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								      本申請(qǐng)涉及一種二次電池、凝膠電解質(zhì)前驅(qū)液、制備方法和用電裝置。該二次電池包括電極極片；任一個(gè)電極極片獨(dú)立地包括電極活性材料層；二次電池包括凝膠電解質(zhì)，凝膠電解質(zhì)包括第一凝膠電解質(zhì)和第二凝膠電解質(zhì)，第一凝膠電解質(zhì)位于電極活性材料層的內(nèi)部，第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種氟氮共摻雜的碳包覆正極材料及其制備方法，通過(guò)在正極活性物質(zhì)表面設(shè)置氟氮共摻雜的碳包覆層，有效改善了正極材料的循環(huán)性能。將本申請(qǐng)的正極材料應(yīng)用到電池體系中，能夠提高電池的循環(huán)壽命。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及一種預(yù)鋰化負(fù)極材料及其制備方法、負(fù)極和含鋰電池。包括以下步驟：S1、將第一含硅基質(zhì)與有機(jī)碳源接觸，進(jìn)行碳包覆處理，得到碳包覆含硅基質(zhì)；S2、將金屬鋰與第二含硅基質(zhì)接觸，進(jìn)行第一球磨處理，得到預(yù)鋰前驅(qū)體；S3、將預(yù)鋰前驅(qū)體與第一有機(jī)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及一種具有核殼結(jié)構(gòu)的三元正極材料及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：S1、將鋰源與鎳鈷錳氫氧化物三元前驅(qū)體混合，將得到的混合物在第一含氧氣氛下進(jìn)行第一熱處理，得到第一物料；S2、將所述第一物料與含有銨鹽的溶液接觸并進(jìn)行浸漬，將得...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及一種預(yù)鋰化鋰離子電池負(fù)極片及其制備方法和鋰離子電池。所述方法包括以下步驟：S1、將金屬鋰與基質(zhì)材料混合，進(jìn)行球磨處理，得到預(yù)鋰化前驅(qū)體，基質(zhì)材料選自硅和氧化亞硅中的一種或兩種；S2、將預(yù)鋰化前驅(qū)體與電解液混合，進(jìn)行穩(wěn)定化處理，得到...
								
            
							
            
							
						
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								      半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基板、主動(dòng)元件、至少一放電結(jié)構(gòu)、柵極接墊、多層互連金屬層以及熔絲結(jié)構(gòu)。基板具有主動(dòng)區(qū)和虛設(shè)區(qū)。主動(dòng)元件設(shè)置于基板的主動(dòng)區(qū)。放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板的虛設(shè)區(qū)。柵極接墊設(shè)置于主動(dòng)元件與放電結(jié)構(gòu)上方。多層互連金屬層設(shè)置于基板上方并位于柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種基板、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和基板的制備方法，涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中，基板包括層疊結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電芯、磁性件和導(dǎo)磁件。層疊結(jié)構(gòu)包括多層布線層和多層介質(zhì)層，布線層和介質(zhì)層交替層疊設(shè)置。導(dǎo)電芯嵌設(shè)在層疊結(jié)構(gòu)中，且貫穿至少一層介質(zhì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中，封裝結(jié)構(gòu)包括第一芯片、第一布線層、第二布線層、第一封裝層、第一連接部和第二芯片。第一布線層設(shè)于第一芯片的第一表面所在一側(cè)且與第一芯片電連接。第二布線層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物及封裝體，第一芯片與第一基板層疊設(shè)置，第一阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)于互連件的外表面，第一芯片與互連件之間通過(guò)連接物連接，第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物、第一芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種電子電路器件及電子設(shè)備。該電子電路器件包括本體結(jié)構(gòu)和接口焊點(diǎn)，該本體結(jié)構(gòu)包括有機(jī)材料，接口焊點(diǎn)與本體結(jié)構(gòu)電連接；在本體結(jié)構(gòu)的外周表面包覆有防潮層，防潮層包括無(wú)機(jī)膜層，且接口焊點(diǎn)外露于防潮層，以構(gòu)建相應(yīng)的電連接。如此設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓環(huán)組件、半導(dǎo)體工藝腔室及其控制方法。壓環(huán)組件包括環(huán)形本體；在環(huán)形本體內(nèi)沿其周向環(huán)繞設(shè)置有環(huán)形負(fù)壓通道，環(huán)形負(fù)壓通道在環(huán)形本體上形成有抽入口和抽出口；環(huán)形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動(dòng)，在環(huán)形本體處于第一位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種清潔方法及半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備包括傳輸腔室、及用于對(duì)傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵，傳輸腔室的腔壁上設(shè)有出氣口及多個(gè)充氣口，出氣口和多個(gè)充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個(gè)拐角區(qū)域均能夠被氣體吹掃；抽氣泵組的抽速低于高...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種電子設(shè)備、電子器件及其制作方法，涉及金剛石技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有金剛石在半導(dǎo)體異質(zhì)材料成膜時(shí)生長(zhǎng)界面的結(jié)合力差，導(dǎo)致容易脫膜失效的問(wèn)題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導(dǎo)體器件層。其中，緩沖層具有相對(duì)設(shè)置的第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)雙腔體系統(tǒng)中偏置發(fā)生器之間相位延遲的設(shè)備和方法，雙腔體系統(tǒng)包括：第一腔體裝置，包括：包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發(fā)生器；第二腔體裝置，包括：包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發(fā)生器，其...
								
