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          • 本發(fā)明涉及一種低溫儲(chǔ)存系統(tǒng)的實(shí)施例,包括殼體,該殼體還包括:具有由外門可關(guān)閉的前開口和與前開口相對(duì)的后壁的腔室,限定在后壁中的一個(gè)或多個(gè)出口,以及限定在腔室中的比后壁更靠近前開口的一個(gè)或多個(gè)入口。此外,低溫儲(chǔ)存系統(tǒng)包括可操作地聯(lián)接到腔室的制...
          • 本發(fā)明涉及一種用于控制級(jí)聯(lián)蒸汽壓縮系統(tǒng)中的壓縮機(jī)的方法和設(shè)備。該過程可以包括基于恒定帶控制對(duì)第一壓縮機(jī)的運(yùn)行進(jìn)行控制,以及基于比例帶控制對(duì)第二壓縮機(jī)的運(yùn)行進(jìn)行控制。如果第一測(cè)量值在與第一設(shè)定點(diǎn)相關(guān)的范圍內(nèi),則基于恒定帶控制對(duì)第一壓縮機(jī)進(jìn)行控...
          • 本發(fā)明涉及一種冷空間腔室的制冷模塊,其具有鼓風(fēng)機(jī)和蒸發(fā)器。本發(fā)明還涉及一種控制制冷模塊的方法,包括對(duì)蒸發(fā)器的線圈進(jìn)行除霜,以在線圈周圍形成一定體積的暖空氣。該方法包括在線圈除霜后使制冷劑循環(huán)通過蒸發(fā)器,以冷卻線圈。該方法包括以一系列脈沖運(yùn)行...
          • 一種用于藥用容器的加熱系統(tǒng)(10),該加熱系統(tǒng)包括加熱通道(11)、通向加熱通道(11)的入口站(12)、來自加熱通道(11)的出口站(13)以及用于藥用容器(100)的輸送裝置(21);該輸送裝置包括至少一個(gè)輸送支路(22)和至少一個(gè)返回...
          • 本公開涉及高精度角度測(cè)量系統(tǒng)。一種測(cè)量系統(tǒng)和制造方法可以包括:安裝在可旋轉(zhuǎn)軸上的磁體;第一磁感測(cè)裝置,用于檢測(cè)來自所述磁體的第一磁場(chǎng),所述裝置包括:被配置為檢測(cè)所述第一磁場(chǎng)方向的角度傳感器和被配置為測(cè)量所述第一磁場(chǎng)匝數(shù)的磁性多匝傳感器;和第...
          • 本發(fā)明涉及一種用于可釋放地保持樣品的樣品保持器末端(下文中稱為樣品末端),其中該樣品末端包括:托架,該托架包含鈹,具有用于可釋放地接收樣品的凹槽;和緩沖器,該緩沖器包含鋁。特別地,本發(fā)明涉及一種可在帶電粒子顯微鏡中使用的樣品末端。
          • 本發(fā)明提出一種具有基底和雙轉(zhuǎn)子的三軸轉(zhuǎn)速傳感器,雙轉(zhuǎn)子具有第一和第二轉(zhuǎn)子(1,2),兩個(gè)轉(zhuǎn)子經(jīng)由第一耦合元件(8)彈性地相互連接,使得兩個(gè)轉(zhuǎn)子(1,2)能被激勵(lì)產(chǎn)生反相旋轉(zhuǎn)振蕩,第一轉(zhuǎn)子(1)具有能相對(duì)于第一轉(zhuǎn)子(1)偏轉(zhuǎn)的第一和第二震動(dòng)質(zhì)...
          • 本發(fā)明涉及圖像處理裝置和發(fā)熱電阻器電路。提供了一種圖像處理裝置,包括:第一直流電源,所述第一直流電源被配置為輸出第一電壓;第二直流電源,所述第二直流電源被配置為輸出第二電壓,所述第二電壓高于所述第一電壓;電阻器電路部分,所述電阻器電路部分包...
          • 本發(fā)明涉及一種用于第一仿真組件和第二仿真組件的同步的軟件在環(huán)仿真的方法,第一仿真組件設(shè)置用于計(jì)算模塊,第二仿真組件設(shè)置用于加速器模塊,所述方法包括以下步驟:將第一仿真組件加載到具有計(jì)算模塊的計(jì)算集群上,并將第二仿真組件加載到具有加速器模塊的...
          • 本公開提供了用于促進(jìn)桌面到云應(yīng)用遷移的系統(tǒng)或技術(shù)。在各種實(shí)施方案中,系統(tǒng)可以訪問桌面應(yīng)用。在各種方面,系統(tǒng)可以基于生成將該桌面應(yīng)用作為外部數(shù)據(jù)模型的嵌套式模型?視圖?呈現(xiàn)器軟件架構(gòu)來在云計(jì)算環(huán)境中部署該桌面應(yīng)用。在各種情況下,該云計(jì)算環(huán)境可...
