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          • 本發(fā)明提供一種氣體分離裝置,其是從包含二氧化碳的混合氣體中分離出上述二氧化碳的氣體分離裝置,其具備:吸附塔,其填充有吸附二氧化碳的吸附劑;混合氣體供給管線,其將上述混合氣體導(dǎo)入至上述吸附塔內(nèi);二氧化碳回收管線,其從上述吸附塔取出二氧化碳;減...
          • 本發(fā)明公開一種切換裝置及其操作方法。切換裝置設(shè)置于主機(jī)板上,且主機(jī)板適于連接顯示卡。切換裝置包括控制模塊與切換模塊。控制模塊接收第一信號(hào)與第二信號(hào),并依據(jù)第一信號(hào)與第二信號(hào),產(chǎn)生第一控制信號(hào)與第二控制信號(hào)。切換模塊連接第一接腳、第二接腳、第...
          • 本發(fā)明提供通過細(xì)徑的磁導(dǎo)線也能夠容易且穩(wěn)定地將匯流條單元固定于定子的馬達(dá)。構(gòu)成馬達(dá)的定子(21)的絕緣體(27)具備:多個(gè)槽(31),形成于外表面且沿著軸向延伸;以及多個(gè)凹部,匯流條單元(26)具備:多個(gè)定位部(47),進(jìn)入絕緣體(27)的...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體制造用光掩模以及光掩模圖案形成方法,半導(dǎo)體制造用光掩模包括多個(gè)第一區(qū)塊與多個(gè)第二區(qū)塊。第一區(qū)塊的線寬(width)與間隔(space)落在一設(shè)定范圍以外,第二區(qū)塊在一方向上的線寬與間隔組合落在所述設(shè)定范圍內(nèi)。在每個(gè)第二區(qū)...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括中介層。中介層包括基底、重布線層、第一集成被動(dòng)元件與第二集成被動(dòng)元件。重布線層位于基底上。第一集成被動(dòng)元件位于基底中。第二集成被動(dòng)元件位于重布線層中。
          • 本發(fā)明公開一種防碰撞系統(tǒng)和防碰撞方法。方法包含:通過雷達(dá)偵測(cè)第一偵測(cè)區(qū)域和第二偵測(cè)區(qū)域以產(chǎn)生目標(biāo)物件的偵測(cè)結(jié)果,其中第二偵測(cè)區(qū)域包含第一偵測(cè)區(qū)域且大于第一偵測(cè)區(qū)域;根據(jù)偵測(cè)結(jié)果判斷目標(biāo)物件是否入侵第一偵測(cè)區(qū)域或第二偵測(cè)區(qū)域;響應(yīng)于判斷目標(biāo)物...
          • 本申請(qǐng)公開一種高空軌道狀態(tài)的偵測(cè)方法、處理裝置及搬運(yùn)系統(tǒng)。高空軌道狀態(tài)的偵測(cè)方法能被處理裝置執(zhí)行。高空軌道偵測(cè)方法包含先重復(fù)執(zhí)行收集步驟,再執(zhí)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換步驟、統(tǒng)計(jì)步驟及判斷步驟。收集步驟是收集各臺(tái)搬運(yùn)車于各段軌道的運(yùn)行信息。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換步驟是將...
          • 本發(fā)明涉及一種用于增壓設(shè)備(1)的渦輪機(jī)單元(10),該渦輪機(jī)單元包括支承殼體(30)和渦輪機(jī)殼體(20),該渦輪機(jī)殼體藉由凸緣連接(100)與支承殼體(30)相聯(lián)接。凸緣連接(100)包括渦輪機(jī)殼體側(cè)凸緣(110)和支承殼體側(cè)凸緣(120...
          • 一種安全氣囊(1),該安全氣囊包括相對(duì)的第一側(cè)面板和第二側(cè)面板(2,3),該第一側(cè)面板和該第二側(cè)面板在主接縫(4)處連結(jié)在一起,其中:第一側(cè)向接縫(22,23)與該主接縫會(huì)合并遠(yuǎn)離該主接縫延伸,終止于自由端,其中該第一側(cè)向接縫由形成在該第一...
          • 本發(fā)明公開了本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:仿生手系統(tǒng),包括:手部組織獲取模塊,用于對(duì)手部的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行獲取,得到內(nèi)部數(shù)據(jù);本發(fā)明通過對(duì)人體手部的外部及內(nèi)部的結(jié)構(gòu)特征以及形態(tài)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取,并且依據(jù)獲取數(shù)據(jù)進(jìn)行手骨模型的打印制造,再通過控制驅(qū)動(dòng)的...
