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          • 本發明屬于顯示面板技術領域,公開了雙面顯示屏及其制造方法。雙面顯示屏包括第一光源組件和第二光源組件。其中,第一光源組件包括第一基板和第一發光結構,第一基板上設置有綁定線路,綁定線路和第一發光結構電連接。第二光源組件包括第二基板和第二發光結構...
          • 本發明公開了一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板。該陣列基板的制作方法包括:在基板上形成陽極層;陽極層包括至少一個陽極;對至少一個陽極進行混合氣體的等離子體表面預處理;對至少一個陽極進行單種氣體的等離子體表面處理;在基板上形成像素定義...
          • 本申請公開了一種量子設備、量子器件、約瑟夫森結及其制造方法,屬于量子計算技術領域。約瑟夫森結包括第一超導層、第二超導層、以及在二者重疊處的勢壘層。其中第一超導層具有第一線寬,第二超導層具有第二線寬。并且約瑟夫森結定義有由所述重疊處確定的結線...
          • 本申請提供半導體結構及其形成方法,所述半導體結構包括:半導體襯底,所述半導體襯底包括第一區域、第二區域和第三區域,所述第一區域、第二區域和第三區域之間的半導體襯底中形成有溝槽,所述溝槽底部和側壁以及所述半導體襯底表面依次形成有填滿所述溝槽的...
          • 一種嵌入式隱形眼鏡,其包括鏡片主體,該鏡片本體具有前表面和相對的后表面。該鏡片主體由本體水凝膠材料和嵌入該本體水凝膠材料中的圓形插入物構成,且包括在該鏡片主體的該前表面或該后表面上的環形掩模。該圓形插入物包括周邊邊緣。該環形掩模和該插入物兩...
          • 本發明公開了一種農作物葉面噴劑,按重量百分比由以下組分組成:十二醇18%—24%、十六醇9%—12%、乳化劑0.6%—0.9%、正丁醇0.36%—0.48%、調節劑2.3%—2.7%、水48%—60%;本發明還提供了一種農作物葉面噴劑的制備...
          • 本申請涉及自動化測試領域,尤其涉及一種系統測試方法及相關裝置,該方法為:首先,后端設備接收前端設備發送的待測試數據,其中,待測試數據是前端設備基于預設的測試腳本運行待測試系統后獲得的;然后,分別將至少一個待測試字段和相應的參考字段進行匹配,...
          • 本申請涉及一種會話數據搜索方法、裝置、計算機設備和存儲介質。所述方法包括:顯示通信應用的會話界面,響應于在會話界面觸發的會話記錄查看操作,顯示會話記錄顯示區域,在會話記錄顯示區域中顯示與會話界面中顯示的會話消息相關的至少一個會話消息融合卡片...
          • 本發明涉及多功能器件邏輯電路的研發與應用領域,具體為一種基于多功能熱發射極晶體管的多值邏輯電路及構筑方法。該電路由三個平行的多功能熱發射極晶體管并聯組成,自上而下包括頂部具有間隙的石墨烯溝道、氧化鉿絕緣層和鍺襯底,以及位于石墨烯溝道兩側且與...
          • 本申請涉及功率放大器技術領域,提供一種功率放大器、功率放大器鏈路、射頻前端電路及電子設備,能夠解決相關技術中的功率放大器的穩定性較差,容易產生自激現象的問題。該功率放大器,包括襯底層、設置于襯底層上的異質結構層,以及設置于異質結構層上的柵極...
          • 一種粘合劑組合物,其是用于粘貼光學構件的粘合劑組合物,含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)和光引發劑(B),前述光引發劑(B)包含光引發劑(b1),所述光引發劑(b1)為分子內包含具有碳?碳雙鍵的自由基聚合性官能團和自由基產生基團的化合物,且4...
          • 本專利涉及一種薄荷檸檬漿水飲料的生產方法,通過工業化流程實現高效、衛生安全、品質穩定性的生產。具體步驟包括:將薄荷葉、檸檬等原料進行榨汁并攪拌均勻、通過高壓均質和板框壓濾機過濾得到澄清液體、添加果蜜和水調整口感、高溫高壓殺菌、冷卻后通過無菌...
          • 本發明提供用于車輛的提供問候的方法和設備及相應的車輛、計算機設備和存儲介質。該方法包括:獲取步驟:響應于檢測到問候觸發事件,獲取用于生成問候的問候相關信息,所述問候相關信息包括與所述車輛的用戶的狀態相關的用戶狀態相關信息;生成步驟:基于所述...
          • 一種馬達定子結線結構,包含多個銅排端子、一環形絕緣夾持座以及三相及接地的多個漆包銅線。該些銅排端子環形間隔的排列,且每一該銅排端子具有一L型末端焊接部。環形絕緣夾持座是包覆注塑形成以固定該些銅排端子。三相及接地的多個漆包銅線,焊接于該些銅排...
          • 半導體裝置包含基板、源極溝槽結構、柵極溝槽結構與漏極電極。源極溝槽結構在基板中。柵極溝槽結構在基板中,柵極溝槽結構的底面高于源極溝槽結構的底面,其中柵極溝槽結構圍繞源極溝槽結構且界定裝置單元,其中源極溝槽結構在沿既定方向的第一投影面積占裝置...
          • 本申請提供一種半導體結構及其形成方法,所述半導體結構包括:半導體襯底,所述半導體襯底包括第一區域和第二區域,所述第一區域和第二區域的半導體襯底表面都形成有柵極結構;源極溝槽和漏極溝槽,分別位于所述第一區域和第二區域的柵極結構兩側的半導體襯底...
          • 本發明涉及一種ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:P型襯底;第一絕緣隔離結構;第一P型區,第一絕緣隔離結構位于第一P型區的側面;N型區,包括位于第一P型區的底部的下層,和位于下層上的上層,至少部分P型襯底位于下層的下方;導電結構,至少...
          • 本發明涉及一種ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:P型襯底;N型區,至少部分所述P型襯底位于所述N型區下方;P型區,位于所述N型區上;絕緣隔離結構,位于所述N型區的側面和所述P型區的側面,且所述絕緣隔離結構的底部深度比所述N型區的底部...
          • 本發明涉及一種雙向ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:P型襯底;N型埋層,部分所述P型襯底位于所述N型埋層下方;第一P型區,位于所述N型埋層上;P型埋層,部分所述P型襯底位于所述P型埋層下方;第二P型區,位于所述P型埋層上;第一絕緣隔...
          • 本發明涉及一種SOI ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:底部半導體層,具有P型摻雜;掩埋介質層,位于所述底部半導體層上;導電結構,位于所述底部半導體層上,所述導電結構的底部與所述底部半導體層電性連接;P型區,位于所述掩埋介質層上,與...
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