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          • 一種框架斷路器或隔離開關(guān)滅弧室和觸頭系統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu),其特征在于:它包括動觸頭和靜觸頭,所述動觸頭和靜觸頭布置在殼體內(nèi)位于滅弧室下方位置,所述動觸頭和靜觸頭分斷時候產(chǎn)生的電弧能夠被引導進入滅弧室被熄滅,所述動觸頭上的動銀點與靜觸頭上的靜銀點在...
          • 一種框架斷路器或隔離開關(guān)用靜觸頭引弧角,所述靜觸頭引弧角a設(shè)置在滅弧柵片組一側(cè)端的外側(cè)方,所述靜觸頭引弧角一端與靜觸頭連接,另一端延伸到所述滅弧柵片組一端的外側(cè)方,所述靜觸頭引弧角另一端的端點位于所述滅弧柵片組高度的3/5~4/5位置處。框...
          • 本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)雙腔體系統(tǒng)中偏置發(fā)生器之間相位延遲的設(shè)備和方法,雙腔體系統(tǒng)包括:第一腔體裝置,包括:包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發(fā)生器;第二腔體裝置,包括:包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發(fā)生器,其...
          • 本申請實施例公開了一種電子設(shè)備、電子器件及其制作方法,涉及金剛石技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有金剛石在半導體異質(zhì)材料成膜時生長界面的結(jié)合力差,導致容易脫膜失效的問題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導體器件層。其中,緩沖層具有相對設(shè)置的第一...
          • 本發(fā)明提供一種清潔方法及半導體設(shè)備,半導體設(shè)備包括傳輸腔室、及用于對傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵,傳輸腔室的腔壁上設(shè)有出氣口及多個充氣口,出氣口和多個充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個拐角區(qū)域均能夠被氣體吹掃;抽氣泵組的抽速低于高...
          • 本發(fā)明提供一種壓環(huán)組件、半導體工藝腔室及其控制方法。壓環(huán)組件包括環(huán)形本體;在環(huán)形本體內(nèi)沿其周向環(huán)繞設(shè)置有環(huán)形負壓通道,環(huán)形負壓通道在環(huán)形本體上形成有抽入口和抽出口;環(huán)形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動,在環(huán)形本體處于第一位置的情況下...
          • 本申請實施例公開了一種電子電路器件及電子設(shè)備。該電子電路器件包括本體結(jié)構(gòu)和接口焊點,該本體結(jié)構(gòu)包括有機材料,接口焊點與本體結(jié)構(gòu)電連接;在本體結(jié)構(gòu)的外周表面包覆有防潮層,防潮層包括無機膜層,且接口焊點外露于防潮層,以構(gòu)建相應的電連接。如此設(shè)置...
          • 本申請實施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物及封裝體,第一芯片與第一基板層疊設(shè)置,第一阻擋結(jié)構(gòu)設(shè)于互連件的外表面,第一芯片與互連件之間通過連接物連接,第一阻擋結(jié)構(gòu)、連接物、第一芯...
          • 本申請實施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和封裝結(jié)構(gòu)的制備方法,涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中,封裝結(jié)構(gòu)包括第一芯片、第一布線層、第二布線層、第一封裝層、第一連接部和第二芯片。第一布線層設(shè)于第一芯片的第一表面所在一側(cè)且與第一芯片電連接。第二布線層...
          • 本申請實施例提供了一種基板、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和基板的制備方法,涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中,基板包括層疊結(jié)構(gòu)、導電芯、磁性件和導磁件。層疊結(jié)構(gòu)包括多層布線層和多層介質(zhì)層,布線層和介質(zhì)層交替層疊設(shè)置。導電芯嵌設(shè)在層疊結(jié)構(gòu)中,且貫穿至少一層介質(zhì)...
          • 半導體結(jié)構(gòu)包括基板、主動元件、至少一放電結(jié)構(gòu)、柵極接墊、多層互連金屬層以及熔絲結(jié)構(gòu)。基板具有主動區(qū)和虛設(shè)區(qū)。主動元件設(shè)置于基板的主動區(qū)。放電結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板的虛設(shè)區(qū)。柵極接墊設(shè)置于主動元件與放電結(jié)構(gòu)上方。多層互連金屬層設(shè)置于基板上方并位于柵極...