          • 本公開提供一種浮點(diǎn)數(shù)的處理方法與裝置、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法與浮點(diǎn)數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)轉(zhuǎn)換方法。獲取一自定義浮點(diǎn)數(shù),該自定義浮點(diǎn)數(shù)包括一符號(hào)域與一指數(shù)域,其中,該自定義浮點(diǎn)數(shù)的一數(shù)值決定于該符號(hào)域、該指數(shù)域、一基底值與一偏差值,該基底值不為整數(shù),且該基底值大...
          • 本發(fā)明涉及解碼器電路及使用于解碼器電路的解碼方法。該解碼方法包括:提供通道值存儲(chǔ)器接收并儲(chǔ)存輸入數(shù)據(jù)作為通道值;提供符號(hào)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存符號(hào)值;提供梯度下降位元存儲(chǔ)器儲(chǔ)存該通道值的差異資訊;提供變數(shù)節(jié)點(diǎn)單元根據(jù)該通道值產(chǎn)生第一輸出值與第二輸出值;...
          • 本公開提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其制造方法。存儲(chǔ)器裝置包括陣列區(qū)域、階梯區(qū)域、在陣列區(qū)域與階梯區(qū)域中的參考結(jié)構(gòu)、在陣列區(qū)域與階梯區(qū)域中的堆疊結(jié)構(gòu)以及從陣列區(qū)域沿著一方向延伸到階梯區(qū)域的壁結(jié)構(gòu)。參考結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與在階梯區(qū)域中嵌設(shè)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)的...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法,半導(dǎo)體元件包含一金屬柵極設(shè)于基底上、一間隙壁設(shè)于金屬柵極旁、一層間介電層環(huán)繞金屬柵極、一第一氣孔設(shè)于該金屬柵極一側(cè)并設(shè)于該間隙壁以及該金屬柵極之間以及一第二氣孔設(shè)于該金屬柵極另一側(cè)并設(shè)于該間隙壁以及該金...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其制作方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基底,基底上定義有一第一中高壓元件區(qū)與一低壓元件區(qū)彼此相鄰,第一中高壓元件區(qū)內(nèi)包含有第一柵極接觸以及一第一源/漏極接觸,低壓元件區(qū)內(nèi)包含有兩第二源/漏極接觸以及一第二柵極接觸,其中第二...
          • 本發(fā)明公開一種嵌入式高壓半導(dǎo)體元件及其制造方法,嵌入式高壓半導(dǎo)體元件包含基底,具有低壓元件區(qū)及高壓元件區(qū);ILD層,設(shè)于基底上;第一互連金屬層,位于低壓元件區(qū)內(nèi)的ILD層上;第一IMD層,位于ILD層和第一互連金屬層之間;第二互連金屬層,位...
          • 本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件,其主要包含一金屬柵極設(shè)于一基底上、一層間介電層環(huán)繞該金屬柵極以及一凹槽設(shè)于層間介電層以及金屬柵極之間,其中金屬柵極包含一高介電常數(shù)介電層設(shè)于該基底上、一功函數(shù)金屬層設(shè)于高介電常數(shù)介電層上以及一低阻抗金屬層設(shè)于功函數(shù)...
          • 本發(fā)明涉及一種新型結(jié)構(gòu)的正極活性材料前體及其制備方法,其中所述正極活性材料前體所包含的復(fù)合過渡金屬氫氧化物含有:包含第1一次顆粒的核部分;以及在所述核部分上形成并包含第2一次顆粒的殼部分,其中,在所述正極活性材料前體的截面中,所述第2一次顆...
          • 本發(fā)明公開一種感應(yīng)式方向盤及其制造方法。感應(yīng)式方向盤包括方向盤握把及感應(yīng)電路層。感應(yīng)電路層包括彈性基底層、彈性感應(yīng)圖樣層及第一絕緣保護(hù)層。彈性基底層具有相對(duì)的第一表面及第二表面。彈性感應(yīng)圖樣層設(shè)置在第一表面上,彈性感應(yīng)圖樣層以可延展導(dǎo)電材料...
          • 本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),可應(yīng)用于三維AND閃存元件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底、介電結(jié)構(gòu)、第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)與第一密封通孔。基底包括元件區(qū)。介電結(jié)構(gòu)位于基底上。第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)位于介電結(jié)構(gòu)中。第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞元件區(qū)。第一密封通孔位于介電結(jié)構(gòu)中。第一密...
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