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          • 本發(fā)明公開了一種富含高活性有益菌的功能性發(fā)酵乳粉及其制備方法,涉及食品加工技術(shù)領(lǐng)域,包括如下步驟:步驟S1、原料標(biāo)準(zhǔn)化;步驟S2、配料、均質(zhì);步驟S3、濃縮、殺菌、冷卻;步驟S4、接種菌種、初發(fā)酵熟成;步驟S5、降溫冷卻、二次發(fā)酵;步驟S6...
          • 本發(fā)明涉及乳制品加工領(lǐng)域,尤其涉及一種乳制品無(wú)損有序解析方法,通過脂肪分離、離子交換層析、微濾膜分離等工藝,將生牛乳依次分離為稀奶油和脫脂乳,并逐步提取乳鐵蛋白、乳過氧化物酶、酪蛋白、乳清蛋白等高附加值成分,同時(shí)聯(lián)產(chǎn)馬斯卡彭奶酪、殺菌稀奶油...
          • 本發(fā)明提供了一種養(yǎng)殖場(chǎng)空氣冷卻用熱交換器,包括箱體,所述箱體上表面連接有出氣管,所述出氣管上設(shè)置有換熱件,所述箱體內(nèi)底部設(shè)置有進(jìn)氣斗,所述進(jìn)氣斗與養(yǎng)殖場(chǎng)的出氣端連接設(shè)置,所述出氣管與養(yǎng)殖場(chǎng)的進(jìn)氣端連接設(shè)置,所述進(jìn)氣斗的出氣端上設(shè)置有第一循環(huán)...
          • 本發(fā)明公開了一種高寒高海拔礦區(qū)生態(tài)修復(fù)土基質(zhì)和應(yīng)用,包括原土、纖維、動(dòng)物糞便、保水劑、粘結(jié)劑、緩釋肥,還包括改良劑,所述改良劑包括質(zhì)量比為(1~3):(1~3):(1~3):(1~3)的假單胞菌屬、芽孢桿菌屬、伯克霍爾德氏菌屬、固氮桿菌屬。...
          • 本發(fā)明提出一種基于廊道構(gòu)建的濕地旗艦物種棲息地修復(fù)方法。屬于濕地生態(tài)工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述方法具體包括:一、修復(fù)區(qū)域選址與對(duì)比性本底調(diào)查;二、河床梯級(jí)改造與局地微地貌營(yíng)建;三、應(yīng)季水文調(diào)控與植被定向組配;四、食源生物配給與仿生巢址營(yíng)造;五...
          • 本發(fā)明公開了農(nóng)業(yè)用大棚定時(shí)噴灑裝置,涉及農(nóng)業(yè)大棚噴灑技術(shù)領(lǐng)域,包括大棚主體,大棚主體靠近內(nèi)棚頂?shù)奈恢霉潭ò惭b有儲(chǔ)水箱體,儲(chǔ)水箱體的出水端固定連接有出水管,出水管的下端固定連接有加熱管,加熱管的一側(cè)固定安裝有溫控器,加熱管的下端固定連接有伸縮...
          • 本發(fā)明涉及水肥智能化管理技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種智能化水肥管理方法及操作系統(tǒng),所述方法包括獲取水肥管理區(qū)域的區(qū)域參數(shù),根據(jù)區(qū)域參數(shù)確定采樣點(diǎn)位及其運(yùn)動(dòng)軌跡;根據(jù)安裝在采樣點(diǎn)位處的傳感器實(shí)時(shí)獲取環(huán)境數(shù)據(jù),根據(jù)所述環(huán)境數(shù)據(jù)確定水肥管理區(qū)域在各時(shí)...
          • 本發(fā)明公開的一種有機(jī)肥條施旋耕集成化設(shè)備,屬于農(nóng)業(yè)機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域,所述糞肥處理裝置包括安裝箱,所述安裝箱設(shè)于安裝板上壁上,所述安裝箱上壁安裝有驅(qū)動(dòng)組件和糞肥破碎組件,所述糞肥破碎組件設(shè)于驅(qū)動(dòng)組件的下端,所述安裝箱內(nèi)安裝有處理組件,所述處理組件...
          • 一種園林綠化土壤的調(diào)控方法及系統(tǒng),涉及園林土壤檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。響應(yīng)于用戶的調(diào)控請(qǐng)求確定檢測(cè)區(qū)域;獲取檢測(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的目標(biāo)材料;獲取檢測(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的目標(biāo)酸堿度,根據(jù)目標(biāo)酸堿度和目標(biāo)材料確定第一調(diào)節(jié)措施,并按照第一調(diào)節(jié)措施對(duì)檢測(cè)區(qū)域進(jìn)行處理;當(dāng)檢測(cè)區(qū)...
