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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明提供一種提升新能源消納能力的換流站配置方法及系統(tǒng)，應(yīng)用于新能源技術(shù)領(lǐng)域。提升新能源消納能力的換流站配置方法包括：獲根據(jù)新能源系統(tǒng)內(nèi)各節(jié)點(diǎn)的等效慣量值以及慣量需求值，在各節(jié)點(diǎn)中確定等效慣量值大于慣量需求值的候選節(jié)點(diǎn)集合；獲取新能源系統(tǒng)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種基于多智能體深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)及精細(xì)化功率預(yù)測(cè)的海上風(fēng)電場(chǎng)智能運(yùn)維調(diào)度方法。首先，獲取目標(biāo)區(qū)域的海上風(fēng)電相關(guān)數(shù)據(jù)，利用深度學(xué)習(xí)算法建立精細(xì)化風(fēng)電功率預(yù)測(cè)模型，精細(xì)化計(jì)算故障風(fēng)機(jī)因停機(jī)造成的發(fā)電量損失；然后，構(gòu)建基于多智能體強(qiáng)化學(xué)習(xí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及車載空調(diào)技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種浪涌電壓抑制電路及車載空調(diào)浪涌電壓抑制方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)無法持續(xù)對(duì)浪涌電壓進(jìn)行削弱，導(dǎo)致車載空調(diào)故障率較高的技術(shù)問題。為此目的，本申請(qǐng)的浪涌電壓抑制電路包括第一支路和第二支路，第一支路和第二支路并...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種用于FTTR的布線頭，其用于可拆卸連接在熱熔膠槍上，所述布線頭包括：由隔熱材料構(gòu)成的布線部，所述布線頭連接在所述熱熔膠槍上時(shí)，所述布線部至少套設(shè)在所述熱熔膠槍的出膠管的出膠端外，所述布線部包括用于與所述出膠端連通的出膠口，以...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種線纜編織層處理裝置和線纜編織層處理方法。所述線纜編織層處理裝置包括：夾具，包括用于夾持在線纜的外覆層上的一對(duì)夾具半體；和一對(duì)輥輪毛刷，用于將所述線纜的外露出的編織層向后翻折到所述夾具上。在翻折所述編織層時(shí)，所述線纜的編織層進(jìn)入...
								
            
							
            
							
