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								      本發(fā)明公開(kāi)一種端子本體、端子和連接器。端子本體包括：第一端子板，包括第一對(duì)配板和與第一對(duì)配板相連的第一連接板；第二端子板，位于第一端子板的上方并包括第二對(duì)配板和與第二對(duì)配板相連的第二連接板。第一對(duì)配板和第二對(duì)配板在端子本體的厚度方向上間隔相...
								
            
							
            
							
						
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								      一種端子模組，包括一差分信號(hào)端子對(duì)、兩個(gè)接地端子及一絕緣架。每一個(gè)該接地端子具有一板面。該絕緣架一體成型地局部包覆該差分信號(hào)端子對(duì)與該兩個(gè)接地端子。該絕緣架具有對(duì)應(yīng)該兩個(gè)接地端子的兩個(gè)板面的一表面，該表面設(shè)置有兩個(gè)凹陷段。每一個(gè)該凹陷段的位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)是關(guān)于一種方向圖可重構(gòu)的天線，涉及天線技術(shù)領(lǐng)域。該天線包括：天線單元以及饋電網(wǎng)絡(luò)；天線單元位于饋電網(wǎng)絡(luò)的上層且與饋電網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)，包括主輻射天線，第一類寄生天線組以及第二類寄生天線組；第一類寄生天線組中的第一類寄生天線沿x軸分布在主輻射天...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種天線組件及通信設(shè)備。本申請(qǐng)旨在簡(jiǎn)化連接天線的線路，安裝和制作。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種天線組件，包括第一天線和第二天線，第一天線包括第一金屬層、第二金屬層及第一饋電結(jié)構(gòu)，傳播第一信號(hào)并產(chǎn)生了磁流；第二天線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種形狀記憶聚合物增強(qiáng)復(fù)合隔膜及其制備方法與應(yīng)用。所述復(fù)合隔膜包括隔膜基底和負(fù)載于所述隔膜基底一側(cè)表面的形狀記憶聚合物涂層，涂層的厚度為1～15μm；所述形狀記憶聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為70～130℃。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鋰離子電池電解液、鋰離子電池及用電裝置，鋰離子電池電解液包括：有機(jī)溶劑、鋰鹽電解質(zhì)、高溫改善添加劑及循環(huán)改善添加劑；其中，高溫改善添加劑在鋰離子電池電解液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1wt％～5wt％，高溫改善添加劑包括聯(lián)二硫酸乙烯酯、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及涂碳鋁箔漿料技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種鋰電池用涂碳鋁箔漿料的制備方法；包括以下制備步驟：將聚乙烯醇加入去離子水中攪拌溶解分散，加熱至80?100℃反應(yīng)0.5?3h；降溫至75?80℃，加入引發(fā)劑，攪拌均勻，加入丙烯酸單體，保溫反應(yīng)2?2...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電池正極材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鈮摻雜正極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述鈮摻雜正極材料為L(zhǎng)iFexNb1?x?yMnyPO4，其中，0.001...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種石墨負(fù)極材料及其制備方法、電池、電池包和用電裝置。一種石墨負(fù)極材料，其包括石墨和石墨表面的包覆層，所述包覆層包括纖維狀分子和親水性高分子；所述親水性高分子是將親水性高分子前驅(qū)體進(jìn)行原位聚合包裹在石墨表面。本發(fā)明能提高負(fù)極極片上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種含磷含碲富鋰錳基正極材料及其制備方法和應(yīng)用。所述含磷含碲富鋰錳基正極材料的化學(xué)式為L(zhǎng)i1+δMnaNibCocTex
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種復(fù)合正極補(bǔ)鋰材料及其制備方法和應(yīng)用，所述復(fù)合正極補(bǔ)鋰材料包括內(nèi)核，以及包覆在所述內(nèi)核表面的修飾層；所述內(nèi)核為富鋰材料，所述修飾層的材料包括草酸鋰，所述修飾層的原材料包括氣化草酸。本發(fā)明通過(guò)借助包含氣化草酸的原材料與富鋰材料表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電池負(fù)極極片結(jié)構(gòu)及其制造方法與電池結(jié)構(gòu)，電池負(fù)極極片結(jié)構(gòu)包括銅箔基板、負(fù)極親鋰層以及鋰金屬層。銅箔基板具有4微米至10微米的厚度。負(fù)極親鋰層設(shè)置于銅箔基板的上表面，并具有0.1微米至0.5微米的厚度，其中負(fù)極親鋰層包括多條納米銀線。鋰金...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝方法及存儲(chǔ)系統(tǒng)，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板、第一芯片組和第二芯片組，封裝基板包括底板和支撐部，底板包括安裝面，支撐部凸設(shè)于安裝面；第一芯片組設(shè)于安裝面，第一芯片組包括沿遠(yuǎn)離底板的方向依次堆疊成臺(tái)階結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理裝置，包括第一腔體、第二腔體和升降裝置，所述升降裝置包括氣缸和托盤，所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi)，所述氣缸的伸縮桿穿過(guò)所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述托盤的頂部可拆卸的設(shè)置有晶圓承載件，所述晶圓承...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N可調(diào)節(jié)光吸收率和透光率的固晶裝置及方法。該裝置包括一第一固晶頭、一第二固晶頭、多個(gè)第一光柵及多個(gè)第二光柵。第一固晶頭可透光。第二固晶頭設(shè)置于第一固晶頭的下方，并且可透光。該多個(gè)第一光柵設(shè)置于第一固晶頭的底部并且彼此之間形成多個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于空間光調(diào)控技術(shù)提高二次諧波表征精度的方法及系統(tǒng)，方法包括在SHG測(cè)量平臺(tái)的入射光路中增加空間光調(diào)制器，對(duì)入射光束的傾斜相差進(jìn)行校正；在SHG測(cè)量平臺(tái)的探測(cè)光路中增加光路調(diào)整器，對(duì)探測(cè)光束進(jìn)行多維度路徑調(diào)整；根據(jù)SHG測(cè)量平...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高密度端子模塊的制法，其包含：在一暫態(tài)襯底上涂布一層膠體，該暫態(tài)襯底具有多個(gè)承載區(qū)；在該層膠體上形成一端子結(jié)構(gòu)，該端子結(jié)構(gòu)具有一絕緣基材及分布在該絕緣基材中的多組柱狀導(dǎo)體，該些組柱狀導(dǎo)體對(duì)應(yīng)豎立于該些承載區(qū)上方且皆是以一預(yù)定圖案分布在該...
								
            
							
            
							
						
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								      公開(kāi)了基于芯片背面晶圓鍵合的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。一種示例性方法包括：提供第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及載體結(jié)構(gòu)。該方法還包括：將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合到載體結(jié)構(gòu)的表面，其中，第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法和光電探測(cè)器，所述形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成氧化層；對(duì)氧化層進(jìn)行第一刻蝕，在氧化層內(nèi)形成第一開(kāi)口，第一開(kāi)口暴露出襯底的部分表面；對(duì)第一開(kāi)口暴露出的襯底的部分表面進(jìn)行第二刻蝕，在襯底內(nèi)形成第二開(kāi)口，其中，第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的工藝方法和半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的工藝方法，包括以下步驟：采用解耦等離子體工藝對(duì)硅襯底進(jìn)行等離子處理，以使所述硅襯底朝向于等離子噴射方向的至少部分表面形成預(yù)處理層；采用氧化工藝對(duì)所述硅襯底的表面進(jìn)行氧化處理，...
								
            
							
            
							
						
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