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          • 本發(fā)明涉及一種鉛酸蓄電池極板浸泡設(shè)備,屬于鉛酸蓄電池的制造技術(shù)領(lǐng)域,解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉛酸蓄電池使用壽命短的問題。本發(fā)明包括浸泡池和輸送機(jī)構(gòu),所述輸送機(jī)構(gòu)的至少一部分位于所述浸泡池內(nèi),且從所述浸泡池的第一端延伸至第二端;還包括吸附機(jī)構(gòu),所述吸...
          • 本發(fā)明涉及集流體技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種增韌納米涂層集流體的制備方法。步驟1:(1)將小分子RAFT試劑、功能性單體、硬單體制備得到大分子RAFT試劑;(2)將大分子RAFT試劑先嵌段軟單體,然后嵌段硬單體,得到嵌段彈性體;步驟2:將導(dǎo)電劑、嵌...
          • 本申請公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、形成方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置,包括基底和位于所述基底上的介質(zhì)層,所述介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)焊墊;所述焊墊的至少一個(gè)轉(zhuǎn)角為弧形墊角,所述弧形墊角具有能夠分散應(yīng)力的曲面。本申請?jiān)诮橘|(zhì)層中設(shè)置多個(gè)焊墊,該焊墊的至少一個(gè)轉(zhuǎn)角...
          • 本發(fā)明提供一種積層結(jié)構(gòu),包含基底、第一金屬圖案層、模封層以及第二金屬圖案層。第一金屬圖案層形成于基底上。模封層的至少一部分與第一金屬圖案層位于同一層。第二金屬圖案層形成于第一金屬圖案層上,且第二金屬圖案層具有顯露模封層的開口圖案。第二金屬圖...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,旨在簡化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中將通孔做成″酒杯狀″的工藝流程,減小晶圓被污染的風(fēng)險(xiǎn)。該方法包括提供襯底。在襯底的表面形成介質(zhì)層。在介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底的表面形成凹槽。利用反應(yīng)氣體,至少在凹...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N原位去除銅氧化物的方法,包括以下步驟:將次磷酸水溶液噴灑至銅氧化物的表面,所述次磷酸與所述銅氧化物反應(yīng)生成氫化亞銅;加熱分解所述氫化亞銅,原位形成銅單質(zhì)。本申請利用還原性的次磷酸與銅氧化物反應(yīng)生成固體氫化亞銅,生成的氫化亞銅...
          • 一種具有不同儲(chǔ)存框架的晶圓盒,所述晶圓盒包括一底座、一第一儲(chǔ)存框架、一第二儲(chǔ)存框架及一蓋體;所述第一儲(chǔ)存框架配置為儲(chǔ)存至少一第一晶圓片,所述第二儲(chǔ)存框架配置為儲(chǔ)存至少一第二晶圓片,所述第一晶圓片投影至所述底座的一圓周定義為一第一圓弧輪廓,所...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的檢測方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,半導(dǎo)體器件的檢測方法包括:獲取晶圓的晶圓殘差圖,所述晶圓殘差圖包括所述晶圓的多個(gè)檢測區(qū)域的灰度成像;獲取所述晶圓殘差圖上的至少一條灰度曲線段,所述灰度曲線段...
          • 一種激光輔助鍵合方法包括:將半導(dǎo)體芯片放置于基板上,其中所述半導(dǎo)體芯片在其前表面具有針對紅外光線的抗反射層,并且在所述基板與所述半導(dǎo)體芯片之間形成有焊料凸塊;以及將紅外激光束通過所述抗反射層照射到所述半導(dǎo)體芯片,以通過被所述半導(dǎo)體芯片吸收的...
          • 本申請涉及一種旋鈕模組、旋鈕模組的狀態(tài)確定方法、裝置及電子設(shè)備,旋鈕模組包括:控制器、旋鈕、凸輪、第一機(jī)械開關(guān)和第二機(jī)械開關(guān);旋鈕與凸輪連接,凸輪包括層疊設(shè)置的第一區(qū)間和第二區(qū)間,第一區(qū)間包括多個(gè)第一凸起點(diǎn),第二區(qū)間包括多個(gè)第二凸起點(diǎn);其中...
