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          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示設(shè)備和壁掛柱結(jié)構(gòu),所述顯示設(shè)備至少包括背板和壁掛柱結(jié)構(gòu);所述背板具有正面和背面,所述正面形成加強(qiáng)筋凹槽,所述背面形成加強(qiáng)筋凸起;所述壁掛柱結(jié)構(gòu)包括連接部,所述連接部與所述背板可拆卸連接,所述連接部位于所述加強(qiáng)筋凹槽內(nèi),所...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種低損耗空芯光纖及其制作方法,包括:外包層1、至少一個(gè)中空包層2、內(nèi)包層3和空氣纖芯4,外包層1依次包覆中空包層2、內(nèi)包層3和空氣纖芯4;每個(gè)中空包層2包括包層壁20和圍繞包層壁20的多個(gè)支撐件21;其中,最外層的中空包層2的...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種海工磁懸浮超重力風(fēng)洞試驗(yàn)裝置,涉及海工風(fēng)洞試驗(yàn)設(shè)備領(lǐng)域,包括:試驗(yàn)腔體,第一環(huán)形永磁導(dǎo)軌,第二環(huán)形永磁導(dǎo)軌,車(chē)體模型試驗(yàn)艙,直線(xiàn)電機(jī),試驗(yàn)?zāi)P停囼?yàn)?zāi)P凸潭ㄔO(shè)置于車(chē)體模型試驗(yàn)艙外表面,試驗(yàn)?zāi)P驮囼?yàn)所需的模擬重力方向朝向第一環(huán)形...
          • 本申請(qǐng)的實(shí)施例揭示了一種控制冷卻風(fēng)扇的方法、系統(tǒng)、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:對(duì)車(chē)輛冷卻系統(tǒng)中的冷卻液溫度進(jìn)行檢測(cè),獲得水溫信號(hào);根據(jù)水溫信號(hào)確定PWM信號(hào);根據(jù)PWM信號(hào)控制冷卻風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng),并每間隔第二預(yù)設(shè)時(shí)間段發(fā)送一次心跳信號(hào);...
          • 本申請(qǐng)涉及車(chē)輛控制領(lǐng)域,揭示了一種車(chē)輛的能量管理控制方法、裝置、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)及電子設(shè)備。該方法包括:獲取用戶(hù)為車(chē)輛設(shè)置的目標(biāo)能量管理運(yùn)行模式,車(chē)輛為用戶(hù)提供有包括所述目標(biāo)能量管理運(yùn)行模式在內(nèi)的多個(gè)可選的能量管理運(yùn)行模式,多個(gè)可選的能量管理...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了廢氣收集恒壓恒流機(jī),涉及恒壓恒流機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,而本發(fā)明包括箱體,所述箱體的上端固定設(shè)有四個(gè)吊孔,所述箱體的上端固定設(shè)有警報(bào)設(shè)備,所述箱體的一側(cè)開(kāi)始有通風(fēng)口,所述箱體的內(nèi)部設(shè)有集氣機(jī)構(gòu),所述箱體的內(nèi)部設(shè)有恒壓機(jī)構(gòu),所述箱體的一側(cè)設(shè)有...
          • 本發(fā)明涉及母胎運(yùn)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種母胎運(yùn)動(dòng)檢測(cè)方法、裝置、母胎監(jiān)測(cè)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明提供了一種母胎運(yùn)動(dòng)檢測(cè)方法,應(yīng)用于母胎監(jiān)測(cè)設(shè)備,包括:在檢測(cè)時(shí)段內(nèi),采集母體的腹壁表面電信號(hào),并檢測(cè)母體的腹部狀態(tài);識(shí)別腹壁表面電信號(hào)中的胎動(dòng)信...
          • 一種咖啡機(jī)及其萃取裝置,該萃取裝置包括基座,包括設(shè)有注水口的蓋體;安裝架,與所述基座相鉸接;漏斗,配置為可拆卸插裝于所述安裝架;以及粉碗,設(shè)置在所述漏斗內(nèi),且碗口朝向所述蓋體;其中,所述安裝架配置為能轉(zhuǎn)動(dòng)至所述蓋體密封所述粉碗的碗口的第一位...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種釀造萃取單元和飲品機(jī),涉及飲品制作技術(shù)領(lǐng)域。該釀造萃取單元包括:萃取支架,包括支架主體和設(shè)置于所述支架主體一端的支撐部;萃取容器,設(shè)有支撐配合部,所述支撐配合部設(shè)置成能自所述支撐部的第一端沿著所述支撐部滑動(dòng)以與所述支撐部支撐配...
