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								      本發(fā)明提供一種紅外和可見(jiàn)光芯片集成封裝結(jié)構(gòu)及制作方法，將紅外芯片和可見(jiàn)光芯片集成在同一平面，紅外芯片和可見(jiàn)光芯片之間設(shè)有微流道，冷卻液通過(guò)微流道能夠?qū)梢?jiàn)光芯片進(jìn)行降溫，避免可見(jiàn)光芯片感光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量對(duì)紅外芯片靈敏度產(chǎn)生影響，同時(shí)冷卻液...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種具有半共形結(jié)構(gòu)的二維材料/硅異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及其制備方法，所述的異質(zhì)結(jié)光電器件包括金字塔硅、二氧化硅層、鉻/金電極、單層二維材料、原位生長(zhǎng)的二維材料。所述制備方法具體步驟為：采用光刻和等離子刻蝕技術(shù)在硅/二氧化硅片上刻蝕出硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成于襯底上且具有第一導(dǎo)電類型的一外延層、具有第二導(dǎo)電類型的多個(gè)摻雜部、溝槽結(jié)構(gòu)、具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)以及形成于外延層上且對(duì)應(yīng)阱區(qū)的一柵極結(jié)構(gòu)。外延層包括形成于襯...
								
            
							
            
							
						
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								      一種修復(fù)晶圓的方法包含研磨晶圓，以在晶圓的表面形成損傷層，執(zhí)行第一退火工藝，以將損傷層的下部轉(zhuǎn)換成再生長(zhǎng)層，且再生長(zhǎng)層在晶圓上，在損傷層上形成金屬層，以及執(zhí)行第二退火工藝，以將損傷層與金屬層轉(zhuǎn)換成合金層，且合金層在再生長(zhǎng)層上。此方法可消除由...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種面向司法領(lǐng)域的多跳問(wèn)答方法，根據(jù)法律文本構(gòu)建出多粒度圖，使用圖注意Transformer模型對(duì)多粒度圖進(jìn)行建模，同時(shí)兼顧多粒度圖中的圖結(jié)構(gòu)信息和遠(yuǎn)節(jié)點(diǎn)的信息，并將圖信息融入文本信息中，對(duì)文本信息進(jìn)行增強(qiáng)，提高模型的推理能力，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種文本分類方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。包括：通過(guò)獲取初始文本，通過(guò)預(yù)設(shè)的知識(shí)圖譜中的實(shí)體以及實(shí)體關(guān)系對(duì)初始文本進(jìn)行文本匹配，得到目標(biāo)文本；基于目標(biāo)文本進(jìn)行提示文本編寫(xiě)，得到目標(biāo)文本對(duì)應(yīng)的提示文本；將目標(biāo)文本和提示文本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種結(jié)合圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和提示調(diào)優(yōu)的低資源文本分類方法，可以以雙管齊下的方式解決低資源文本分類問(wèn)題，該方法包含以下步驟：導(dǎo)入數(shù)據(jù)集，其中包括低資源文本數(shù)據(jù)和圖；多模態(tài)特征提取，使用雙編碼器架構(gòu)，通過(guò)一個(gè)transformer文本編碼器...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于分類模型的分類任務(wù)執(zhí)行方法、裝置及設(shè)備，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取與第一分類任務(wù)相關(guān)的第一文本；將第一文本與無(wú)語(yǔ)義字符進(jìn)行結(jié)合，得到第一輸入信息；通過(guò)分類模型，根據(jù)第一輸入信息，得到多個(gè)子網(wǎng)絡(luò)分別對(duì)應(yīng)的輸出信...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)一種信息處理裝置、信息處理方法和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。信息處理裝置可以包括確定單元，被配置成在從輸入數(shù)據(jù)提取的第一關(guān)鍵詞不包括在預(yù)定數(shù)據(jù)集中的與所述第一關(guān)鍵詞對(duì)應(yīng)的第一子集中的情況下，確定需要針對(duì)所述輸入數(shù)據(jù)的輔助信息；以及輔助信息獲取單...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)實(shí)施例涉及一種應(yīng)用程序的繪制檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，其中該方法包括：獲取目標(biāo)應(yīng)用程序從測(cè)試頁(yè)面切換到參考頁(yè)面之后的目標(biāo)繪制數(shù)據(jù)，其中，目標(biāo)繪制數(shù)據(jù)包括視圖繪制數(shù)據(jù)和繪制調(diào)用棧數(shù)據(jù)；基于視圖繪制數(shù)據(jù)和繪制調(diào)用棧數(shù)據(jù)確定測(cè)試頁(yè)面的繪制...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種技能施放漏洞的呈現(xiàn)方法及相關(guān)設(shè)備，可以展示技能可視化界面；響應(yīng)于對(duì)技能施放歷史文件的讀取操作，對(duì)記錄的技能施放歷史文件進(jìn)行解析，得到技能施放關(guān)鍵點(diǎn)的時(shí)序信息和參數(shù)信息；基于時(shí)序信息在技能關(guān)鍵點(diǎn)展示區(qū)域展示對(duì)應(yīng)技能施放關(guān)鍵點(diǎn)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種處理器驗(yàn)證方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)以及程序產(chǎn)品，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及處理器技術(shù)、處理器驗(yàn)證、芯片技術(shù)領(lǐng)域。具體實(shí)現(xiàn)方案為：響應(yīng)于針對(duì)處理器的驗(yàn)證請(qǐng)求，生成驗(yàn)證文件，驗(yàn)證文件包括中斷函數(shù)、目標(biāo)數(shù)據(jù)和功能指令；在中斷函...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種機(jī)器人多用焊接頭及其使用方法，包括安裝在所述機(jī)械臂上的視覺(jué)識(shí)別部以及轉(zhuǎn)換部，所述轉(zhuǎn)換部上安裝有弧焊部和點(diǎn)焊部，所述轉(zhuǎn)換部用于切換兩組焊接工作狀態(tài)。本發(fā)明能夠根據(jù)焊接需要快速切換焊接槍，避免切換焊接槍的繁瑣，提高生產(chǎn)效率；同時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的電池模塊可以包括：殼體，該殼體形成外觀；電池單體，該電池單體容納在殼體的內(nèi)部；電路單元，該電路單元位于殼體的內(nèi)表面與電池單體之間，并且與電池單體連接以發(fā)送和接收電信號(hào)；溫度測(cè)量單元，該溫度測(cè)量單元位于電路單元的面對(duì)電池單...
								
