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          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓冷卻方法、刻蝕方法、工藝設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該晶圓冷卻方法應(yīng)用于冷卻裝置,晶圓的上表面沉積有金屬薄膜,金屬薄膜的材料為包括第一金屬和第二金屬的合金材料,且第一金屬的含量大于第二金屬的含量;該晶圓冷卻方法包括:根據(jù)金...
          • 本公開實(shí)施例提供了一種用于晶圓傳輸平臺(tái)的晶圓定位方法、電子設(shè)備和工藝設(shè)備。該晶圓定位方法包括:獲取晶圓在晶圓傳輸平臺(tái)內(nèi)的第一圖像;獲取晶圓的圖像特征;根據(jù)圖像特征在第一圖像上對(duì)晶圓進(jìn)行初始定位,獲得初始定位信息;基于初始定位信息,采用粒子濾...
          • 本公開提供了一種靜電卡盤、反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體處理設(shè)備,所述靜電卡盤包括:殼體,所述殼體包括第一晶圓承載面和與所述第一晶圓承載面相交的至少一個(gè)第二晶圓承載面;位于所述殼體中的第一吸附電極和至少一個(gè)第二吸附電極;所述第一吸附電極對(duì)應(yīng)于所述第一晶圓...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一組合結(jié)構(gòu),第一組合結(jié)構(gòu)包括襯底、多個(gè)第一芯片和第二導(dǎo)電互聯(lián)結(jié)構(gòu),其中,所述襯底包括多個(gè)第一區(qū)域和一個(gè)第二區(qū)域,多個(gè)所述第一芯片分別設(shè)置在所述襯底朝向第一方向的一側(cè),并分別與所述襯底在所...
          • 本公開提供了一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及其制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,旨在改善連接線對(duì)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生干擾的問題。本公開提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括封裝基板、轉(zhuǎn)接板、多個(gè)測(cè)試芯片和信號(hào)線。其中,多個(gè)測(cè)試芯片在封裝基板的一側(cè)層疊設(shè)置。多個(gè)測(cè)試芯片中包括目標(biāo)...
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,方法包括:提供襯底和位于襯底上的襯墊層;在襯墊層上形成復(fù)合結(jié)構(gòu)層和位于復(fù)合結(jié)構(gòu)層內(nèi)的第一凹槽,第一凹槽暴露出襯墊層表面,復(fù)合結(jié)構(gòu)層包括若干層第一層和若干層第二層,第二層位于相鄰的第一層之間;去除第一凹槽暴露出的部...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鈉離子電池正極極片以及鈉離子電池,該正極極片包括正極集流體和設(shè)置在所述正極集流體的至少一個(gè)表面上的正極膜層,所述正極膜層包括正極活性材料、第一添加劑以及第二添加劑,所述第一添加劑為硼酸、偏硼酸、硼酸鹽中的至少一種,所述第二添加...
          • 本申請(qǐng)涉及正極活性材料及其制備方法、二次電池和裝置。該所述正極活性材料的化學(xué)式為L(zhǎng)iaNibCocMndAleAf
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N負(fù)極材料及其制成的產(chǎn)品、負(fù)極漿料及制備方法。一種負(fù)極材料,其包括活性物質(zhì)、含氟有機(jī)納米顆粒和浸潤(rùn)劑;所述浸潤(rùn)劑包括具有式(一)結(jié)構(gòu)的共聚物: 2025-09-20
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N雙離子電池和用電裝置。雙離子電池包括電解液和正極極片,電解液包含四氟硼酸鋰,所述正極極片包括人造石墨正極活性材料,所述人造石墨正極活性材料的石墨化度為70%?90%。該雙離子電池具有優(yōu)異的循環(huán)性能,長(zhǎng)的使用壽命。
          • 本申請(qǐng)公開了補(bǔ)鋰劑及其制備方法、正極極片、電池和用電裝置,所述補(bǔ)鋰劑為多孔結(jié)構(gòu),所述補(bǔ)鋰劑包括內(nèi)核、催化劑和導(dǎo)電劑,所述內(nèi)核包括有機(jī)補(bǔ)鋰劑;所述催化劑包括過渡金屬氧化物、過渡金屬碳化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬磷化物中的至少...
