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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NTFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；柵極結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底表面且橫跨所述第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，位于所述第一區(qū)域的部分柵極結(jié)構(gòu)包括依次位于所述半導(dǎo)體襯底表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，所述襯底包括相鄰的第一區(qū)、第二區(qū)以及位于第一區(qū)和第二區(qū)之間的第三區(qū)；位于所述第一區(qū)上的第一溝道結(jié)構(gòu)以及位于所述第二區(qū)上的第二溝道結(jié)構(gòu)，所述第一溝道結(jié)構(gòu)包括若干沿垂直于襯底表面方向重疊且...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高偏壓下穩(wěn)定工作的鈣鈦礦單晶輻射探測(cè)器及其制備方法，探測(cè)器包括鈣鈦礦單晶材料層，鈦電極層和接地電極層，所述鈦電極層和接地電極層分別設(shè)置在鈣鈦礦材料層的上下兩側(cè)。本發(fā)明的鈣鈦礦輻射探測(cè)器可以在高偏壓下穩(wěn)定工作，與當(dāng)前報(bào)道的基于鈣鈦礦輻射探...
								
            
							
            
							
						
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								      一種以有機(jī)材料?銻化銦量子點(diǎn)共混為光活性層的光電探測(cè)器及其制備方法，光電探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu)為從上至下依次為金屬電極層、電子傳輸層、光敏活性層、空穴傳輸層、透明導(dǎo)電玻璃層，其中光敏活性層材料為有機(jī)半導(dǎo)體材料與銻化銦(InSb)量子點(diǎn)共混后制得的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種顯示面板及其制備方法，其中顯示面板包括：平坦化層；陽(yáng)極層，位于平坦化層的一側(cè)，陽(yáng)極層包括若干子像素陽(yáng)極；阻擋層，位于與陽(yáng)極層相同的平坦化層的一側(cè)，阻擋層在平行于顯示面板的方向上包圍每一子像素陽(yáng)極，與每一子像素陽(yáng)極之間形成一間隙...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種硅烷交聯(lián)性樹(shù)脂組合物以及使用該硅烷交聯(lián)性樹(shù)脂組合物的硅烷交聯(lián)樹(shù)脂成型體和電線(xiàn)，所述硅烷交聯(lián)性樹(shù)脂組合物含有至少一種由特定的式表示且在100℃加熱30分鐘時(shí)的質(zhì)量減少率小于10.0％的硅烷醇縮合催化劑、且不含有含錫的硅烷醇縮合催...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種適合作為燃料電池中的氣體擴(kuò)散層的構(gòu)成構(gòu)件的具有優(yōu)異性能的碳纖維片。本公開(kāi)的一方式是一種碳纖維片，其特征在于，含有碳纖維、導(dǎo)電性粒子、有機(jī)纖維及粘合劑樹(shù)脂，所述粘合劑樹(shù)脂含有烯烴系樹(shù)脂，在由所述碳纖維形成的網(wǎng)眼結(jié)構(gòu)的一部分固貼有含有所...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種在燃料電池中保濕性和排水性?xún)?yōu)異、并且具有低電流密度和高電流密度下良好的發(fā)電性能的氣體擴(kuò)散電極基材。一種氣體擴(kuò)散電極基材，其是在導(dǎo)電性多孔質(zhì)基材的至少一面具有微多孔層的氣體擴(kuò)散電極基材，在所述微多孔層中具有含有有機(jī)高分子的填料，所述填...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了NR2F2拮抗劑及其醫(yī)藥用途，本發(fā)明提供的式(I)化合物對(duì)NR2F2具有強(qiáng)效的拮抗作用，因此該類(lèi)化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽、互變異構(gòu)體、內(nèi)消旋體、外消旋體、立體異構(gòu)體、代謝產(chǎn)物、代謝前體、前藥或溶劑化物可應(yīng)用于制備N(xiāo)R2F2拮抗...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出的利用動(dòng)力機(jī)構(gòu)、配重和杠桿實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換的方法及裝置，動(dòng)力機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，帶動(dòng)配重杠桿的一端運(yùn)動(dòng)，配重結(jié)構(gòu)包括配重杠桿和配重體，配重結(jié)構(gòu)與輸出杠桿的一端軟連接，輸出杠桿的另一端帶動(dòng)輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)。動(dòng)力機(jī)構(gòu)與配重杠桿的連接方式為軟連接。本發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明循環(huán)流化床鍋爐九宮格結(jié)構(gòu)復(fù)式防磨裝置，屬于循環(huán)流化床鍋爐受熱面防磨技術(shù)領(lǐng)域；所要解決的技術(shù)問(wèn)題為循環(huán)流化床鍋爐受熱面磨損及受熱面不足所引發(fā)的問(wèn)題；解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：循環(huán)流化床鍋爐九宮格結(jié)構(gòu)復(fù)式防磨裝置，包括九個(gè)宮格結(jié)構(gòu)及...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電化學(xué)分析檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及測(cè)定維生素B1電極的制備及應(yīng)用方法。該發(fā)明的目的在于利用電化學(xué)沉積方法制備納米銀/多壁碳納米管修飾電極，并應(yīng)用該電極測(cè)定維生素B1的含量。本發(fā)明技術(shù)方案為：利用電化學(xué)方法在基體電極表面沉積出納米銀顆...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鋰離子電池極化抗能模型與安全狀態(tài)判定方法，包括：通過(guò)等效電路建模得到與所測(cè)得的電化學(xué)阻抗譜相對(duì)應(yīng)的等效電路模型，并將該等效電路模嵌入到車(chē)載電池管理系統(tǒng)當(dāng)中，進(jìn)行電池模型參數(shù)辨識(shí)，以實(shí)時(shí)獲取模型參數(shù)值，同時(shí)利用這些參數(shù)值計(jì)算出電池在實(shí)際使...
								