            
							
            
							
						
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								      雷達(dá)裝置具備：等間隔地配置的多個(gè)發(fā)送天線和等間隔地配置的多個(gè)接收天線；Ns個(gè)發(fā)送電路；Nr個(gè)接收電路；以及控制部。Ns和Nr分別為2以上的整數(shù)。多個(gè)發(fā)送天線和多個(gè)接收天線被配置為：在虛擬天線的群組之間虛擬位置重疊且發(fā)送電路和接收電路的組合不...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝酥苽涔こ袒头枪こ袒疺δ1T細(xì)胞的方法及其用途。Vδ1T細(xì)胞可用于治療各種癌癥、傳染病和免疫障礙。本申請(qǐng)還提供了用于將工程化和非工程化Vδ1T細(xì)胞群擴(kuò)增至治療有用量的方法。工程化Vδ1T細(xì)胞可以是通用供體，并且可以施用于具有任何...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有高低壓元件及電容的半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：形成底部熱氧化層于基板上；形成化學(xué)氣相沉積氧化層完全覆蓋底部熱氧化層；形成多晶硅硬屏蔽層完全覆蓋化學(xué)氣相沉積氧化層；蝕刻多晶硅硬屏蔽層，而同時(shí)形成高壓多晶硅硬屏蔽于高壓元件區(qū)與第一電...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用層間電偶極子調(diào)控金屬?半導(dǎo)體接觸的方法，包括以下步驟：提供一二維范德華超晶格金屬材料和二維半導(dǎo)體；測(cè)試二維范德華超晶格金屬材料表面偶極子方向；根據(jù)需要通過(guò)機(jī)械剝離切換二維范德華超晶格金屬材料的終止面；將需要的二維范德華超晶格金屬材料與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種柵極側(cè)墻制作方法及半導(dǎo)體器件，在NMOS區(qū)域上的第一柵極結(jié)構(gòu)和在PMOS區(qū)域的第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成柵極側(cè)墻時(shí)，先形成均包括第一膜層、第二膜層和第三膜層的側(cè)墻，其中，第二膜層的K值小于第一膜層和第三膜層的K值，而后去除所述第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種文本處理方法、電子設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，涉及大模型技術(shù)中的數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域。其中，該方法包括：獲取待處理文本；利用客戶端上存儲(chǔ)的文本處理模型的第一模型參數(shù)，對(duì)待處理文本中的第一文本進(jìn)行預(yù)填充處理，得到第一文本...
								
            
							
            
							
						
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