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          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)、操作方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。其中,該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括:存儲(chǔ)器裝置以及與所述存儲(chǔ)器裝置耦接的存儲(chǔ)器控制器;其中,所述存儲(chǔ)器控制器,被配置為:響應(yīng)于讀取命令,確定所述讀取命令對(duì)應(yīng)的待讀取數(shù)據(jù)的寫(xiě)入和讀出的時(shí)間差所屬的時(shí)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置,包括:存儲(chǔ)單元陣列;所述存儲(chǔ)單元陣列包括存儲(chǔ)塊;所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元以及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元偶接的多個(gè)字線;以及,外圍電路,與所述多個(gè)字線耦接,且被配置為:響應(yīng)于對(duì)所述...
          • 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其控制方法、電子設(shè)備。該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)器控制器與所述存儲(chǔ)器裝置耦接,且被配置為:存儲(chǔ)響應(yīng)于暫停指令所執(zhí)行的暫停操作的次數(shù),以及,在接收所述暫停指令后,判斷當(dāng)前執(zhí)行操作...
          • 本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),該存儲(chǔ)器裝置包括:存儲(chǔ)器陣列以及與所述存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路;所述存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元串以及與所述存儲(chǔ)單元串的一端耦接的導(dǎo)電線;所述外圍電路被配置為:在第一編程...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。其中,該存儲(chǔ)器裝置包括:第一堆疊;其中,所述第一堆疊包括:第一溝道結(jié)構(gòu);沿所述第一溝道結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向形成的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元;與所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元一一耦接的多個(gè)第一字線;與所述多個(gè)第一字線一一耦接...
          • 本發(fā)明提供了一種基于深度學(xué)習(xí)的超材料微波吸收器的設(shè)計(jì)方法,包括數(shù)據(jù)的獲取和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練。首先搭建了一個(gè)正向預(yù)測(cè)的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,即由超材料微波吸收器的結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)其對(duì)應(yīng)的吸收率和紅外發(fā)射率;對(duì)于逆向設(shè)計(jì)模型,加入了自編碼器來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)降維...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微笑模擬的交互方法、系統(tǒng)及電子設(shè)備,包括:顯示第一界面,第一界面包括第一用戶(hù)管理或查看牙齒診療信息的操作界面,第一界面包括第一控件,第一控件用于觸發(fā)微笑模擬導(dǎo)引功能;響應(yīng)于第一控件的操作,顯示第二界面,第二界面用于生成跳轉(zhuǎn)信息...
          • 本申請(qǐng)涉及一種參數(shù)設(shè)置方法和醫(yī)學(xué)設(shè)備。該方法包括:獲取醫(yī)學(xué)設(shè)備的用戶(hù)交互界面中設(shè)置當(dāng)前協(xié)議參數(shù),并對(duì)當(dāng)前協(xié)議參數(shù)進(jìn)行合理性校驗(yàn),得到參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果,進(jìn)而根據(jù)參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果輸出參數(shù)設(shè)置提示信息。其中,參數(shù)設(shè)置提示信息用于指示對(duì)醫(yī)學(xué)設(shè)備當(dāng)前協(xié)議參數(shù)...
          • 本申請(qǐng)涉及一種無(wú)鹵阻燃絕緣線纜及其制備方法,包括內(nèi)芯、包覆于內(nèi)芯的粘結(jié)層以及包覆于粘結(jié)層的防護(hù)層;防護(hù)層包括:聚乙烯樹(shù)脂、第一礦物粉、玻璃粉、硅酸鋁纖維、阻燃劑、成陶助劑、粘結(jié)劑以及相容劑;粘結(jié)層包括:乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、共聚酰胺、增粘...
          • 本公開(kāi)涉及一種含Ce釹鐵硼磁體,其中,含Ce釹鐵硼磁體包含薄殼層晶粒、反殼層晶粒和厚殼層晶粒;反殼層晶粒的核部的HRE含量高于殼部的HRE含量;厚殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含量;薄殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含...
          • 本發(fā)明提供一種壓力控制器以及注塑工裝的新技術(shù)方案。壓力控制器包括氣箱組件和控制組件,控制組件包括基座和罩體,罩體罩設(shè)于基座,氣箱組件包括氣箱主體;基座的部分位于罩體外,基座與氣箱主體的支撐面固定連接,支撐面的與基座接觸的位置與支撐面的邊緣形...
          • 本發(fā)明提供了一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法,包括:提供襯底;形成第一電極層,其在第一類(lèi)金屬線上方具有第一開(kāi)口;形成介電層及形成第二電極層,其在第二類(lèi)金屬線上方具有第二開(kāi)口;依次交替形成剩余的介電層及電極層,其中奇數(shù)電極層依次位于第一...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N三維無(wú)源器件及其制備方法,三維無(wú)源器件包括第一無(wú)源元件和第二無(wú)源元件,第一無(wú)源元件的兩個(gè)電極和第二無(wú)源元件的第一電極設(shè)置于玻璃基板的第一面,第二無(wú)源元件的第二電極設(shè)置于玻璃基板的第二面,第二面的表面粗糙度小于或等于5nm。本...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法、電子設(shè)備。其中,芯片封裝結(jié)構(gòu)包括:基板;芯片,芯片設(shè)于基板上;封裝層,封裝層設(shè)于基板上且環(huán)繞芯片,封裝層上形成有至少一個(gè)第一倒角結(jié)構(gòu),第一倒角結(jié)構(gòu)設(shè)于封裝層上相鄰的兩個(gè)側(cè)壁之間。本申請(qǐng)能夠降低芯片封...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N鋰離子電池及用電裝置。鋰離子電池包括正極極片、負(fù)極極片和電解液;其中,所述正極極片包括包括正極活性材料,所述正極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時(shí)間常數(shù)為T(mén)p,所述負(fù)極極片包括負(fù)極活性材料,所述負(fù)極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時(shí)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極極片,正極極片包括正極膜層,正極膜層包含添加劑,添加劑包括酸性物質(zhì)、脫鋰物質(zhì)中的一種或多種;和/或,正極膜層包括正極活性材料,正極活性材料包括尖晶石結(jié)構(gòu)的含鋰錳復(fù)合氧化物,正極活性材料的結(jié)構(gòu)通式包括:Li1+a...
          • 一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層,保護(hù)層包括氧化鋁或氧化硅,保護(hù)層的最小電阻R滿(mǎn)足:R≥25Ω。本申請(qǐng)的技術(shù)方案中的保護(hù)層較為致密,有利于提高電池單體的可靠性。
          • 一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層,保護(hù)層包括氧化硅;基于極片的第一位置的所有元素的總質(zhì)量計(jì),Si元素的質(zhì)量含量A滿(mǎn)足:A<0.01wt%,第一位置為距離端部表面...
          • 一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層,保護(hù)層包括氧化硅,保護(hù)層的剪切強(qiáng)度G滿(mǎn)足:G≥110MPa。本申請(qǐng)的技術(shù)方案有利于提高電池單體的可靠性。
          • 一種負(fù)極片、電池單體、電池及用電裝置,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域;通過(guò)使設(shè)于內(nèi)層的第一負(fù)極活性材料層的體積容量密度大于設(shè)于外層的第二負(fù)極活性材料層的體積容量密度,也即內(nèi)層的高容量材料的添加量高于外層,從而降低其應(yīng)用作為電池時(shí)高容量材料和電解液接觸的概...
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