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								      提供制造及整修具有密封件的部件的方法的實施方式。一種制造具有密封件的部件的方法包括：將第一層直接沉積到主體的密封表面上，其中所述第一層包括3D表面圖案；以及將第二層沉積到所述第一層上，其中所述第二層包括密封材料。一種整修具有密封件的部件的方...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種半導體結構，可應用于三維AND閃存元件。半導體結構包括基底、介電結構、第一密封環結構與第一密封通孔。基底包括元件區。介電結構位于基底上。第一密封環結構位于介電結構中。第一密封環結構圍繞元件區。第一密封通孔位于介電結構中。第一密...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種感應式方向盤及其制造方法。感應式方向盤包括方向盤握把及感應電路層。感應電路層包括彈性基底層、彈性感應圖樣層及第一絕緣保護層。彈性基底層具有相對的第一表面及第二表面。彈性感應圖樣層設置在第一表面上，彈性感應圖樣層以可延展導電材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種新型結構的正極活性材料前體及其制備方法，其中所述正極活性材料前體所包含的復合過渡金屬氫氧化物含有：包含第1一次顆粒的核部分；以及在所述核部分上形成并包含第2一次顆粒的殼部分，其中，在所述正極活性材料前體的截面中，所述第2一次顆...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體元件，其主要包含一金屬柵極設于一基底上、一層間介電層環繞該金屬柵極以及一凹槽設于層間介電層以及金屬柵極之間，其中金屬柵極包含一高介電常數介電層設于該基底上、一功函數金屬層設于高介電常數介電層上以及一低阻抗金屬層設于功函數...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種嵌入式高壓半導體元件及其制造方法，嵌入式高壓半導體元件包含基底，具有低壓元件區及高壓元件區；ILD層，設于基底上；第一互連金屬層，位于低壓元件區內的ILD層上；第一IMD層，位于ILD層和第一互連金屬層之間；第二互連金屬層，位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體結構以及其制作方法，半導體結構包含一基底，基底上定義有一第一中高壓元件區與一低壓元件區彼此相鄰，第一中高壓元件區內包含有第一柵極接觸以及一第一源/漏極接觸，低壓元件區內包含有兩第二源/漏極接觸以及一第二柵極接觸，其中第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體元件及其制作方法，半導體元件包含一金屬柵極設于基底上、一間隙壁設于金屬柵極旁、一層間介電層環繞金屬柵極、一第一氣孔設于該金屬柵極一側并設于該間隙壁以及該金屬柵極之間以及一第二氣孔設于該金屬柵極另一側并設于該間隙壁以及該金...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲器裝置及其制造方法。存儲器裝置包括陣列區域、階梯區域、在陣列區域與階梯區域中的參考結構、在陣列區域與階梯區域中的堆疊結構以及從陣列區域沿著一方向延伸到階梯區域的壁結構。參考結構包括導電結構與在階梯區域中嵌設于導電結構內的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及解碼器電路及使用于解碼器電路的解碼方法。該解碼方法包括：提供通道值存儲器接收并儲存輸入數據作為通道值；提供符號存儲器儲存符號值；提供梯度下降位元存儲器儲存該通道值的差異資訊；提供變數節點單元根據該通道值產生第一輸出值與第二輸出值；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種浮點數的處理方法與裝置、神經網絡訓練方法與浮點數數據庫轉換方法。獲取一自定義浮點數，該自定義浮點數包括一符號域與一指數域，其中，該自定義浮點數的一數值決定于該符號域、該指數域、一基底值與一偏差值，該基底值不為整數，且該基底值大...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了本發明提供如下技術方案：仿生手系統，包括：手部組織獲取模塊，用于對手部的內部結構特征進行獲取，得到內部數據；本發明通過對人體手部的外部及內部的結構特征以及形態進行數據獲取，并且依據獲取數據進行手骨模型的打印制造，再通過控制驅動的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種安全氣囊(1)，該安全氣囊包括相對的第一側面板和第二側面板(2,3)，該第一側面板和該第二側面板在主接縫(4)處連結在一起，其中：第一側向接縫(22,23)與該主接縫會合并遠離該主接縫延伸，終止于自由端，其中該第一側向接縫由形成在該第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種用于增壓設備(1)的渦輪機單元(10)，該渦輪機單元包括支承殼體(30)和渦輪機殼體(20)，該渦輪機殼體藉由凸緣連接(100)與支承殼體(30)相聯接。凸緣連接(100)包括渦輪機殼體側凸緣(110)和支承殼體側凸緣(120...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種高空軌道狀態的偵測方法、處理裝置及搬運系統。高空軌道狀態的偵測方法能被處理裝置執行。高空軌道偵測方法包含先重復執行收集步驟，再執行數據轉換步驟、統計步驟及判斷步驟。收集步驟是收集各臺搬運車于各段軌道的運行信息。數據轉換步驟是將...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種防碰撞系統和防碰撞方法。方法包含：通過雷達偵測第一偵測區域和第二偵測區域以產生目標物件的偵測結果，其中第二偵測區域包含第一偵測區域且大于第一偵測區域；根據偵測結果判斷目標物件是否入侵第一偵測區域或第二偵測區域；響應于判斷目標物...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體結構，包括中介層。中介層包括基底、重布線層、第一集成被動元件與第二集成被動元件。重布線層位于基底上。第一集成被動元件位于基底中。第二集成被動元件位于重布線層中。
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種半導體制造用光掩模以及光掩模圖案形成方法，半導體制造用光掩模包括多個第一區塊與多個第二區塊。第一區塊的線寬(width)與間隔(space)落在一設定范圍以外，第二區塊在一方向上的線寬與間隔組合落在所述設定范圍內。在每個第二區...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供通過細徑的磁導線也能夠容易且穩定地將匯流條單元固定于定子的馬達。構成馬達的定子（21）的絕緣體（27）具備：多個槽（31），形成于外表面且沿著軸向延伸；以及多個凹部，匯流條單元（26）具備：多個定位部（47），進入絕緣體（27）的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種切換裝置及其操作方法。切換裝置設置于主機板上，且主機板適于連接顯示卡。切換裝置包括控制模塊與切換模塊。控制模塊接收第一信號與第二信號，并依據第一信號與第二信號，產生第一控制信號與第二控制信號。切換模塊連接第一接腳、第二接腳、第...
								
            
							
            
							
						
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