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								      本公開提供一種浮點數的處理方法與裝置、神經網絡訓練方法與浮點數數據庫轉換方法。獲取一自定義浮點數，該自定義浮點數包括一符號域與一指數域，其中，該自定義浮點數的一數值決定于該符號域、該指數域、一基底值與一偏差值，該基底值不為整數，且該基底值大...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及解碼器電路及使用于解碼器電路的解碼方法。該解碼方法包括：提供通道值存儲器接收并儲存輸入數據作為通道值；提供符號存儲器儲存符號值；提供梯度下降位元存儲器儲存該通道值的差異資訊；提供變數節點單元根據該通道值產生第一輸出值與第二輸出值；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲器裝置及其制造方法。存儲器裝置包括陣列區域、階梯區域、在陣列區域與階梯區域中的參考結構、在陣列區域與階梯區域中的堆疊結構以及從陣列區域沿著一方向延伸到階梯區域的壁結構。參考結構包括導電結構與在階梯區域中嵌設于導電結構內的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體元件及其制作方法，半導體元件包含一金屬柵極設于基底上、一間隙壁設于金屬柵極旁、一層間介電層環繞金屬柵極、一第一氣孔設于該金屬柵極一側并設于該間隙壁以及該金屬柵極之間以及一第二氣孔設于該金屬柵極另一側并設于該間隙壁以及該金...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體結構以及其制作方法，半導體結構包含一基底，基底上定義有一第一中高壓元件區與一低壓元件區彼此相鄰，第一中高壓元件區內包含有第一柵極接觸以及一第一源/漏極接觸，低壓元件區內包含有兩第二源/漏極接觸以及一第二柵極接觸，其中第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種嵌入式高壓半導體元件及其制造方法，嵌入式高壓半導體元件包含基底，具有低壓元件區及高壓元件區；ILD層，設于基底上；第一互連金屬層，位于低壓元件區內的ILD層上；第一IMD層，位于ILD層和第一互連金屬層之間；第二互連金屬層，位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體元件，其主要包含一金屬柵極設于一基底上、一層間介電層環繞該金屬柵極以及一凹槽設于層間介電層以及金屬柵極之間，其中金屬柵極包含一高介電常數介電層設于該基底上、一功函數金屬層設于高介電常數介電層上以及一低阻抗金屬層設于功函數...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種新型結構的正極活性材料前體及其制備方法，其中所述正極活性材料前體所包含的復合過渡金屬氫氧化物含有：包含第1一次顆粒的核部分；以及在所述核部分上形成并包含第2一次顆粒的殼部分，其中，在所述正極活性材料前體的截面中，所述第2一次顆...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種感應式方向盤及其制造方法。感應式方向盤包括方向盤握把及感應電路層。感應電路層包括彈性基底層、彈性感應圖樣層及第一絕緣保護層。彈性基底層具有相對的第一表面及第二表面。彈性感應圖樣層設置在第一表面上，彈性感應圖樣層以可延展導電材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種半導體結構，可應用于三維AND閃存元件。半導體結構包括基底、介電結構、第一密封環結構與第一密封通孔?；装ㄔ^。介電結構位于基底上。第一密封環結構位于介電結構中。第一密封環結構圍繞元件區。第一密封通孔位于介電結構中。第一密...
								
            
							
            
							
						
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								      提供制造及整修具有密封件的部件的方法的實施方式。一種制造具有密封件的部件的方法包括：將第一層直接沉積到主體的密封表面上，其中所述第一層包括3D表面圖案；以及將第二層沉積到所述第一層上，其中所述第二層包括密封材料。一種整修具有密封件的部件的方...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鋰二次電池包含：正極；負極；插入所述正極和所述負極之間的隔膜；以及非水電解質。所述正極包含正極活性材料，所述正極活性材料包含在除鋰以外的全部金屬元素中含有50摩爾％以上的Mn并且鋰與過渡金屬的摩爾比超過1的過鋰富錳氧化物，所述非水電解質...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提出一種切換方法、網關設備、存儲介質和計算機程序產品，涉及通信技術領域。切換方法應用于主網關設備，該切換方法包括：在確定目標終端需要進行切換的情況下，分別向源子網關設備和目標子網關設備發送切換指令；其中，切換指令用于控制目標終端由源子...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種熱塑性纖維輻條結構及其制造方法。該制造方法以安裝套管步驟、加熱塑形步驟及加工步驟對套管和纖維桿加熱塑形，在套置于纖維桿的套管形成卡制凹部，使纖維桿與套管相卡制。本發明在套管形成徑向嵌入纖維桿的卡制凹部，能解決現有輻條因黏著劑變...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供具有758MPa以上的屈服應力且?80℃下的夏比沖擊試驗的吸收能為100J以上、并且具有優良的耐腐蝕性的馬氏體系不銹鋼無縫鋼管。一種馬氏體系不銹鋼無縫鋼管，其具有含有以質量%計C：0.005～0.100%、Si：0.05～1.00...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本公開提供一種電池模塊，所述電池模塊包括：電芯組件，包括多個電芯；以及匯流條組件，包括匯流條和匯流條支架，所述匯流條與所述多個電芯中的至少一個電連接，所述匯流條支架包括位于所述電芯組件上的基座和從所述基座延伸并與所述匯流條連接的突出部，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種工業爐窯排氣處理裝置，包括爐窯本體和加熱組件，爐窯本體的正面連接有爐窯門本體，爐窯本體的底端表面連接有支撐底座，加熱組件上端連接有金屬鋼支架，爐窯本體表面連接有脫硫機構，加熱組件連接于爐窯本體頂端表面。發明，通過設置有脫硫板...
								
            
							
            
							
						
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								      一種柵極驅動裝置及驅動方法、顯示基板、顯示裝置。柵極驅動裝置包括移位控制電路、m級中間柵極驅動電路(G100)、2S+1級第一類偏移柵極驅動電路(G101)和2S+1級第二類偏移柵極驅動電路(G102)；移位控制電路向4S+2級偏移柵極驅動...
								
            
							
            
							
						
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								      一種檢測設備與方法，用以檢測半導體裝置是否設置有貼片，其中，通過色彩感測器采用多光源進行該貼片顏色分析取樣，以利用該貼片反射的光色成分比例識別該貼片，以及通過控制裝置接收該色彩感測器的動作信號并產生一檢出值，若檢出值大于預設值則判定該半導體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及空域劃設及空域管理領域，提出全容量、全航向空域結構及對應的空域使用管理方法，用于解決未來大型城市內部、城市群之間的空中交通問題，同時考慮了垂直/短距起降、高精度定位導航、高速通信等技術發展機遇。本發明將空域進行分層，每層內設置平行...
								
            
							
            
							
						
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