            
							
            
							
						
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								      一種模組連接器包括第一殼體、第一端子模組、第二端子模組以及接地連接片。所述第一端子模組包括若干第一導(dǎo)電端子以及第一金屬屏蔽片。所述若干第一導(dǎo)電端子至少包括第一接地端子、第一信號(hào)端子、第二信號(hào)端子以及第二接地端子。所述第二端子模組包括若干第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種基于ROF技術(shù)的光纖分散式無(wú)線(xiàn)信號(hào)覆蓋系統(tǒng)，屬于光載射頻ROF和無(wú)線(xiàn)信號(hào)覆蓋系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，包括信號(hào)接入智能單元，其用于將從射頻接口接收到的第一無(wú)線(xiàn)信號(hào)進(jìn)行射頻信號(hào)大小調(diào)節(jié)后再進(jìn)行射頻放大得到第一下行電信號(hào)，將第一下行電信號(hào)、O...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種樣本構(gòu)造方法、裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品；本申請(qǐng)實(shí)施例可以應(yīng)用于車(chē)載場(chǎng)景的文本處理模型，對(duì)文本內(nèi)容進(jìn)行切分處理，得到文本內(nèi)容中各文本片段對(duì)應(yīng)的文本子內(nèi)容；針對(duì)每個(gè)文本片段，按照文本片段中各個(gè)文本子內(nèi)容的內(nèi)容順序，從各...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種電性檢測(cè)裝置及電性檢測(cè)方法。電性檢測(cè)裝置包含基板以及治具部。基板用于承載巨量轉(zhuǎn)移后的多個(gè)目標(biāo)物。電性檢測(cè)裝置用于對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行電性檢測(cè)。治具部相對(duì)基板設(shè)置。治具部包含可透光的上電極治具。在電性檢測(cè)期間，上電極治具與多個(gè)目標(biāo)物連接...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種巨量轉(zhuǎn)移裝置及其巨量轉(zhuǎn)移方法。巨量轉(zhuǎn)移裝置包含取放部以及粘性基板。取放部用于取放多個(gè)目標(biāo)物。粘性基板設(shè)置在取放部中。粘性基板包含基板本體以及多個(gè)取放結(jié)構(gòu)。取放結(jié)構(gòu)設(shè)置在基板本體上。每一個(gè)取放結(jié)構(gòu)包含一或多個(gè)第一凸起結(jié)構(gòu)，用于與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：襯底，在其表面至少形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，第一和第二有源區(qū)分別具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域和它們之間的溝道，第一和第二有源區(qū)之間設(shè)置有隔離區(qū)域；絕緣層，包括分別設(shè)置于第一和第二有源區(qū)上的第一和第二絕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種巨量轉(zhuǎn)移方法及微顯示裝置。在巨量轉(zhuǎn)移方法中，對(duì)目標(biāo)晶圓進(jìn)行選擇性剝離，在承接板上形成具有交集區(qū)的多個(gè)拼接區(qū)塊，且后續(xù)拼接相鄰的多個(gè)拼接區(qū)塊對(duì)應(yīng)的交集區(qū)內(nèi)的多個(gè)微發(fā)光芯片呈隨機(jī)且互補(bǔ)分布狀態(tài)，在后續(xù)拼接時(shí)，相鄰的多個(gè)拼接區(qū)塊的交...
								
            
							
            
							
						
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