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          • 本發(fā)明屬于電鑄裝置技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于提高微注塑模具厚度均勻性的電鑄裝置,包括具有陰極柱和陽極柱的電鑄槽,陰極柱上懸掛有吊具,所述吊具包括依次固定的上掛鉤、伸縮桿和下掛鉤,伸縮桿固定端設(shè)有外接孔,伸縮桿伸縮端設(shè)有具有內(nèi)泄壓閥的中空孔,下...
          • 本發(fā)明涉及一種基于應(yīng)力補(bǔ)償策略的葉片激光熔覆工藝優(yōu)化方法,將葉片分區(qū),并將葉片正面進(jìn)行熔覆,熔覆后對正面的各測量點(diǎn)測試變形量,然后對葉片反面進(jìn)行熔覆,熔覆后對反面的各測量點(diǎn)測試變形量,利用變形量、應(yīng)力、彈性模量的關(guān)系,計(jì)算正反兩面各個對應(yīng)區(qū)...
          • 本發(fā)明公開了一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機(jī),應(yīng)用于金屬薄膜真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,其中殼體一、真空外殼、殼體二和滑移板,殼體一的內(nèi)部設(shè)置有蒸發(fā)車,殼體二的內(nèi)部設(shè)置有卷繞車,蒸發(fā)車和卷繞車均與滑移板為滑動連接,蒸發(fā)車上設(shè)置有蒸發(fā)組件;蒸發(fā)組件...
          • 本發(fā)明公開了涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域的一種適用于超薄膜層電路板的真空鍍膜工藝及其鍍膜裝置。包括如下步驟:將電路板基材轉(zhuǎn)移至真空室,向真空室輸入氬氣,將氬氣電離成帶正電荷的氬離子,帶正電荷的氬離子在電場作用下加速向帶有負(fù)電荷的靶材表面移動,將靶材...
          • 本申請涉及表面工程技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種高壓強(qiáng)熱壓模具表面涂層及其制備方法。高壓強(qiáng)熱壓模具表面涂層的制備方法,包括以下步驟:(1)H13鋼基體預(yù)處理;(2)在預(yù)處理后的H13鋼表面采用磁控濺射法依次沉積Cr層、CrN層和TiAlN層,形成...
          • 本發(fā)明涉及磁碼盤材料技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種FeCoCr/Al磁碼盤材料及其制備方法與應(yīng)用,其中,F(xiàn)eCoCr/Al磁碼盤材料,包括依次層疊設(shè)置的基底、FeCoCr薄膜以及Al2O3層,所述FeC...
          • 本發(fā)明公開了一種高強(qiáng)韌鋁合金及其制備方法,涉及合金技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在制備高強(qiáng)韌鋁合金時,首先將氧化石墨烯和金屬離子溶液混合,加入氟化鈉,經(jīng)熱處理后制備了改性石墨烯,其次,將金屬粉末球磨混合得到混合金屬粉末,最后,將改性石墨烯、混合金屬粉末、...
          • 本發(fā)明介紹了一種再生鋁生產(chǎn)非標(biāo)高合金含量建筑幕墻用鋁卷的方法,涉及鋁合金生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體步驟為:S1:熔煉;S2:連鑄;S3:連軋;S4:自回火;S5:切邊倒卷;S6:檢查和包裝。本發(fā)明可以大量消化再生鋁,降低生產(chǎn)成本的同時,減少原鋁使用...
          • 本發(fā)明涉及一種1100MPa級高強(qiáng)度碳素工具鋼盤條及其制造方法,采用碳素成分設(shè)計(jì),軋制吐絲后的盤條經(jīng)過在線熔鹽等溫韌化處理,控制盤條以≥32℃/s的冷速從高溫奧氏體狀態(tài)進(jìn)入索氏體相區(qū),形成以細(xì)片層間距索氏體為主的組織,控制盤條在等溫區(qū)間進(jìn)行...
          • 本發(fā)明涉及一種1200MPa級高強(qiáng)度碳素工具鋼盤條及其制造方法,盤條的化學(xué)成分及質(zhì)量百分比包括:C:0.63%~0.67%、Si:0.30%~0.40%、Mn:0.57%~0.67%、P≤0.015%、S≤0.015%,其余為Fe和不可避免...
