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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開了一種預(yù)測地下儲(chǔ)氣庫注氣儲(chǔ)層溫度分布的半解析方法，包括：建立地下儲(chǔ)氣庫的蓋層傳熱模型，結(jié)合初始條件進(jìn)行拉普拉斯變換，并根據(jù)內(nèi)、外邊界條件計(jì)算蓋層與儲(chǔ)層的交界面處溫度；在恒定注氣質(zhì)量流量下，結(jié)合流體的對流傳熱與節(jié)流效應(yīng)、蓋層傳熱、儲(chǔ)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種固溶元素在增材制造鎳基高溫合金中強(qiáng)化作用的評價(jià)方法，屬于高溫合金增材制造技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：步驟1)通過增材制造分別制備第一高溫合金、第二高溫合金至第N高溫合金；第一高溫合金中不含固溶元素，第二高溫合金至第N高溫合金中均含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于超高場磁共振的人工電磁材料的參數(shù)確定方法及裝置，本發(fā)明改進(jìn)了現(xiàn)有的人工電磁材料的設(shè)計(jì)方法，在原來設(shè)置周期邊界條件，并獲得散射系數(shù)計(jì)算人工電磁材料等效介電常數(shù)的基礎(chǔ)之上，再通過利用微帶線諧振法來精確調(diào)整人工電磁材料在感應(yīng)近...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N病歷數(shù)據(jù)提取腳本生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備以及介質(zhì)，涉及醫(yī)療信息化技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：從三方醫(yī)療業(yè)務(wù)系統(tǒng)中病歷數(shù)據(jù)接口的接口文檔中提取三方醫(yī)療業(yè)務(wù)系統(tǒng)中的多個(gè)三方病歷字段的信息，根據(jù)各三方病歷字段的標(biāo)識(shí)信息，確定目標(biāo)醫(yī)療業(yè)務(wù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種血流動(dòng)力學(xué)參數(shù)結(jié)果的預(yù)測方法和計(jì)算機(jī)設(shè)備，該方法包括：獲取檢測對象的目標(biāo)血管的術(shù)前三維模型，以及目標(biāo)血管的入口血壓和出口血壓；目標(biāo)血管的至少部分區(qū)域存在狹窄；根據(jù)目標(biāo)血管的術(shù)前三維模型、入口血壓和出口血壓，確定目標(biāo)血管的出口血...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種三維連續(xù)彈性導(dǎo)體及其制備方法，所述三維連續(xù)彈性導(dǎo)體至少包含三維多孔彈性材料、納米線導(dǎo)電介質(zhì)。其中所述的三維多孔彈性材料，其孔洞至少包含一級孔洞和二級孔洞，一級孔洞骨架上包含一個(gè)或多個(gè)二級孔洞。所述納米線導(dǎo)電介質(zhì)在三維多孔彈性材...
								
            
							
            
							