          • 本發(fā)明涉及實(shí)時(shí)庫(kù)存映射和已保存的搜索的通知。利用分層數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)來提供實(shí)時(shí)庫(kù)存映射和通知。接收來自用戶的指示對(duì)類別或賣家感興趣的行為數(shù)據(jù)。行為數(shù)據(jù)可以對(duì)應(yīng)于用戶保存包含一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵字的搜索,或?qū)?yīng)于用戶關(guān)注賣家。用戶與分層數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的興趣動(dòng)態(tài)...
          • 本公開涉及具有掃描引擎和NFC提升器線圈的移動(dòng)計(jì)算機(jī)。一種移動(dòng)條形碼讀取器可以包括具有定義的出射窗的殼體、掃描引擎、主NFC天線和輔NFC天線。掃描引擎可以被配置為讀取條形碼并且定位在殼體的前部部分內(nèi),掃描引擎具有一個(gè)或多個(gè)成像器,成像器具...
          • 本發(fā)明涉及為計(jì)算效率而重新參數(shù)化殘差網(wǎng)絡(luò)的設(shè)備和方法。一種重新參數(shù)化殘差網(wǎng)絡(luò)(M)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)方法(20),其中殘差網(wǎng)絡(luò)(M)是包括跳過殘差塊的殘差連接的預(yù)訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),該方法包括如下步驟:在第一數(shù)據(jù)集上評(píng)估(S22)殘差網(wǎng)絡(luò)(M)的基線性...
          • 本公開的實(shí)施例涉及用于規(guī)定性消息傳遞的方法和系統(tǒng)。描述了一種用于評(píng)估資產(chǎn)的運(yùn)行狀態(tài)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)和方法。資產(chǎn)是由狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)監(jiān)測(cè)的多個(gè)資產(chǎn)中的一個(gè)資產(chǎn)。狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)基于所監(jiān)測(cè)的資產(chǎn)的運(yùn)行狀態(tài)自動(dòng)發(fā)出警報(bào)消息。該方法使用經(jīng)訓(xùn)練的大型語(yǔ)言模型來...
          • 本公開涉及放射治療的圖像數(shù)據(jù)處理和靶結(jié)構(gòu)跟蹤。描述了用于靶結(jié)構(gòu)跟蹤的圖像數(shù)據(jù)處理的示例方法和系統(tǒng)。在一個(gè)示例中,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以獲得與需要放射治療的患者的靶結(jié)構(gòu)相關(guān)的處理圖像數(shù)據(jù)。可以在放射治療的處理階段使用成像系統(tǒng)獲取處理圖像數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)系...
          • 本發(fā)明公開了使用機(jī)器學(xué)習(xí)模型進(jìn)行語(yǔ)音音頻校正,具體公開了使用機(jī)器學(xué)習(xí)模型來校正語(yǔ)音音頻的系統(tǒng)和技術(shù)。該技術(shù)包括:將輸入音頻的第一轉(zhuǎn)錄與輸入音頻的第二轉(zhuǎn)錄進(jìn)行比較,以識(shí)別修改后的詞集,其中第二轉(zhuǎn)錄是第一轉(zhuǎn)錄的修改后的版本。該技術(shù)包括:基于修改...
          • 本公開的技術(shù)涉及電容器裝置領(lǐng)域。更具體地,公開了用于形成包括鉿鋯氧化物(HZO)層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括通過提供襯底并通過循環(huán)沉積過程在其上形成HZO層來制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步公開了用于形成鉿鋯氧化物層的系統(tǒng),以及包括HZO層的半導(dǎo)...
          • 一種方法包括:將包括多個(gè)區(qū)段的連續(xù)導(dǎo)線饋送到通道的第一端中,并且進(jìn)一步饋送穿過形成在焊接工具的超聲焊極中的通道直到連續(xù)導(dǎo)線的第一端從通道的與通道的第一端相對(duì)的第二端突出,所述多個(gè)區(qū)段被相繼布置以形成連續(xù)導(dǎo)線;通過超聲焊極將連續(xù)導(dǎo)線的第一端焊...
          • 本申請(qǐng)涉及一種冷卻塊,該冷卻塊包括具有流體導(dǎo)管的本體,流體導(dǎo)管用于使由通路限定的冷卻流體能夠循環(huán)。通路包括:縱向通路軸線;限定出通路的第一內(nèi)部側(cè)壁和第二內(nèi)部側(cè)壁,被布置在內(nèi)部側(cè)壁之間以用于使在通路內(nèi)流動(dòng)的冷卻流體偏轉(zhuǎn)的多個(gè)針狀件,每個(gè)針狀件...
          • 本公開涉及用于熱力工程電?光多芯片模塊的中介層。一種多芯片模塊從其底部到頂部包括襯底和設(shè)置在襯底上的中介層。中介層是不導(dǎo)電的并具有k<20W/(mK)的熱傳導(dǎo)率(k)。集成電路部件或芯片集合設(shè)置在中介層上。部件或芯片集合中的第一子集中...
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