            
							
            
							
						
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								      一種框架斷路器或隔離開(kāi)關(guān)用靜觸頭引弧角，所述靜觸頭引弧角a設(shè)置在滅弧柵片組一側(cè)端的外側(cè)方，所述靜觸頭引弧角一端與靜觸頭連接，另一端延伸到所述滅弧柵片組一端的外側(cè)方，所述靜觸頭引弧角另一端的端點(diǎn)位于所述滅弧柵片組高度的3/5～4/5位置處。框...
								
            
							
            
							
						
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								      一種框架斷路器或隔離開(kāi)關(guān)滅弧室和觸頭系統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括動(dòng)觸頭和靜觸頭，所述動(dòng)觸頭和靜觸頭布置在殼體內(nèi)位于滅弧室下方位置，所述動(dòng)觸頭和靜觸頭分?jǐn)鄷r(shí)候產(chǎn)生的電弧能夠被引導(dǎo)進(jìn)入滅弧室被熄滅，所述動(dòng)觸頭上的動(dòng)銀點(diǎn)與靜觸頭上的靜銀點(diǎn)在...
								
            
							
            
							
						
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								      一種利于滅弧的大開(kāi)距框架斷路器或隔離開(kāi)關(guān)，它包括機(jī)構(gòu)主軸，所述機(jī)構(gòu)主軸通過(guò)連桿機(jī)構(gòu)能夠帶動(dòng)動(dòng)觸頭繞其自身的轉(zhuǎn)動(dòng)中心轉(zhuǎn)動(dòng)，所述動(dòng)觸頭轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中與靜觸頭的接觸和分離控制斷路器或隔離開(kāi)關(guān)的通斷，所述動(dòng)觸頭上的動(dòng)銀點(diǎn)與靜觸頭上的靜銀點(diǎn)在所述動(dòng)觸頭轉(zhuǎn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明與現(xiàn)有現(xiàn)有技術(shù)方案不同，提出了一種三嗪高分子聚合物高性能材料制備方法。該方法具有步驟簡(jiǎn)單，制作流程高效等優(yōu)點(diǎn)。所得三嗪高分子材料可以直接作為超級(jí)電容器的電極材料，能夠保持三嗪分子的穩(wěn)定性和其聚合而成的高分...
								
            
							
            
							
						
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								      一種積層陶瓷電容包含積層磚及第一與第二端電極。積層磚包含陶瓷體及第一與第二內(nèi)電極。陶瓷體具上下表面及相對(duì)的第一與第二端面。第一與第二內(nèi)電極交替嵌在陶瓷體中。第一內(nèi)電極自第一端面朝第二端面延伸。第二內(nèi)電極自第二端面朝第一端面延伸。第一與第二內(nèi)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種變壓器油位補(bǔ)償冷卻器，屬于儲(chǔ)油柜技術(shù)領(lǐng)域。該變壓器油位補(bǔ)償冷卻器，包括下集油盒和上集油盒，所述上集油盒靠近變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有進(jìn)油管，所述下集油盒遠(yuǎn)離變壓器中心的一側(cè)表面設(shè)置有出油管，所述下集油盒和上集油盒之間設(shè)置有波...
								
            
							
            
							
						
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