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          最新專利技術
          • 提供了一種富含黃酮類化合物的植物來源的外泌體樣囊泡及其制備方法。還提供了所述外泌體樣囊泡用于改善皮膚狀況的方法和用途,以及包含其的護膚品。
          • 本發(fā)明涉及一種烹飪裝置,該烹飪裝置包括:箱體;內膽,內膽內形成烹飪腔;灶具,間隔地設于內膽的上側;控制板,設于箱體的內壁上;第一風道組件,設于內膽的頂部與灶具的底部之間,第一風道組件中形成有散熱風路;散熱風路連通內膽與灶具之間的區(qū)域和箱體的...
          • 公開了以下技術:用于使集線器應用能夠代表嵌入式應用執(zhí)行令牌代理,從而恢復針對該嵌入式應用的認證狀態(tài),該嵌入式應用被嵌入在集線器應用中。執(zhí)行認證登錄事件以利用賬戶認證集線器應用。作為結果,集線器應用從令牌代理平臺接收第一訪問令牌,該第一訪問令...
          • 提供使用生物催化劑高效地由腈化合物制造酰胺化合物、且制造發(fā)泡性低的酰胺化合物水溶液的方法。在具有腈水合酶活性的生物催化劑的存在下使腈化合物進行水合反應來制造酰胺化合物的方法中,在水合反應的中途使反應液的pH上升。在一例中,與相對于所述反應液...
          • 本發(fā)明實施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法,其中,本發(fā)明實施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法,省去了對硼摻雜處理后硅片進行激光摻雜處理的步驟,但在電極燒結及光注入之后,對電池片進行激光照射同時施加偏轉電,使得激光形成的電...
          • 本揭示內容的一些實施方式提供一種半導體元件,包含基板、多個第一導電型摻雜區(qū)、多個第二導電型摻雜區(qū)以及導電觸點。第一導電型摻雜區(qū)設置于基板中。第二導電型摻雜區(qū)設置于基板中。導電觸點設置于基板中,其中第一導電型摻雜區(qū)位于導電觸點與第二導電型摻雜...
          • 提供一種制備半導體裝置的方法,包含:提供基板;形成圖案化遮罩于基板上;使用圖案化遮罩蝕刻基板,以形成溝槽;沉積材料層于圖案化遮罩上與溝槽中,于溝槽中形成通道,其中材料層為寬能隙半導體材料;移除圖案化遮罩與位于圖案化遮罩上的材料層;以及形成多...
          • 本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法,針對某些晶體管驅動不足時性能降低、飽和電流退化嚴重的問題,將這些晶體管溝道區(qū)上的柵氧化層由原先的第一柵氧化層和第二柵氧化層堆疊而成的雙層柵氧化層替換為一層更薄且質量更致密的第三柵氧化層,且將這些晶體管的...
          • 本發(fā)明提供了一種半導體器件的制備方法,所述制備方法包括:提供半導體襯底,其上包括柵極結構及位于柵極結構兩側的源漏區(qū)域;在半導體襯底上依次形成第一側墻結構及第二側墻結構,第一側墻結構及第二側墻結構均包括位于柵極結構側壁的側墻部,第一側墻結構的...
          • 一種半導體結構包括碳化硅基板、碳化硅緩沖層以及磊晶層。碳化硅緩沖層設置在碳化硅基板上。磊晶層設置在碳化硅緩沖層上,其中碳化硅緩沖層的碳摩爾數(shù)與硅摩爾數(shù)的比值沿著碳化硅基板至磊晶層的方向漸增。通過在形成磊晶層之前先形成具有梯度式變化的碳摩爾數(shù)...
          • 本公開提供一種包括半導體堆疊的晶體管裝置,半導體堆疊包括具有第一導電類型的漂移層、漂移層上方且具有第一導電類型的第一摻雜區(qū)域,以及漂移層上方且具有第二導電類型的第二摻雜區(qū)域,其中第二摻雜區(qū)域的深度大于第一摻雜區(qū)域的深度。晶體管裝置包括嵌入半...
          • 一種制造半導體裝置的方法,包含:提供基板,其中基板包含碳化硅材料;形成第一氧化物層,在第一溫度和氧氣的存在下,經(jīng)由熱氧化工藝在基板上形成第一氧化物層,其中第一溫度高于1000℃;形成第二氧化物層,在第二溫度下,經(jīng)由沉積工藝在第一氧化物層上形...
          • 本申請公開了異常處理方法、裝置、電子設備及計算機可讀介質,涉及計算機技術領域,一具體實施方式包括通過響應于異常處理請求,確定對應的風控類型標識和業(yè)務標識;基于風控類型標識,確定對應的風控處理核心模塊和調用順序;根據(jù)業(yè)務標識,獲取風控處理核心...
          • 本發(fā)明涉及一種基于顯式和隱式去冗余表示學習的信息運維專業(yè)知識檢索方法,包括構建信息運維專業(yè)知識檢索數(shù)據(jù)集、構建信息運維專業(yè)知識檢索模型、訓練信息運維專業(yè)知識檢索模型和信息運維專業(yè)知識檢索等步驟。本發(fā)明提供的基于顯式和隱式去冗余表示學習的信息...
          • 本申請公開了AI模型的訓練方法、裝置、設備及存儲介質。該方法包括:獲取AI模型的訓練樣本集,AI模型包括N個模型層;從N個模型層中,確定保留的M個模型層,其中,N個模型層中除M個模型層之外的剩余模型層,在采用AI模型對各個訓練樣本進行處理時...
          • 本申請公開了一種語言模型的訓練方法、文本預測方法、裝置、設備和介質,涉及機器學習領域。該方法包括:獲取第一對話內容;通過第一語言模型對所述第一對話內容進行答復內容預測,得到第一預測結果;通過第二語言模型對所述第一對話內容進行答復內容預測,得...
          • 本申請公開了一種問答模型訓練方法和裝置,屬于人工智能領域。所述問答模型訓練方法,包括:獲取樣本問題;將所述樣本問題輸入至問答模型,在所述樣本問題為復雜問題的情況下,所述問答模型將所述樣本問題順次拆分為多個子問題;基于各所述子問題對應的預測答...
          • 本申請公開了一種基于區(qū)塊鏈的自動化測試方法、裝置、設備、介質及產(chǎn)品,屬于自動測試領域。方法包括:向區(qū)塊鏈發(fā)布測試任務請求;接收所述區(qū)塊鏈執(zhí)行所述測試任務請求對應的測試任務后,獲得的測試任務數(shù)據(jù)以及所述測試任務對應的測試時間數(shù)據(jù);運行智能合約...
          • 本發(fā)明涉及一種用于使用機加工設備使光學鏡片成形的方法,該機加工設備配備有:封阻裝置,該封阻裝置用于對光學鏡片進行封阻;機加工工具,該機加工工具用于對光學鏡片的表面(S0)進行機加工;以及力傳感器,該力傳感器適于測量與機...
          • 本發(fā)明涉及顯示領域,具體提供一種發(fā)光面板及制備方法以及顯示面板,旨在解決現(xiàn)有發(fā)光面板在最外圍區(qū)域存在暗淡的問題。為此目的,本發(fā)明的發(fā)光面板包括基板、擋墻和發(fā)光元件,基板包括第一區(qū)、圍繞第一區(qū)的第三區(qū)和位于第三區(qū)和第一區(qū)之間的第二區(qū);擋墻設置...
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