						
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								      為克服現(xiàn)有的導(dǎo)電銀漿難以滿足低阻抗和低體積要求的問題，本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電銀漿，包括銀粉、第一溶劑和丙烯酸改性含氟環(huán)氧樹脂，所述丙烯酸改性含氟環(huán)氧樹脂含有環(huán)氧基團(tuán)、丙烯酰氧丙基和氟代烷基結(jié)構(gòu)。同時(shí)，本發(fā)明還公開了上述導(dǎo)電銀漿的制備方法以及采...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種大容量高頻變壓器，其中第一C型磁芯和第二C型磁芯上下對稱設(shè)置形成口字型芯體，第一線圈組包括一次繞組A和二次繞組A，第二線圈組包括一次繞組B和二次繞組B，一次繞組A、二次繞組A、一次繞組B和二次繞組B均為空心電磁線繞制而成，并且...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的一種多功能一體按鍵結(jié)構(gòu)，按鍵包括一個(gè)透光上面板，所述的透光上面板的下側(cè)面中并列設(shè)置有一個(gè)第一膜片和至少一個(gè)第二膜片，所述的第一膜片和任意一個(gè)所述的第二膜片中各自設(shè)置有圖案，第一膜片中的圖案由一層第一透光油墨涂覆形成，所述的第一透光油...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于隔離開關(guān)的操作機(jī)構(gòu)，包括：第一外殼、第二外殼、第三外殼、手柄接口、齒輪、第一滑塊、第二滑塊、第一軸、側(cè)板、第二軸、推桿、彈簧、凸接口、凹接口；第一外殼、第二外殼連接；手柄接口設(shè)于第一外殼、第二外殼上方；手柄接口與齒輪連接，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于質(zhì)譜電離領(lǐng)域，具體涉及一種光致彭寧電離質(zhì)譜方法。用光電效應(yīng)產(chǎn)生的光電子在電場中加速獲得足夠能量，將基態(tài)的氦He、氖Ne、氬Ar激發(fā)至亞穩(wěn)態(tài)，這些中性原子的亞穩(wěn)態(tài)的能量高于10.6eV(He激發(fā)能20.62和19.82eV；Ne激發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種傳輸腔室、半導(dǎo)體工藝設(shè)備以及晶片傳輸方法。其中，傳輸腔室包括：傳輸腔體、設(shè)置在傳輸腔體中的晶片傳輸裝置以及勻氣盤。勻氣盤環(huán)繞晶片傳輸裝置的驅(qū)動(dòng)部設(shè)置，其內(nèi)部具有與外部保護(hù)氣源連通的氣體流道，且氣體流道具有多個(gè)設(shè)置在勻氣盤表面的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底；多層介質(zhì)層，沿縱向依次堆疊于基底上；應(yīng)力緩沖層，位于任一層或多層介質(zhì)層中，應(yīng)力緩沖層包括在橫向上相間隔的多個(gè)子緩沖層。本發(fā)明有利于提升器件良率和工藝穩(wěn)定性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底、以及凸于襯底的溝道結(jié)構(gòu)；隔離層，位于襯底上、且覆蓋溝道結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁，溝道結(jié)構(gòu)凸于隔離層；預(yù)埋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，沿垂直于溝道結(jié)構(gòu)的延伸方向位于相鄰溝道結(jié)構(gòu)之間的隔離層中、且凸于隔離層，預(yù)埋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種中介層裝置，用以提供兩個(gè)晶片之間的多個(gè)通信信號傳遞，包含多個(gè)線路層。多個(gè)線路層電性連接于兩個(gè)晶片之間且沿著垂直方向設(shè)置，多個(gè)線路層各自以彼此相反的第一或第二方向作為信號傳遞方向傳遞通信信號。第一及第二方向相異于垂直方向。多個(gè)線路層各自包...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)及方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底上形成有介質(zhì)層；金屬層，位于部分厚度的介質(zhì)層中，介質(zhì)層露出金屬層頂面，金屬層包括第一金屬層、以及覆蓋第一金屬層的第二金屬層；應(yīng)力阻隔結(jié)構(gòu)，凸立于第一金屬層，應(yīng)力阻隔結(jié)構(gòu)將...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于鋅離子水系電池的負(fù)極極片及其制備方法，負(fù)極極片包括：鋅箔，附著于鋅箔的表面的多功能篩涂層，以及附著于多功能篩涂層的表面的固態(tài)電解質(zhì)層；多功能篩涂層包括：金屬氧化物、硬脂酸、第一導(dǎo)電劑和第一粘結(jié)劑；固態(tài)電解質(zhì)層包括：固態(tài)電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電池材料領(lǐng)域，公開了及正極活性材料、正極片及其制備方法和電池。正極活性材料，包括：復(fù)合硫酸亞鐵鈉和P2相層狀氧化物；復(fù)合硫酸亞鐵鈉包括硫酸亞鐵鈉內(nèi)核和木質(zhì)素磺酸鈉包覆層；硫酸亞鐵鈉內(nèi)核、P2相層狀氧化物以及木質(zhì)素磺酸鈉包覆層在正極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種單壁碳納米管硅碳復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用，屬于新能源領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域，所述單壁碳納米管復(fù)合材料包括硅顆粒、碳?xì)印伪谔技{米管包裹層；所述單壁碳納米管復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)單元具有如下結(jié)構(gòu)通式：Si@C@SWCNT；其中，Si表示...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種陰極催化層及其制備方法和膜電極，涉及燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開的陰極催化層的材料包含催化劑、離聚物和具有磺酸基的多孔顆粒，陰極催化層包括層疊設(shè)置的N層催化層，所述N層催化層中均含有催化劑，由所述陰極催化層面向質(zhì)子交換膜到面...
								
            
							
            
							
						
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