          • 本發(fā)明屬于農(nóng)業(yè)機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域,具體的說是一種鹽堿地治理用土壤疏松結(jié)構(gòu),包括:安裝架;疏松機(jī)構(gòu),所述疏松機(jī)構(gòu)設(shè)置在安裝架的相對(duì)側(cè);噴灑機(jī)構(gòu),所述噴灑機(jī)構(gòu)安裝在疏松機(jī)構(gòu)的頂部,所述噴灑機(jī)構(gòu)的外壁安裝有防塵機(jī)構(gòu),本發(fā)明通過設(shè)置疏松機(jī)構(gòu),使土壤破碎,...
          • 本發(fā)明公開了一種具有柱狀?yuàn)A層結(jié)構(gòu)的柔性磁電傳感器及其制備方法,屬于微米功能材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的柔性磁電傳感器包括壓電層、鐵磁層以及位于所述壓電層和鐵磁層之間的柱狀?yuàn)A層;柱狀?yuàn)A層為具有第一表面和第二表面的環(huán)氧樹脂薄膜,第一表面上具有若干陣列...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环NOLED芯片的晶圓級(jí)封裝方法和封裝結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該OLED芯片的晶圓級(jí)封裝方法包括提供透光蓋板和晶圓;其中,晶圓上設(shè)有多個(gè)發(fā)光區(qū),發(fā)光區(qū)的外周設(shè)有電極,電極和發(fā)光區(qū)之間有預(yù)設(shè)間隔。在透光蓋板的一側(cè)形成多個(gè)凹槽...
          • 本發(fā)明公開了一種太陽(yáng)能電池及其制造方法、光伏組件,涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,用于提高非晶硅層對(duì)半導(dǎo)體基底的鈍化效果,利于提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。所述太陽(yáng)能電池包括:半導(dǎo)體基底和非晶硅層。半導(dǎo)體基底包括第一絨面形貌區(qū)。非晶硅層設(shè)置于第一絨面形貌區(qū)上...
          • 本發(fā)明公開了一種太陽(yáng)能電池及其制造方法、光伏組件,涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,用于降低半導(dǎo)體基底表面和表面鈍化層被刮傷的風(fēng)險(xiǎn),有利于提高表面鈍化層對(duì)半導(dǎo)體基底的鈍化效果,進(jìn)而利于提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。所述太陽(yáng)能電池包括:半導(dǎo)體基底和表面鈍化層。半...
          • 本發(fā)明公開了一種光伏組件端部導(dǎo)線折疊方法、裝置及光伏組件制備裝置,涉及光伏組件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:抵壓延伸出電池串端部的焊帶表面的預(yù)設(shè)折彎點(diǎn),預(yù)設(shè)折彎點(diǎn)一側(cè)的導(dǎo)線為導(dǎo)線預(yù)彎部;驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線預(yù)彎部沿著折彎點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)并折疊至電池片的第一面上,通過...
          • 本發(fā)明公開了一種光伏組件制備方法及設(shè)備,涉及光伏組件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:將若干的電池串矩陣排布為電池串組,在至少位于光伏組件一端的電池串的端部的背面鋪設(shè)絕緣膜條;將延伸出電池串端部的若干導(dǎo)線沿折彎點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)翻折至電池片背面,形成導(dǎo)線折彎部...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N二維NbMoO6紫外探測(cè)器及其應(yīng)用,所述紫外探測(cè)器包括襯底、NbMoO6納米片和兩個(gè)金屬電極,所述兩個(gè)金屬電極位于所述NbMoO6納米片的兩側(cè),NbMoO
          • 本發(fā)明提供了一種低紫外衰減TOPCon背接觸太陽(yáng)能電池及制備方法。該電池包括背面結(jié)構(gòu)和正面結(jié)構(gòu),背面結(jié)構(gòu)包括電極層,正面結(jié)構(gòu)包括單晶硅基底和與單晶硅基底接觸的寬禁帶半導(dǎo)體膜層,寬禁帶半導(dǎo)體膜層和單晶硅基底形成異質(zhì)結(jié);寬禁帶半導(dǎo)體膜層的帶隙寬...
          • 本發(fā)明提供了一種低紫外衰減晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法。該太陽(yáng)能電池包括依次設(shè)置的受光面層、寬禁帶半導(dǎo)體膜層、非晶硅層和硅基體,所述寬禁帶半導(dǎo)體膜層和所述非晶硅層形成異質(zhì)結(jié);所述寬禁帶半導(dǎo)體膜層的帶隙寬度大于3eV且厚度為5nm?20n...
          • 本發(fā)明涉及MOS半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,且公開了具有改進(jìn)柵極氧化層可靠性的碳化硅SiCMOSFET器件,所述碳化硅SiCMOSFET器件由若干個(gè)相互并列的MOS元胞組成,所述MOS元胞包括漏極、半導(dǎo)體外延層、柵極、柵氧化層、源極,所述半導(dǎo)體外延層包...
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