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								      本申請(qǐng)涉及一種正極活性層組合物、正極活性包覆顆粒、正極膜、固態(tài)電池、用電裝置和應(yīng)用。該正極活性層組合物包括正極活性包覆顆粒和正極電解質(zhì)顆粒；正極活性包覆顆粒包括正極活性本體以及包覆于正極活性本體至少一部分表面上的包覆層，包覆層包括第二包覆子...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種復(fù)合正極材料及其制備方法、正極、電池和用電裝置，復(fù)合正極材料包括核體和包覆層，核體含有富鋰錳基正極材料；包覆層包覆于所述核體的至少部分表面，所述包覆層包括鈣鈦礦材料和快離子導(dǎo)體材料。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極極片、及其制備方法、二次電池和用電裝置。本申請(qǐng)的正極極片具有較高的壓實(shí)密度。
								
            
							
            
							
						
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								      一種負(fù)極片、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域；通過(guò)使設(shè)于內(nèi)層的第一負(fù)極活性材料層的體積容量密度大于設(shè)于外層的第二負(fù)極活性材料層的體積容量密度，也即內(nèi)層的高容量材料的添加量高于外層，從而降低其應(yīng)用作為電池時(shí)高容量材料和電解液接觸的概...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化硅，保護(hù)層的剪切強(qiáng)度G滿(mǎn)足：G≥110MPa。本申請(qǐng)的技術(shù)方案有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化硅；基于極片的第一位置的所有元素的總質(zhì)量計(jì)，Si元素的質(zhì)量含量A滿(mǎn)足：A<0.01wt％，第一位置為距離端部表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化鋁或氧化硅，保護(hù)層的最小電阻R滿(mǎn)足：R≥25Ω。本申請(qǐng)的技術(shù)方案中的保護(hù)層較為致密，有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極極片，正極極片包括正極膜層，正極膜層包含添加劑，添加劑包括酸性物質(zhì)、脫鋰物質(zhì)中的一種或多種；和/或，正極膜層包括正極活性材料，正極活性材料包括尖晶石結(jié)構(gòu)的含鋰錳復(fù)合氧化物，正極活性材料的結(jié)構(gòu)通式包括：Li1+a...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N鋰離子電池及用電裝置。鋰離子電池包括正極極片、負(fù)極極片和電解液；其中，所述正極極片包括包括正極活性材料，所述正極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時(shí)間常數(shù)為T(mén)p，所述負(fù)極極片包括負(fù)極活性材料，所述負(fù)極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法、電子設(shè)備。其中，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：基板；芯片，芯片設(shè)于基板上；封裝層，封裝層設(shè)于基板上且環(huán)繞芯片，封裝層上形成有至少一個(gè)第一倒角結(jié)構(gòu)，第一倒角結(jié)構(gòu)設(shè)于封裝層上相鄰的兩個(gè)側(cè)壁之間。本申請(qǐng)能夠降低芯片封...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N三維無(wú)源器件及其制備方法，三維無(wú)源器件包括第一無(wú)源元件和第二無(wú)源元件，第一無(wú)源元件的兩個(gè)電極和第二無(wú)源元件的第一電極設(shè)置于玻璃基板的第一面，第二無(wú)源元件的第二電極設(shè)置于玻璃基板的第二面，第二面的表面粗糙度小于或等于5nm。本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法，包括：提供襯底；形成第一電極層，其在第一類(lèi)金屬線上方具有第一開(kāi)口；形成介電層及形成第二電極層，其在第二類(lèi)金屬線上方具有第二開(kāi)口；依次交替形成剩余的介電層及電極層，其中奇數(shù)電極層依次位于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓力控制器以及注塑工裝的新技術(shù)方案。壓力控制器包括氣箱組件和控制組件，控制組件包括基座和罩體，罩體罩設(shè)于基座，氣箱組件包括氣箱主體；基座的部分位于罩體外，基座與氣箱主體的支撐面固定連接，支撐面的與基座接觸的位置與支撐面的邊緣形...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及一種含Ce釹鐵硼磁體，其中，含Ce釹鐵硼磁體包含薄殼層晶粒、反殼層晶粒和厚殼層晶粒；反殼層晶粒的核部的HRE含量高于殼部的HRE含量；厚殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含量；薄殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種無(wú)鹵阻燃絕緣線纜及其制備方法，包括內(nèi)芯、包覆于內(nèi)芯的粘結(jié)層以及包覆于粘結(jié)層的防護(hù)層；防護(hù)層包括：聚乙烯樹(shù)脂、第一礦物粉、玻璃粉、硅酸鋁纖維、阻燃劑、成陶助劑、粘結(jié)劑以及相容劑；粘結(jié)層包括：乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、共聚酰胺、增粘...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種參數(shù)設(shè)置方法和醫(yī)學(xué)設(shè)備。該方法包括：獲取醫(yī)學(xué)設(shè)備的用戶(hù)交互界面中設(shè)置當(dāng)前協(xié)議參數(shù)，并對(duì)當(dāng)前協(xié)議參數(shù)進(jìn)行合理性校驗(yàn)，得到參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)而根據(jù)參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果輸出參數(shù)設(shè)置提示信息。其中，參數(shù)設(shè)置提示信息用于指示對(duì)醫(yī)學(xué)設(shè)備當(dāng)前協(xié)議參數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微笑模擬的交互方法、系統(tǒng)及電子設(shè)備，包括：顯示第一界面，第一界面包括第一用戶(hù)管理或查看牙齒診療信息的操作界面，第一界面包括第一控件，第一控件用于觸發(fā)微笑模擬導(dǎo)引功能；響應(yīng)于第一控件的操作，顯示第二界面，第二界面用于生成跳轉(zhuǎn)信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于深度學(xué)習(xí)的超材料微波吸收器的設(shè)計(jì)方法，包括數(shù)據(jù)的獲取和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練。首先搭建了一個(gè)正向預(yù)測(cè)的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，即由超材料微波吸收器的結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)其對(duì)應(yīng)的吸收率和紅外發(fā)射率；對(duì)于逆向設(shè)計(jì)模型，加入了自編碼器來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)降維...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。其中，該存儲(chǔ)器裝置包括：第一堆疊；其中，所述第一堆疊包括：第一溝道結(jié)構(gòu)；沿所述第一溝道結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向形成的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元；與所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元一一耦接的多個(gè)第一字線；與所述多個(gè)第一字線一一耦接...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器陣列以及與所述存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路；所述存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元串以及與所述存儲(chǔ)單元串的一端耦接的導(dǎo)電線；所述外圍電路被配置為：在第一編程...
								
            
							
            
							
						
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