          • 本發(fā)明提供一種電池蓋板結(jié)構(gòu)及電池,涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,該蓋板結(jié)構(gòu)包括:蓋板主體;兩連接片,間隔設(shè)置在蓋板主體的底部,兩連接片分別用于與電池的電芯主體的正極耳和負(fù)極耳連接;正極柱和負(fù)極柱,間隔設(shè)置在蓋板主體內(nèi),正極柱和負(fù)極柱分別與兩連接片連接;...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種介質(zhì)濾波器單元、介質(zhì)濾波器及通信設(shè)備。該介質(zhì)濾波器單元包括:兩個(gè)連接為一體的介質(zhì)諧振腔、設(shè)置于兩個(gè)介質(zhì)諧振腔連接區(qū)域的耦合部件;其中,每個(gè)所述介質(zhì)諧振腔上設(shè)有由表面向內(nèi)凹陷的第一盲孔,所述兩個(gè)介質(zhì)諧振腔連接區(qū)域上設(shè)有由...
          • 一種天線結(jié)構(gòu)和藍(lán)牙天線。天線結(jié)構(gòu)包括:主要輻射部、第一接地元件、第二接地元件、載體元件、金屬腔體、第一電容器,及第二電容器;第一接地元件包括第一連接區(qū)段、第一突出區(qū)段,及第二突出區(qū)段;第二接地元件包括第二連接區(qū)段、第三突出區(qū)段,及第四突出區(qū)...
          • 本發(fā)明公開一種電連接結(jié)構(gòu)、下電極組件和工藝腔室,所公開的電連接結(jié)構(gòu)用于晶圓承載裝置,所述電連接結(jié)構(gòu)包括絕緣基部和導(dǎo)電部,其中:所述導(dǎo)電部用于向所述晶圓承載裝置供電,導(dǎo)電部包括順序連接的第一剛性導(dǎo)電件、可形變導(dǎo)電件和第二剛性導(dǎo)電件,所述第一剛...
          • 本申請(qǐng)公開了一種電源線總成和電機(jī),電源線總成包括絕緣保護(hù)殼、第一連接端子和電源線,絕緣保護(hù)殼設(shè)有容置腔和與容置腔連通的端子槽,第一連接端子設(shè)于端子槽,且適于和電機(jī)的插針插接連接,電源線的一端和第一連接端子連接,且電源線自第一連接端子穿過容置...
          • 本申請(qǐng)涉及電子設(shè)備檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種服務(wù)器插拔裝置、服務(wù)器測(cè)試系統(tǒng)及服務(wù)器測(cè)試方法。服務(wù)器插拔裝置包括固定架、驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)和連接器;驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)設(shè)置于固定架,固定架位于服務(wù)器的外側(cè),驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)能夠相對(duì)于固定架沿第一方向移動(dòng),連接器的一端與驅(qū)動(dòng)...
          • 本申請(qǐng)公開一種用于無人機(jī)的電連接組件及無人機(jī)。用于無人機(jī)的電連接組件包括:機(jī)身接口,設(shè)置于無人機(jī)的機(jī)身,機(jī)身接口具有第一表面,機(jī)身接口包括設(shè)置于第一表面的第一配合部;至少一個(gè)可拆卸接口,每個(gè)可拆卸接口能夠與無人機(jī)的對(duì)應(yīng)功能模塊電連接,每個(gè)可...
          • 本申請(qǐng)屬于電池設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高壓盒的外殼結(jié)構(gòu)、高壓盒、電池及用電設(shè)備。其中,外殼結(jié)構(gòu)包括:絕緣外殼,形成有用于安裝電氣器件的內(nèi)腔,絕緣外殼設(shè)有裝配側(cè)壁;連接器,安裝于裝配側(cè)壁背離內(nèi)腔的外側(cè),連接器設(shè)有連接端子和屏蔽層,屏蔽層圍繞...
          • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種半導(dǎo)體激光器疊陣,包括激光芯片模組、散熱模組、柔性導(dǎo)熱絕緣層以及彈性緊固模組,其中,所述柔性導(dǎo)熱絕緣層設(shè)置于所述激光芯片模組和所述散熱模組之間,用于對(duì)所述激光芯片模組進(jìn)行散熱和絕緣;所述彈性緊固模組...
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