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								      本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體制造用光掩模以及光掩模圖案形成方法，半導(dǎo)體制造用光掩模包括多個(gè)第一區(qū)塊與多個(gè)第二區(qū)塊。第一區(qū)塊的線寬(width)與間隔(space)落在一設(shè)定范圍以外，第二區(qū)塊在一方向上的線寬與間隔組合落在所述設(shè)定范圍內(nèi)。在每個(gè)第二區(qū)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括中介層。中介層包括基底、重布線層、第一集成被動(dòng)元件與第二集成被動(dòng)元件。重布線層位于基底上。第一集成被動(dòng)元件位于基底中。第二集成被動(dòng)元件位于重布線層中。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種防碰撞系統(tǒng)和防碰撞方法。方法包含：通過(guò)雷達(dá)偵測(cè)第一偵測(cè)區(qū)域和第二偵測(cè)區(qū)域以產(chǎn)生目標(biāo)物件的偵測(cè)結(jié)果，其中第二偵測(cè)區(qū)域包含第一偵測(cè)區(qū)域且大于第一偵測(cè)區(qū)域；根據(jù)偵測(cè)結(jié)果判斷目標(biāo)物件是否入侵第一偵測(cè)區(qū)域或第二偵測(cè)區(qū)域；響應(yīng)于判斷目標(biāo)物...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)一種高空軌道狀態(tài)的偵測(cè)方法、處理裝置及搬運(yùn)系統(tǒng)。高空軌道狀態(tài)的偵測(cè)方法能被處理裝置執(zhí)行。高空軌道偵測(cè)方法包含先重復(fù)執(zhí)行收集步驟，再執(zhí)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換步驟、統(tǒng)計(jì)步驟及判斷步驟。收集步驟是收集各臺(tái)搬運(yùn)車(chē)于各段軌道的運(yùn)行信息。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換步驟是將...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于增壓設(shè)備(1)的渦輪機(jī)單元(10)，該渦輪機(jī)單元包括支承殼體(30)和渦輪機(jī)殼體(20)，該渦輪機(jī)殼體藉由凸緣連接(100)與支承殼體(30)相聯(lián)接。凸緣連接(100)包括渦輪機(jī)殼體側(cè)凸緣(110)和支承殼體側(cè)凸緣(120...
								
            
							
            
							
