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								      本申請實施例提供了存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統，其中，存儲器裝置包括：存儲單元陣列以及與存儲單元陣列耦接的外圍電路；其中，存儲單元陣列包括N個存儲面，N為大于1的正整數；外圍電路包括對應N個存儲面的N個處理器，每個處理器均配置有對應的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種存儲器、存儲系統及電子設備，涉及存儲技術領域。該存儲器包括N個存儲庫，以及耦合于N個存儲庫的譯碼器，N為大于1的整數，譯碼器用于對輸入的行地址進行譯碼，得到第一譯碼結果，第一譯碼結果用于指示N個存儲庫中的任意一個存儲庫...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲器及存儲器系統，涉及半導體芯片技術領域。存儲器包括穩壓電路，穩壓電路包括第一分壓電路，第一分壓電路的第一端用于輸入第一電壓，第一分壓電路的第二端與接地端耦接，第一分壓電路被配置為根據第一電壓向第二分壓電路提供調整電壓，第...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及用于在存儲器中執行讀取操作的方法和器件。在一個示例中，一種用于操作存儲器器件的方法包括：基于至少一個電壓或至少一個發展時間來對所述存儲器器件的存儲器單元執行感測操作。所述存儲器單元耦合到字線。所述方法還包括基于所述感測操作的結果，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種蛋白質片段(peptide)?主要組織兼容性復合體(MHC)的鍵結預測方法與裝置。其中，peptide?MHC的鍵結預測方法包括以下步驟。獲得一peptide序列及一MHC序列。依據peptide序列及MHC序列，以至少一蛋白...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種優化捕獲探針設計的方法。具體而言，提供了通過分析單根探針、探針組合以及投入池的核酸序列特征，預測液相雜捕場景下單根探針及探針組合中靶率的方法，能夠加速產品設計，有效提高液相雜捕高通量測序基因檢測產品的實際中靶率，降低產品的設計...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種不同溫度和壓力下多介質組分變化規律的確定方法及系統，涉及稠油開采技術領域，所述方法包括：依據建立的井口、井底熱力學焓值三角圖版確定井口?井底焓值差熱力學三角圖版；依據建立的井口、井底體積膨脹系數三角圖版確定井口?井底稠油體積...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種頁巖儲層含水飽和度檢測方法、裝置、設備以及介質。該方法包括：確定目標富有機質頁巖對應的目標解釋結果信息；確定目標富有機質頁巖對應采用的目標檢測模型，目標檢測模型能用于描述孔隙度、所有導電物質體積分數、所有導電物質的等效電阻率...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種運動管理系統及其運動指導系統。運動管理系統提供專業人員建立各種運動項目，其包括運動項目影片與初始動作規則、目標動作規則、動作次數規則、執行周期等設定。專業人員并可進一步設定對應的語音指導內容，讓使用者在執行運動項目過程中，可實...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例公開了體檢服務數據處理方法和裝置。該方法的具體實施方式包括：將體檢結果中的異常指標輸入預先訓練的醫療知識模型，輸出檢后建議信息供醫生診斷參考；根據醫生對所述檢后建議信息的修改操作，生成總檢建議信息；根據體檢結果中的各項指標進行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種改善晶圓邊緣高度差的方法及半導體器件，所述方法包括在深溝道隔離工藝進行前執行以下步驟：S1、在晶圓上沉積電容氧化層；S2、進行黃光蝕刻并去掉晶背；S3、通過爐管在所述電容氧化層外部沉積局部氧化層；S4、在所述局部氧化層上方沉...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種金屬膜層的刻蝕方法，包括：通過第一種刻蝕氣體自上向下依次對各金屬膜層進行刻蝕，直至刻蝕到最下方的金屬膜層時停止刻蝕；使用第二種刻蝕氣體將最下方的金屬膜層干法刻蝕一部分后停止刻蝕；使用常規的干法去膠和濕法清洗去除光阻以及刻蝕過程...
								
            
							
            
							
						
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								      偵測晶圓的缺陷的方法包含施加第一電位至第一低部導電層，施加不同于第一電位的第二電位至第一高部導電層，第一高部導電層通過第一通孔件連接至第二低部導電層，第二低部導電層相鄰第一低部導電層，且第一低部導電層與第二低部導電層之間的間距具有第一寬度，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種硅中階層圖案的制造方法，具體包括如下步驟：提供一硅晶圓；在硅晶圓上制備對準圖案，對準圖案包括多個對準標記組；在硅晶圓上的目標區域內制備互聯圖案，其中目標區域基于對準圖案中任意一個對準標記組確定，且任意一個對準標記組至少存在三...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了封裝件及其制造方法、以及封裝件的用于高頻應用的用途。該封裝件(100)包括：部件承載件(102)，該部件承載件(102)包括疊置件(104)，該疊置件(104)包括至少一個電傳導層結構(106)和至少一個電絕緣層結構(108)；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種具有疊置件(102)的部件承載件(100)及其制造方法，其中，所述疊置件(102)包括：i)至少一個電絕緣層結構(106)和至少一個電傳導層結構(104)；ii)疊置件側壁(107)，其中，疊置件側壁的至少一部分(110)相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明實施例提供了一種集成電路組件和芯片封裝結構。所述集成電路組件包括：第一晶圓裸片，形成有多個運算單元，所述多個運算單元用于并行地執行邏輯運算；第二晶圓裸片，與所述第一晶圓裸片疊置，所述第二晶圓裸片中形成有多個訪問控制單元；其中，每個運算...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明實施例提供了一種集成電路組件。集成電路組件包括：第一晶圓裸片，形成有多個運算單元，所述多個運算單元用于并行地執行邏輯運算；第二晶圓裸片，形成有多個訪問控制單元；至少一個第三晶圓裸片，形成有多個存儲單元；其中，所述第二晶圓裸片堆疊在所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種摻雜型鋅基負極及其制備方法和應用，所述制備方法包括以下步驟：(1)將鋅源、摻雜金屬源、相分離劑和溶劑混合，得到前驅液；(2)將所述前驅液和凝膠促進劑混合，陳化處理得到前驅體；(3)對所述前驅體進行熱處理，得到所述摻雜型鋅基負...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種復合集流體，包括可粘結性聚合物基膜以及復合于所述可粘結性聚合物基膜兩側的電鍍金屬b膜。本發明提供的復合集流體，一方面避免了真空鍍膜工藝過程而導致的種種問題，另一方面也不需要使用粘結劑等材料強化電鍍金屬膜與聚合物基膜的附著力，...
								
            
							
            
							
						
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