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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請涉及一種電纜金屬護套恢復裝置及方法。其包括銜接件、收束件及填補件，銜接件包括容納腔和開口，容納腔用于供電纜嵌入，開口連通于容納腔，開口用于供電纜通過以嵌入容納腔，開口沿銜接件的軸向延伸并貫穿銜接件的側(cè)壁；收束件用于收束銜接件以使得銜接...
								
            
							
            
							
						
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								      一種擴充裝置，用以供一電子裝置組裝，包含一承載座、一電連接器及至少一第一定位凸塊。承載座具有一組裝槽。電連接器設(shè)置于承載座的組裝槽內(nèi)，以連接電子裝置。第一定位凸塊具有一導斜面且位于組裝槽內(nèi)。第一定位凸塊于組裝槽內(nèi)形成涵蓋第一定位凸塊的一第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N充電樁設(shè)備及其充電方法。充電樁設(shè)備包括第二充電裝置及第一充電裝置。第一充電裝置具有第一充電接觸部、驅(qū)動部及控制電路。控制電路根據(jù)充電條件的判斷以相對輸出充電指令或停止充電指令給驅(qū)動部。驅(qū)動部于接收到充電指令時控制第一充電接觸部...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提出一種天線模組、車輛和基站，其中，天線模組包括：金屬板；金屬體，金屬體設(shè)置在金屬板上，且金屬體包括：交叉布置并呈設(shè)定角度的第一縫隙和第二縫隙，第一縫隙和第二縫隙均包括：沿金屬板厚度方向貫穿出金屬體的橫向開口和沿金屬板平面方向貫穿出金...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種天線裝置，該天線裝置包括：基板，所述基板包括第一主表面、與所述第一主表面相反的第二主表面、以及連接所述第一主表面和所述第二主表面的至少一個側(cè)表面；天線圖案，所述天線圖案形成在所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一個上；和天...
								
            
							
            
							
						
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								      一種天線裝置及通信設(shè)備，其中，天線裝置包括殼體、輻射體和饋線，殼體內(nèi)設(shè)置有容置空間。輻射體包括至少一個輻射單元，輻射單元設(shè)置于容置空間內(nèi)，且連接于殼體的內(nèi)壁。饋線的至少部分設(shè)置于容置空間內(nèi)；饋線與輻射單元耦合連接，用于為輻射單元饋電。本申請...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種殼體、電池的外殼、電池、用電裝置和加工殼體的方法，殼體形成有容納腔和與容納腔連通安裝口，容納腔用于容納裸電芯，殼體的殼壁包括側(cè)壁和端壁，側(cè)壁的第一端圍設(shè)形成安裝口，端壁設(shè)置于側(cè)壁的第二端，并與側(cè)壁共同圍設(shè)形...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N極片、極片制備方法、電池單體、電池和用電裝置。極片包括集流體和活性物質(zhì)層，集流體包括沿其寬度方向排列的第一區(qū)域和第二區(qū)域，活性物質(zhì)層設(shè)置在第一區(qū)域，至少部分第二區(qū)域設(shè)置有鈍化層，通過鈍化層以消除第二區(qū)域表面的至少部分尖銳毛刺，...
								
            
							
            
							
						
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								      為克服現(xiàn)有電解液的腈類添加劑難以兼顧高溫和倍率性能的問題，本發(fā)明提供了一種非水電解液和鋰離子電池，所述非水電解液包括非水有機溶劑、電解質(zhì)鹽和添加劑，所述添加劑包括結(jié)構(gòu)式1所示的化合物、結(jié)構(gòu)式2所示的化合物和螯合型鋰鹽添加劑；
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種電解液、電化學裝置及車輛，其中電解液包括電解質(zhì)、溶劑和添加劑；添加劑包括硫酸酯類化合物，硫酸酯類化合物包括式Ⅰ所示化合物或式Ⅱ所示化合物中的至少一種；
							  2025-09-15
							
            
						
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								      一種高離子電導率聚合物電解質(zhì)組合物，所述聚合物電解質(zhì)組合物包括聚合物基底和納米顆粒填料，所述納米顆粒填料包括超小納米顆粒，所述超小納米顆粒表面接枝有導離子聚合物短鏈分子，所述超小納米顆粒的粒徑小于導離子聚合物短鏈分子的回轉(zhuǎn)半徑。本發(fā)明的納米...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種電池。本發(fā)明的電池包括負極和電解液，其中，電解液包括環(huán)狀腈類化合物，以電解液的總質(zhì)量為基準，環(huán)狀腈類化合物的質(zhì)量含量為x wt％，負極包括負極集流體和在負極集流體任意一側(cè)表面的負極活性物質(zhì)層，負極活性物質(zhì)層含有凹部，凹部的寬...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種全電扣式電池的制作方法，包括以下步驟：A1、殼體制作：殼體采用全金屬或金屬加塑料進行制作；A2、正、負極漿料制作；A3、正、負極蓋組制作；A4、填充；A5、干燥加工；A6、壓合；A7、浸泡；A8、隔膜加工；A9、成型。本發(fā)明...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N正極活性材料及其制備方法、正極極片、二次電池和用電裝置，正極活性材料包括鋰過渡金屬氧化物和包覆于所述鋰過渡金屬氧化物至少部分表面的導離子層，所述導離子層包含稀土溴化物固態(tài)電解質(zhì)。本申請?zhí)峁┑恼龢O活性材料可提升全固態(tài)電池的庫倫效...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種封裝芯片及其制作方法、電子設(shè)備，封裝芯片包括基板、芯片和封裝部，基板包括設(shè)置于基板的表面的電連接部和接地部，電連接部與接地部間隔設(shè)置，芯片設(shè)置于基板的表面并與電連接部接觸。封裝部包括覆蓋芯片的絕緣層，以及覆蓋絕緣層的屏蔽層，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成互連金屬層；形成覆蓋互連金屬層的平坦化層，平坦化層與互連金屬層電連接；在平坦化層頂部形成互連通孔結(jié)構(gòu)，互連通孔結(jié)構(gòu)與平坦化層電連接。本發(fā)明有利于保障半導體結(jié)構(gòu)的性能。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)及方法，半導體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底中形成有多個相間隔的互連層；互連焊墊，位于互連層上且與互連層電連接；導電層，位于基底中，導電層包括相連的多個環(huán)狀結(jié)構(gòu)，環(huán)狀結(jié)構(gòu)環(huán)繞互連焊墊。本發(fā)明有利于提高半導體結(jié)構(gòu)的形...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一襯底；在所述第一襯底上形成剝離層；在所述剝離層表面形成第一互連層，所述互連層包括與所述剝離層相接觸的剝離面；提供第二晶圓；將所述第一襯底與所述第二晶圓鍵合，使所述第一互連層與所述第二晶圓...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，形成方法包括：提供初始襯底；對所述初始襯底進行預埋處理以形成第一晶圓，所述第一晶圓包括基底、位于所述基底上的剝離層以及位于所述剝離層上的有源層；提供第二晶圓，所述第二晶圓包括襯底以及所述襯底上的第一器件層；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種承載裝置及半導體工藝設(shè)備，涉及半導體工藝技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述承載裝置包括：基座、支撐機構(gòu)和夾持機構(gòu)；支撐機構(gòu)沿豎直方向穿設(shè)于基座，夾持機構(gòu)設(shè)于基座的外周，基座能夠相對支撐機構(gòu)升降；在基座由第一位置升高至第二位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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