						
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								      一種安全氣囊(1)，該安全氣囊包括相對(duì)的第一側(cè)面板和第二側(cè)面板(2,3)，該第一側(cè)面板和該第二側(cè)面板在主接縫(4)處連結(jié)在一起，其中：第一側(cè)向接縫(22,23)與該主接縫會(huì)合并遠(yuǎn)離該主接縫延伸，終止于自由端，其中該第一側(cè)向接縫由形成在該第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：仿生手系統(tǒng)，包括：手部組織獲取模塊，用于對(duì)手部的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行獲取，得到內(nèi)部數(shù)據(jù)；本發(fā)明通過(guò)對(duì)人體手部的外部及內(nèi)部的結(jié)構(gòu)特征以及形態(tài)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取，并且依據(jù)獲取數(shù)據(jù)進(jìn)行手骨模型的打印制造，再通過(guò)控制驅(qū)動(dòng)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種浮點(diǎn)數(shù)的處理方法與裝置、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練方法與浮點(diǎn)數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)轉(zhuǎn)換方法。獲取一自定義浮點(diǎn)數(shù)，該自定義浮點(diǎn)數(shù)包括一符號(hào)域與一指數(shù)域，其中，該自定義浮點(diǎn)數(shù)的一數(shù)值決定于該符號(hào)域、該指數(shù)域、一基底值與一偏差值，該基底值不為整數(shù)，且該基底值大...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及解碼器電路及使用于解碼器電路的解碼方法。該解碼方法包括：提供通道值存儲(chǔ)器接收并儲(chǔ)存輸入數(shù)據(jù)作為通道值；提供符號(hào)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存符號(hào)值；提供梯度下降位元存儲(chǔ)器儲(chǔ)存該通道值的差異資訊；提供變數(shù)節(jié)點(diǎn)單元根據(jù)該通道值產(chǎn)生第一輸出值與第二輸出值；...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其制造方法。存儲(chǔ)器裝置包括陣列區(qū)域、階梯區(qū)域、在陣列區(qū)域與階梯區(qū)域中的參考結(jié)構(gòu)、在陣列區(qū)域與階梯區(qū)域中的堆疊結(jié)構(gòu)以及從陣列區(qū)域沿著一方向延伸到階梯區(qū)域的壁結(jié)構(gòu)。參考結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與在階梯區(qū)域中嵌設(shè)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體元件及其制作方法，半導(dǎo)體元件包含一金屬柵極設(shè)于基底上、一間隙壁設(shè)于金屬柵極旁、一層間介電層環(huán)繞金屬柵極、一第一氣孔設(shè)于該金屬柵極一側(cè)并設(shè)于該間隙壁以及該金屬柵極之間以及一第二氣孔設(shè)于該金屬柵極另一側(cè)并設(shè)于該間隙壁以及該金...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其制作方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基底，基底上定義有一第一中高壓元件區(qū)與一低壓元件區(qū)彼此相鄰，第一中高壓元件區(qū)內(nèi)包含有第一柵極接觸以及一第一源/漏極接觸，低壓元件區(qū)內(nèi)包含有兩第二源/漏極接觸以及一第二柵極接觸，其中第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種嵌入式高壓半導(dǎo)體元件及其制造方法，嵌入式高壓半導(dǎo)體元件包含基底，具有低壓元件區(qū)及高壓元件區(qū)；ILD層，設(shè)于基底上；第一互連金屬層，位于低壓元件區(qū)內(nèi)的ILD層上；第一IMD層，位于ILD層和第一互連金屬層之間；第二互連金屬層，位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體元件，其主要包含一金屬柵極設(shè)于一基底上、一層間介電層環(huán)繞該金屬柵極以及一凹槽設(shè)于層間介電層以及金屬柵極之間，其中金屬柵極包含一高介電常數(shù)介電層設(shè)于該基底上、一功函數(shù)金屬層設(shè)于高介電常數(shù)介電層上以及一低阻抗金屬層設(shè)于功函數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種新型結(jié)構(gòu)的正極活性材料前體及其制備方法，其中所述正極活性材料前體所包含的復(fù)合過(guò)渡金屬氫氧化物含有：包含第1一次顆粒的核部分；以及在所述核部分上形成并包含第2一次顆粒的殼部分，其中，在所述正極活性材料前體的截面中，所述第2一次顆...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種感應(yīng)式方向盤(pán)及其制造方法。感應(yīng)式方向盤(pán)包括方向盤(pán)握把及感應(yīng)電路層。感應(yīng)電路層包括彈性基底層、彈性感應(yīng)圖樣層及第一絕緣保護(hù)層。彈性基底層具有相對(duì)的第一表面及第二表面。彈性感應(yīng)圖樣層設(shè)置在第一表面上，彈性感應(yīng)圖樣層以可延展導(dǎo)電材料...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于三維AND閃存元件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底、介電結(jié)構(gòu)、第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)與第一密封通孔。基底包括元件區(qū)。介電結(jié)構(gòu)位于基底上。第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)位于介電結(jié)構(gòu)中。第一密封環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞元件區(qū)。第一密封通孔位于介電結(jié)構(gòu)中。第一密...
								
            
							
            
							
						
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								      提供制造及整修具有密封件的部件的方法的實(shí)施方式。一種制造具有密封件的部件的方法包括：將第一層直接沉積到主體的密封表面上，其中所述第一層包括3D表面圖案；以及將第二層沉積到所述第一層上，其中所述第二層包括密封材料。一種整修具有密封件的部件的方...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鋰二次電池包含：正極；負(fù)極；插入所述正極和所述負(fù)極之間的隔膜；以及非水電解質(zhì)。所述正極包含正極活性材料，所述正極活性材料包含在除鋰以外的全部金屬元素中含有50摩爾％以上的Mn并且鋰與過(guò)渡金屬的摩爾比超過(guò)1的過(guò)鋰富錳氧化物，所述非水電解質(zhì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N切換方法、網(wǎng)關(guān)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，涉及通信技術(shù)領(lǐng)域。切換方法應(yīng)用于主網(wǎng)關(guān)設(shè)備，該切換方法包括：在確定目標(biāo)終端需要進(jìn)行切換的情況下，分別向源子網(wǎng)關(guān)設(shè)備和目標(biāo)子網(wǎng)關(guān)設(shè)備發(fā)送切換指令；其中，切換指令用于控制目標(biāo)終端由源子...
								
            
							
            
							
						
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