						
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								      一種天線和無線通訊設(shè)備，涉及天線技術(shù)領(lǐng)域，包括陣子和饋電結(jié)構(gòu)，所述陣子分布呈環(huán)形，所述陣子包括輻射陣子和寄生陣子，所述輻射陣子和所述寄生陣子均呈條形結(jié)構(gòu)且沿所述環(huán)形延伸，所述輻射陣子的兩端和所述寄生陣子的兩端一對(duì)一相鄰間隔設(shè)置；所述饋電結(jié)構(gòu)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電化學(xué)電池堆以及車輛，其中，第一端板和第二端板限定出安裝空間；電池組設(shè)于安裝空間；彈性件設(shè)于安裝空間且壓縮在第一端板和電池組之間；止擋組件設(shè)于安裝空間且支撐在第一端板與電池組之間，沿第一方向，止擋組件的尺寸能夠逐漸伸長(zhǎng)。由此...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種漿料、集流體結(jié)構(gòu)、極片、電芯及制備方法；混合固體和溶劑，溶劑的質(zhì)量配比為25?50％；其中，混合固體包括：高分子基體的質(zhì)量占混合固體質(zhì)量的1?80％，高分子基體配置為提高集流體與活性物層的粘黏性；導(dǎo)電劑的質(zhì)量占混合固體質(zhì)量的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：第一金屬互連層包括第一焊接層和第一互連層，第一焊接層在第一面上具有第一投影圖形；位于第一介質(zhì)層和第一金屬互連層表面的第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層內(nèi)的第二金屬互連層，第二金屬互連層包括位于第一焊接層表面的第...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)和電子設(shè)備，涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，旨在提升芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板和第一芯片。所述第一芯片設(shè)置于封裝基板上，第一芯片包括襯底和設(shè)置于襯底上的電路層，電路層相較于襯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體提供了一種封裝基板、電子器件、主板及電子設(shè)備。封裝基板包括：基板本體，具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面；導(dǎo)電接點(diǎn)，設(shè)置在所述基板本體的第一面上，用以電性連接芯片；第一管腳，設(shè)置于所述第二面上，用...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備，實(shí)現(xiàn)電源走線和信號(hào)走線的分離，大幅度提高了布線密度和自由度，提高了第一互聯(lián)層和第二互聯(lián)層的利用率，進(jìn)而可以提高信號(hào)質(zhì)量和電源質(zhì)量。封裝結(jié)構(gòu)可以包括沿第一方向?qū)盈B設(shè)置的第一互聯(lián)層、第一芯片和第二互聯(lián)層。其中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的處理方法包括：提供適于半導(dǎo)體器件的底基板，所述底基板上形成電極和導(dǎo)線；在所述底基板上形成若干氣穴結(jié)構(gòu)以容納空氣；以及將所述氣穴結(jié)構(gòu)與所述底基板的所述電極和所述導(dǎo)線隔。該方法簡(jiǎn)單高效、成本低，能夠在半導(dǎo)體器件內(nèi)形成空氣電介...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種非產(chǎn)品晶圓的檢測(cè)控制方法及檢測(cè)控制系統(tǒng)、生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng)和可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，能夠根據(jù)歷史數(shù)據(jù)計(jì)算出的歷史失效率以及根據(jù)當(dāng)前次抽檢結(jié)果計(jì)算出當(dāng)前失效率，進(jìn)而對(duì)當(dāng)前批次的再生處理后的非產(chǎn)品晶圓進(jìn)行相應(yīng)的抽檢，由此歷史失效率或當(dāng)前失效率越低...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明晶圓的切割處理方法，包括向晶圓的切割面照射激光光束，使所述切割面上形成切割通道，所述切割通道的深度小于所述晶圓的分離深度；對(duì)所述晶圓進(jìn)行刻蝕，使所述切割通道的深度達(dá)到所述分離深度，以將所述晶圓分離成多個(gè)獨(dú)立單元；以及在所述獨(dú)立單元的分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶圓的切割方法，包括：利用劃線刀在半導(dǎo)體晶圓的表面上進(jìn)行劃線切割；在保護(hù)氣體為氦氣的環(huán)境下，利用激光束對(duì)所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行激光燒蝕處理。采用本發(fā)明的技術(shù)方案利用劃線分割技術(shù)代替半導(dǎo)體的機(jī)器開槽，能夠優(yōu)化切割效果，有效減...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體膜的形成方法包括：制備無機(jī)溶膠，所述無機(jī)溶膠包括氨水、乙酰丙酮、鋁鹽、乙二醇；在襯底上涂覆所述無機(jī)溶膠，干燥后形成氧化物半導(dǎo)體膜；以及將所述氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行退火處理。該方法簡(jiǎn)單高效、成本低，能夠在襯底上形成穩(wěn)定的氧化物...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種具有隔離結(jié)構(gòu)的雙層元器件及半導(dǎo)體器件，所述雙層元器件包括元器件上層結(jié)構(gòu)、元器件下層結(jié)構(gòu)、及位于所述元器件上層結(jié)構(gòu)和元器件下層結(jié)構(gòu)之間的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括：主介質(zhì)層，位于所述元器件下層結(jié)構(gòu)和元器件上層結(jié)構(gòu)之間；第一緩沖結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開描述一種數(shù)據(jù)報(bào)告的處理方法及系統(tǒng)，處理方法包括預(yù)先設(shè)定至少一個(gè)配置信息；接收與目標(biāo)對(duì)象相關(guān)的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)包括用于表征目標(biāo)對(duì)象的生理狀態(tài)隨時(shí)間變化的情況的生理數(shù)據(jù)和與目標(biāo)對(duì)象相關(guān)的用戶信息；基于用戶信息和至少一個(gè)配置信息確定目標(biāo)配置信息；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其控制方法，所述存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線與所述存儲(chǔ)塊耦接；以及外圍電路，與所述多個(gè)字線耦接，且被配置為：響應(yīng)于第一操作命令，執(zhí)行第一編程操作，對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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