          • 本公開涉及一種預鋰化鋰離子電池負極片及其制備方法和鋰離子電池。所述方法包括以下步驟:S1、將金屬鋰與基質(zhì)材料混合,進行球磨處理,得到預鋰化前驅(qū)體,基質(zhì)材料選自硅和氧化亞硅中的一種或兩種;S2、將預鋰化前驅(qū)體與電解液混合,進行穩(wěn)定化處理,得到...
          • 本公開涉及一種具有核殼結(jié)構(gòu)的三元正極材料及其制備方法和應用,該方法包括以下步驟:S1、將鋰源與鎳鈷錳氫氧化物三元前驅(qū)體混合,將得到的混合物在第一含氧氣氛下進行第一熱處理,得到第一物料;S2、將所述第一物料與含有銨鹽的溶液接觸并進行浸漬,將得...
          • 本公開涉及一種預鋰化負極材料及其制備方法、負極和含鋰電池。包括以下步驟:S1、將第一含硅基質(zhì)與有機碳源接觸,進行碳包覆處理,得到碳包覆含硅基質(zhì);S2、將金屬鋰與第二含硅基質(zhì)接觸,進行第一球磨處理,得到預鋰前驅(qū)體;S3、將預鋰前驅(qū)體與第一有機...
          • 本申請涉及一種氟氮共摻雜的碳包覆正極材料及其制備方法,通過在正極活性物質(zhì)表面設(shè)置氟氮共摻雜的碳包覆層,有效改善了正極材料的循環(huán)性能。將本申請的正極材料應用到電池體系中,能夠提高電池的循環(huán)壽命。
          • 本申請涉及一種二次電池、凝膠電解質(zhì)前驅(qū)液、制備方法和用電裝置。該二次電池包括電極極片;任一個電極極片獨立地包括電極活性材料層;二次電池包括凝膠電解質(zhì),凝膠電解質(zhì)包括第一凝膠電解質(zhì)和第二凝膠電解質(zhì),第一凝膠電解質(zhì)位于電極活性材料層的內(nèi)部,第二...
          • 本發(fā)明涉及新能源領(lǐng)域,尤其涉及電池散熱領(lǐng)域。一種彈性電池水冷散熱器,包括由散熱芯內(nèi)部安裝彈片形成的彈性結(jié)構(gòu),或者由兩列散熱芯將彈片夾在中間形成的彈性結(jié)構(gòu),或者由兩列散熱芯和彈片交替安裝形成的彈性結(jié)構(gòu)。電池放置在散熱芯的外側(cè),由彈片的彈力保持...
          • 本申請公開了一種電芯、電池、車輛及電芯補鋰方法,涉及鋰電池技術(shù)領(lǐng)域。該電芯包括電芯本體、端蓋、正電極、負電極和含鋰電極。所述端蓋設(shè)置在所述電芯本體的一端,所述端蓋設(shè)有第一極柱、第二極柱和第三極柱;所述正電極、所述負電極和所述含鋰電極每一者的...
          • 本申請的實施例提供了隔膜,該隔膜包括:基底膜層和設(shè)置在基底膜層上的補鋰層,補鋰層具有:補鋰劑、導電劑、以及聚酰亞胺,其中,聚酰亞胺包覆補鋰劑與導電劑。本申請的實施例提供的隔膜由于具有補鋰層,能夠用于補充活性鋰離子,另外,聚酰亞胺包覆補鋰劑,...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N二次電池及用電裝置,二次電池包括由負極極片、隔離膜和正極極片層疊形成的層疊結(jié)構(gòu),負極極片和/或正極極片包括活性材料區(qū)和粘結(jié)區(qū),粘結(jié)區(qū)沿第一方向位于活性材料區(qū)的兩側(cè);在第二方向上,粘結(jié)區(qū)相對于活性材料區(qū)伸出,隔離膜相對于活性材...
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