          • 提供了一種圖像編碼/解碼方法和裝置、存儲(chǔ)比特流的記錄介質(zhì)以及傳輸方法。圖像解碼方法包括以下步驟:確定當(dāng)前塊是否處于幀內(nèi)模板匹配模式;在多個(gè)模板形狀候選中確定當(dāng)前塊的模板形狀;根據(jù)模板形狀,基于當(dāng)前模板來(lái)搜索參考模板;以及基于參考模板來(lái)生成當(dāng)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:載板;多個(gè)發(fā)光單元,位于載板的一側(cè),每個(gè)發(fā)光單元包括沿載板的表面間隔設(shè)置、發(fā)光波長(zhǎng)不同的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu),第二發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一發(fā)光結(jié)構(gòu),第三發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光伏組件的貼膜方法及貼膜系統(tǒng),在所公開(kāi)的貼膜方法中,將第一膜帶裁切成多個(gè)第一膜條,多個(gè)第一膜條沿第一方向陣列設(shè)置形成第一膜條組,驅(qū)動(dòng)防護(hù)板移動(dòng)至第一工位,并歸正;將第一膜條組沿第一方向分距鋪設(shè)后、加熱粘貼于位于第一工位的防護(hù)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N固態(tài)成像器件及其加工方法和電子設(shè)備,該固態(tài)成像器件包括晶體管,該晶體管包括:基體材料層;柵極,該柵極位于該基體材料層上;側(cè)壁隔離層,該側(cè)壁隔離層位于該基體材料層上,該側(cè)壁隔離層與該柵極相鄰并位于該柵極兩側(cè);源極和漏極,該源極...
          • 一種標(biāo)準(zhǔn)單元版圖結(jié)構(gòu)、標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)及版圖布線(xiàn)方法。所述標(biāo)準(zhǔn)單元版圖結(jié)構(gòu)包括:第一MOS管版圖結(jié)構(gòu);以及第二MOS管版圖結(jié)構(gòu);其中,所述第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)與所述第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)具有第一公共柵極區(qū);所述第一公共柵極區(qū)對(duì)應(yīng)于所述第一MOS管版...
          • 本發(fā)明提出了陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板包括依次層疊設(shè)置在襯底基板上的第一透明電極、絕緣層和第二透明電極,其中,所述絕緣層的材料包括在形成所述絕緣層的過(guò)程中產(chǎn)生氫離子的絕緣材料;以及緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述第一透明電極和所述...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體晶圓及制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng),半導(dǎo)體晶圓包括第一半導(dǎo)體基材、第二半導(dǎo)體基材及高K介電層,第二半導(dǎo)體基材與第一半導(dǎo)體基材相對(duì)設(shè)置;高K介電層設(shè)于第一半導(dǎo)體基材與第二半導(dǎo)體基材之間。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體晶...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及制備方法、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于降低半導(dǎo)體器件的亞閾值擺幅以及器件功耗。該半導(dǎo)體器件包括:襯底;半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體層設(shè)置在襯底上,半導(dǎo)體層包括源極區(qū)、離化區(qū)、以及設(shè)置在源極區(qū)和離化區(qū)之間的...
          • 本發(fā)明提供一種溝槽柵MOS器件及其制備方法,該溝槽柵MOS器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、體區(qū)、源區(qū)、第一溝槽結(jié)構(gòu)、第二溝槽結(jié)構(gòu)、源極、柵極及漏極,其中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括層疊的緩沖層及漂移區(qū);體區(qū)位于漂移區(qū)上表層;源區(qū)位于體區(qū)上表層;第一溝槽結(jié)構(gòu)包括第一...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件、制備方法、集成電路及電子設(shè)備,半導(dǎo)體器件包括溝道層、溝道層上方的介質(zhì)層、位于溝道層和介質(zhì)層的相對(duì)兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)、以及金屬柵結(jié)構(gòu),介質(zhì)層包括環(huán)形的第一介質(zhì)區(qū)和位于第一介質(zhì)區(qū)的相對(duì)兩側(cè)的第二介質(zhì)區(qū),金屬柵結(jié)構(gòu)包裹...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、功率開(kāi)關(guān)器件、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括襯底、溝道層、勢(shì)壘層、柵帽層、第一鈍化層、第二鈍化層、源極和漏極。襯底具有第一表面。溝道層、勢(shì)壘層、柵帽層依次層疊設(shè)置在第一表面上。第一...
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