀結構，多孔負極材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種制備正極材料的方法、正極材料、正極極片、電池及用電裝置。本申請方法包括：將前驅體與磷源在溶劑中混合，干燥，燒結，得到中間產物；其中，所述前驅體包括含有或不含有摻雜元素的磷酸錳鐵鋰，所述摻雜元素包括ⅡA族元素、ⅢA族元素、ⅣA...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述正極活性材料包括正極活性材料本體和形成在所述正極活性材料本體至少部分表面的包覆層，所述包覆層包括CeaZrbLc<...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種正極材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極材料包括基體和包覆在所述基體表面的包覆層；所述基體包括鋰過渡金屬氧化物；所述包覆層包括CaxAy(PO4...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片及鈉二次電池和用電裝置。所述正極活性材料滿足化學式NaxMnyM1zO2+δ，其中，0.8<x≤1，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置。該正極活性材料包括鈉錳氧化物，鈉錳氧化物包括第一相和第二相，第一相包括依次交替的第一鈉離子層和第一過渡金屬層，第一相中相鄰的兩個第一過渡金屬層在垂直于(001)晶面方向上的層間...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種氫動力模塊陽極子系統(100)，其配置成能夠將氫氣儲存罐中所儲存的氫氣傳送入到氫動力模塊反應堆并包括：斷流閥(1)，其配置成能夠控制來自氫氣儲存罐的氫氣的供應；氫噴閥(6)，其配置成能夠調節氫氣的壓力；布置在氫動力模塊反應堆...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于新能源技術領域，涉及一種鹵素陰離子摻雜的富鋰相氟基固態電解質材料及其制備方法和應用。為了開發一種高離子導電率、低電子導電率、寬電化學窗口的固態鋰電池用的氟基固態電解質材料體系，本發明提供鹵素陰離子摻雜的富鋰相氟基固態電解質材料，所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種儲能單元加熱方法、裝置、設備、存儲介質和程序產品。所述方法包括：在確定儲能系統需要預留電量的情況下，獲取儲能系統的各儲能單元的電量，并控制各儲能單元的電量不小于預設電量，若各儲能單元中存在溫度小于第一預設溫度的第一目標儲能單元...
								
            
							
            
							
						
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								      采用鹽作為電解質的燃料電池可以得到酸和堿。在燃料電池溶液中外加電場使燃料極，空氣極周圍的活性物質增加。這樣可以增加燃料電池的反應效率，消除極化的不利影響。根據能斯特方程可以計算出燃料極，空氣極的反應速度。
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種電池單體、電池及用電設備，電池單體包括電極組件，電極組件包括電極組件，電極組件包括電極主體和極耳，極耳包括第一連接部、彎折部和第二連接部，第一連接部與電極主體相連，第一連接部和第二連接部通過彎折部相連；轉接片，轉接片在厚度方...
								
            
							
            
							
						
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