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								      本發明公開了一種電極降溫裝置及帶長條狀電極結構的LED芯片，屬于半導體芯片技術領域，包括吸熱片、P型降溫半導體、散熱片、進電組件、N型降溫半導體、導電組件和出電組件，進電組件上端側邊安裝有N型降溫半導體，進電組件右表面上安裝有散熱片，出電組...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及太陽能電池技術領域，公開了背接觸太陽能電池和電池組件。電池包括具有受光面和背光面的電池基體，背光面包括交替排布的第一極性區和第二極性區，第一極性區和第二極性區之間具有隔離區，電池基體還包括：由第一極性區和/或第二極性區的表面朝向隔...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種光伏電池片以及光伏組件。所述光伏電池片包括：硅基底，所述硅基底包括沿第一方向背離設置的第一表面和第二表面，以及連接第一表面和第二表面的側表面，側表面包括切割面；其中，切割面包括：鄰近第一表面的切割邊緣、鄰近第二表面的斷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及太陽電池領域，公開一種異質結太陽電池及其制備方法、光伏組件。包括：硅基底；設于硅基底的受光面的第一本征鈍化層，第一本征鈍化層分為第一區域、第二區域以及位于兩個區域之間的隔離區域；圖形化的第一摻雜層，第一摻雜層設于第一區域的第一本征...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種太陽能電池和光伏組件，涉及太陽能電池技術領域，以解決如何提高太陽能電池的光電轉換效率的問題。所述太陽能電池包括：第一鈍化接觸結構形成在半導體基底的第一面；第一匯流電極和第一集電電極形成在第一鈍化接觸結構上方；至少部分第一匯流...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及太陽能電池技術領域，公開了一種背接觸太陽能電池及其制備方法。電池包括：基底層；第一摻雜區和第二摻雜區，交替設置于基底層的背光面一側；隔離凹槽，位于相鄰的第一摻雜區和第二摻雜區之間并深入基底層內；隔離凹槽的至少一個側壁包括第一斷面、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及光電探測器技術領域，公開了一種氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器及其制備方法。氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器的制備方法，包括以下步驟：S100、制備硅基底電極；S200、在硅基底電極的像素區的電極上磁控濺射沉積氧化鎵薄膜，以實現低...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及太陽能電池技術領域，公開了背接觸太陽能電池及其制備方法、電池組件。背接觸太陽能電池包括：基底層、第一極性結構、第二極性結構和隔離凹槽，基底層包括相對設置的受光面和背光面；第一極性結構和第二極性結構交替形成于基底層的背光面一側；隔離...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例提供一種半導體器件和芯片，涉及半導體技術領域，用于實現增強型和耗盡型的單片集成；該半導體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵極層、第一帽層和第二帽層；溝道層和勢壘層層疊設置于襯底上，勢壘層相比溝道層遠離襯底；柵極層設于勢壘層遠離溝...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種Fin Fet器件及其制造方法，涉及半導體器件技術領域，包括自下而上設置的：襯底；外延層，位于襯底的上面；鰭狀阱區，位于外延層的上面，鰭狀阱區包括沿著第一方向并排形成的多個鰭片且其鰭片向第二方向延伸，第二方向與第一方向垂直，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種半導體器件、功率模組和電子設備，涉及半導體技術領域，用于在提升半導體器件擊穿電壓的同時降低其動態導通電阻；該半導體器件包括襯底、緩沖層、溝道層、勢壘層、勢壘調制層、柵極、源極和漏極；其中，緩沖層中摻雜受主元素，緩沖層包括第一受...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種GaN HEMT器件，包括：低阻的第二摻雜類型的襯底；接地的背面接地金屬，形成在襯底的背側；第一摻雜類型的緩沖層；?GaN HEMT結構層，GaN HEMT結構層包括有源區和高阻區；第一深孔，自所述高阻區的上表面向下形成，且...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種高速精密組裝設備。該高速精密組裝設備包括：基臺；多軸運動臺安裝于基臺上，包括Y軸運動機構和至少一個X軸運動機構；至少一個貼裝頭安裝于對應的X軸運動機構上，包括Z軸運動機構、壓力傳感器、重力平衡件和吸附件，壓力傳感器設置于Z軸...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種多循環模式換熱裝置，多循環模式換熱裝置包括外殼體、功率元件的散熱基板、蒸發段和冷凝段，蒸發段密封罩設于散熱基板的一側，散熱基板、蒸發段和冷凝段共同圍設形成內層換熱腔，內層換熱腔設有第一工質，液態的第一工質能夠吸收散熱基板的熱量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種液冷系統、液冷機柜和電子設備，應用于液冷機柜冷卻技術領域，液冷系統包括：多個分水/匯水組件，分水/匯水組件上設有組件接口，組件接口用于與冷板上的冷板接口導通，以向冷板內提供介質；接頭組件，用于導通并鎖止組件接口與冷板接口，或...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了液冷散熱系統、液冷散熱系統的工作方法及電子設備，涉及散熱技術領域，系統應用于電子設備，包括紅外熱成像組件、管理控制模組和散熱管路；紅外熱成像組件用于采集電子設備的熱像圖，并將電子設備的熱像圖上傳至管理控制模組；管理控制模組包括散...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種數據中心用相變液冷循環散熱裝置，涉及數據中心散熱技術領域，包括有箱體和控制器，所述箱體內部安裝有散熱組件、循環組件和多組機柜，所述散熱組件與循環組件相配合，所述箱體側面分別開設有散熱窗，所述循環組件與機柜相配合，所述散熱組件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種提高ANPC拓撲短時過載能力的相變集成散熱改造方法。針對現有ANPC拓撲提升過載能力需依賴附加靜態冗余容量和額外器件，導致成本高、兼容性差的問題，本發明根據器件在不同位置的損耗特性，選擇相變材料集成器件與常規器件組合。通過利...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種服務器及服務器機柜，涉及服務器技術領域，服務器包括：服務器殼體，包括容納腔和開口部；硬盤支撐模塊，包括間隔設置的多個安裝腔，多個安裝腔呈矩形陣列布置，以一一對應地裝載多個硬盤組件，各個硬盤組件均包括沿第二方向依次設置的多個硬...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種汽車傳感器生產裝配設備及其裝配方法，涉及汽車傳感器生產用具技術領域，包括旋轉支撐機構，包括臺體，所述臺體底部固定有箱體，所述臺體上安裝有旋轉件，所述旋轉件上固定有轉盤，所述轉盤頂部開設有環槽；固定機構，固定于旋轉支撐機構和箱...
								
            
							
            
							
						
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