          • 本發(fā)明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法,其包括如下步驟:1)多孔碳納米纖維的制備;2)多孔泡沫石墨烯的制備;3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中,超聲分散40m...
          • 本發(fā)明公開了一種電磁鐵組件及具有其的制動(dòng)鎖止裝置,其電磁鐵組件包括電磁鐵殼體、推桿軸以及設(shè)在電磁鐵殼體內(nèi)的靜鐵芯、動(dòng)鐵芯和磁體線圈繞組結(jié)構(gòu),所述推桿軸貫穿靜鐵芯的芯孔布置并與動(dòng)鐵芯固定相連,所述推桿軸和靜鐵芯的芯孔之間和/或所述靜鐵芯和動(dòng)鐵...
          • 本申請公開了一種配體信息生成模型的訓(xùn)練、配體信息的生成方法及裝置,屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括:獲取樣本受體信息和樣本配體信息,樣本配體信息描述的配體與樣本受體信息描述的受體之間的結(jié)合親和力不小于設(shè)定親和力;通過待訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型基于樣...
          • 本申請公開了一種分子結(jié)合預(yù)測模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:通過分子結(jié)合預(yù)測模型對第一生物分子樣本的序列進(jìn)行特征提取,得到第一特征;通過分子結(jié)合預(yù)測模型對第二生物分子樣本的序列進(jìn)行特征提取,得到第二特...
          • 本申請公開了一種內(nèi)存的編解碼方法方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),編碼方法包括:獲取待寫入的數(shù)據(jù)塊和與數(shù)據(jù)塊對應(yīng)的已知字串;對數(shù)據(jù)塊和已知字串進(jìn)行糾錯(cuò)編碼得到糾錯(cuò)信息;將數(shù)據(jù)塊和糾錯(cuò)信息進(jìn)行拼接得到糾錯(cuò)碼碼字并存入內(nèi)存。通過引入已知字串與數(shù)據(jù)...
          • 本申請實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、存儲(chǔ)器控制器及操作方法。其中,存儲(chǔ)器裝置包括:存儲(chǔ)單元陣列,包括多個(gè)存儲(chǔ)單元,預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的存儲(chǔ)單元形成一個(gè)碼字;外圍電路,與存儲(chǔ)單元陣列耦接且被配置為:獲取至少一個(gè)碼字在目標(biāo)讀取電壓下對應(yīng)的第一結(jié)果...
          • 本申請實(shí)施例提供一種相變存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。在本申請實(shí)施例中,在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源,在寫階段,利用SRAM提供的位圖可以對各個(gè)粗粒度單位時(shí)間是否發(fā)生寫操作進(jìn)行記錄;利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...
          • 本公開涉及一種打擊音頻生成方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及車輛。該方法包括:接收預(yù)設(shè)終端依次發(fā)送的多個(gè)速度信號(hào);其中,多個(gè)速度信號(hào)用于記錄預(yù)設(shè)終端隨用戶手部移動(dòng)的速度,速度信號(hào)包括時(shí)序相鄰的第一速度信號(hào)和第二速度信號(hào),第一速度信號(hào)的時(shí)序先于第二...
          • 本發(fā)明提供一種基于輕量級(jí)語音增強(qiáng)模型的語音增強(qiáng)方法,該方法包括:步驟S1,獲取待增強(qiáng)的語音信號(hào);步驟S2,將語音信號(hào)輸入預(yù)先訓(xùn)練的輕量級(jí)語音增強(qiáng)模型,得到語音信號(hào)的增強(qiáng)信號(hào),其中,輕量級(jí)語音增強(qiáng)模型以門控循環(huán)單元與混合專家模型的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)為骨...
          • 本公開實(shí)施例提供了一種語音處理方法、裝置、電子設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括:確定第一語音數(shù)據(jù)對應(yīng)的第一語音特征信息,第一語音特征信息為在采用流式語音識(shí)別模型對第一語音數(shù)據(jù)進(jìn)行識(shí)別時(shí)流式語音識(shí)別模型中編碼器的中間層輸出特征進(jìn)行確定;采用預(yù)訓(xùn)練...
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