          • 本發(fā)明涉及一種1150MPa級高強(qiáng)度碳素工具鋼盤條及其制造方法,盤條的化學(xué)成分及質(zhì)量百分比包括:C:0.57%~0.62%、Si:0.38%~0.47%、Mn:0.53%~0.63%、P≤0.015%、S≤0.015%,其余為Fe和不可避免...
          • 本發(fā)明涉及一種1400MPa級高強(qiáng)度工具鋼盤條及其制造方法,采用Cr?V化學(xué)成分設(shè)計(jì)軋制吐絲為盤條后,經(jīng)過在線熔鹽混合淬火等溫處理,先控制盤條以≥32℃/s冷速從高溫奧氏體狀態(tài)進(jìn)入索氏體相區(qū),促進(jìn)部分奧氏體向索氏體組織轉(zhuǎn)變,形成以殘余奧氏體...
          • 本發(fā)明涉及一種1500MPa級高強(qiáng)度工具鋼盤條及其制造方法,采用Nb?V化學(xué)成分設(shè)計(jì)軋制吐絲為盤條后,經(jīng)過在線熔鹽過冷淬火等溫處理,先控制盤條在前段熔鹽以≥37℃/s的冷速從高溫奧氏體狀態(tài)進(jìn)入馬氏體相區(qū),促進(jìn)部分奧氏體向馬氏體組織轉(zhuǎn)變,再經(jīng)...
          • 本發(fā)明屬于分子生物學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及轉(zhuǎn)基因大豆事件LP689?2及其檢測方法。本發(fā)明提供一種用于轉(zhuǎn)基因大豆事件LP689?2檢測的核酸序列,所述核酸序列選自序列SEQ ID NO:1?7或其互補(bǔ)序列中的一種或多種,所述核酸序列來源于轉(zhuǎn)基因...
          • 本發(fā)明公開了小麥TaBRD2?7A基因的分子標(biāo)記及其應(yīng)用,屬于作物選種培育技術(shù)領(lǐng)域。所述分子標(biāo)記是KASP標(biāo)記,由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2和SEQ ID NO:3所示的引物組擴(kuò)增得到,兩條前引物的5’端分別標(biāo)記有FAM...
          • 本發(fā)明公開了小麥TaACL5?4A基因的分子標(biāo)記及其應(yīng)用,屬于作物選種培育技術(shù)領(lǐng)域。所述分子標(biāo)記是KASP標(biāo)記,由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2和SEQ ID NO:3所示的引物組擴(kuò)增得到,兩條前引物的5’端分別標(biāo)記有HEX...
          • 本發(fā)明公開了玉米ZmLAX2基因的應(yīng)用,屬于作物分子生物學(xué)和分子育種技術(shù)領(lǐng)域。玉米ZmLAX2基因可應(yīng)用于調(diào)控植物穗上葉、總?cè)~數(shù)、果穗數(shù)、株高或穗高;ZmLAX2基因的核苷酸序列選自如下任一條核苷酸...
          • 本發(fā)明公開了一種通過調(diào)控網(wǎng)絡(luò)發(fā)現(xiàn)潛在抗菌靶點(diǎn)的方法及其應(yīng)用,屬于生物醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過調(diào)控網(wǎng)絡(luò)發(fā)現(xiàn)潛在抗菌靶點(diǎn),具體地,通過利用銅綠假單胞菌oxyR突變體進(jìn)行逆境脅迫下的基因家族表達(dá)異常篩選,結(jié)合轉(zhuǎn)錄組學(xué)發(fā)現(xiàn)具有抗逆功能...
          • 本發(fā)明涉及基因工程技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種L?鼠李糖異構(gòu)酶突變體、重組大腸桿菌及應(yīng)用。所述突變體的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示,編碼基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示;所述突變?yōu)椋旱?28位氨基酸由E突變?yōu)镈。本發(fā)明基于菌...
          • 本發(fā)明涉及基因工程技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及L?鼠李糖異構(gòu)酶突變體、重組質(zhì)粒、突變菌株及應(yīng)用。所述突變體的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示,編碼基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。本發(fā)明設(shè)計(jì)特定的突變體基因序列,成功構(gòu)建重組質(zhì)粒pE...
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