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								      本發(fā)明公開了一種電池片制備方法及電池片，其中，電池片制備方法包括以下步驟：在電池片基底的第一面上形成種子層；在所述種子層上形成掩膜層，所述掩膜層上具有連通種子層的掩膜開口；在所述電池片基底的第二面上形成第一保護層；在所述掩膜開口中電鍍形成金...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種SOI ESD保護器件及其制造方法，所述器件包括：底部半導體層，具有P型摻雜；掩埋介質(zhì)層，位于所述底部半導體層上；導電結(jié)構(gòu)，位于所述底部半導體層上，所述導電結(jié)構(gòu)的底部與所述底部半導體層電性連接；P型區(qū)，位于所述掩埋介質(zhì)層上，與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種雙向ESD保護器件及其制造方法，所述器件包括：P型襯底；N型埋層，部分所述P型襯底位于所述N型埋層下方；第一P型區(qū)，位于所述N型埋層上；P型埋層，部分所述P型襯底位于所述P型埋層下方；第二P型區(qū)，位于所述P型埋層上；第一絕緣隔...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種ESD保護器件及其制造方法，所述器件包括：P型襯底；N型區(qū)，至少部分所述P型襯底位于所述N型區(qū)下方；P型區(qū)，位于所述N型區(qū)上；絕緣隔離結(jié)構(gòu)，位于所述N型區(qū)的側(cè)面和所述P型區(qū)的側(cè)面，且所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)的底部深度比所述N型區(qū)的底部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種ESD保護器件及其制造方法，所述器件包括：P型襯底；第一絕緣隔離結(jié)構(gòu)；第一P型區(qū)，第一絕緣隔離結(jié)構(gòu)位于第一P型區(qū)的側(cè)面；N型區(qū)，包括位于第一P型區(qū)的底部的下層，和位于下層上的上層，至少部分P型襯底位于下層的下方；導電結(jié)構(gòu)，至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導體結(jié)構(gòu)包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導體襯底表面都形成有柵極結(jié)構(gòu)；源極溝槽和漏極溝槽，分別位于所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導體襯底...
								
            
							
            
							
						
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								      半導體裝置包含基板、源極溝槽結(jié)構(gòu)、柵極溝槽結(jié)構(gòu)與漏極電極。源極溝槽結(jié)構(gòu)在基板中。柵極溝槽結(jié)構(gòu)在基板中，柵極溝槽結(jié)構(gòu)的底面高于源極溝槽結(jié)構(gòu)的底面，其中柵極溝槽結(jié)構(gòu)圍繞源極溝槽結(jié)構(gòu)且界定裝置單元，其中源極溝槽結(jié)構(gòu)在沿既定方向的第一投影面積占裝置...
								
            
							
            
							
						
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								      一種馬達定子結(jié)線結(jié)構(gòu)，包含多個銅排端子、一環(huán)形絕緣夾持座以及三相及接地的多個漆包銅線。該些銅排端子環(huán)形間隔的排列，且每一該銅排端子具有一L型末端焊接部。環(huán)形絕緣夾持座是包覆注塑形成以固定該些銅排端子。三相及接地的多個漆包銅線，焊接于該些銅排...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供用于車輛的提供問候的方法和設備及相應的車輛、計算機設備和存儲介質(zhì)。該方法包括：獲取步驟：響應于檢測到問候觸發(fā)事件，獲取用于生成問候的問候相關(guān)信息，所述問候相關(guān)信息包括與所述車輛的用戶的狀態(tài)相關(guān)的用戶狀態(tài)相關(guān)信息；生成步驟：基于所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本專利涉及一種薄荷檸檬漿水飲料的生產(chǎn)方法，通過工業(yè)化流程實現(xiàn)高效、衛(wèi)生安全、品質(zhì)穩(wěn)定性的生產(chǎn)。具體步驟包括：將薄荷葉、檸檬等原料進行榨汁并攪拌均勻、通過高壓均質(zhì)和板框壓濾機過濾得到澄清液體、添加果蜜和水調(diào)整口感、高溫高壓殺菌、冷卻后通過無菌...
								
            
							
            
							
						
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								      一種粘合劑組合物，其是用于粘貼光學構(gòu)件的粘合劑組合物，含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)和光引發(fā)劑(B)，前述光引發(fā)劑(B)包含光引發(fā)劑(b1)，所述光引發(fā)劑(b1)為分子內(nèi)包含具有碳?碳雙鍵的自由基聚合性官能團和自由基產(chǎn)生基團的化合物，且4...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及功率放大器技術(shù)領(lǐng)域，提供一種功率放大器、功率放大器鏈路、射頻前端電路及電子設備，能夠解決相關(guān)技術(shù)中的功率放大器的穩(wěn)定性較差，容易產(chǎn)生自激現(xiàn)象的問題。該功率放大器，包括襯底層、設置于襯底層上的異質(zhì)結(jié)構(gòu)層，以及設置于異質(zhì)結(jié)構(gòu)層上的柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及多功能器件邏輯電路的研發(fā)與應用領(lǐng)域，具體為一種基于多功能熱發(fā)射極晶體管的多值邏輯電路及構(gòu)筑方法。該電路由三個平行的多功能熱發(fā)射極晶體管并聯(lián)組成，自上而下包括頂部具有間隙的石墨烯溝道、氧化鉿絕緣層和鍺襯底，以及位于石墨烯溝道兩側(cè)且與...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種會話數(shù)據(jù)搜索方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。所述方法包括：顯示通信應用的會話界面，響應于在會話界面觸發(fā)的會話記錄查看操作，顯示會話記錄顯示區(qū)域，在會話記錄顯示區(qū)域中顯示與會話界面中顯示的會話消息相關(guān)的至少一個會話消息融合卡片...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及自動化測試領(lǐng)域，尤其涉及一種系統(tǒng)測試方法及相關(guān)裝置，該方法為：首先，后端設備接收前端設備發(fā)送的待測試數(shù)據(jù)，其中，待測試數(shù)據(jù)是前端設備基于預設的測試腳本運行待測試系統(tǒng)后獲得的；然后，分別將至少一個待測試字段和相應的參考字段進行匹配，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種農(nóng)作物葉面噴劑，按重量百分比由以下組分組成：十二醇18%—24%、十六醇9%—12%、乳化劑0.6%—0.9%、正丁醇0.36%—0.48%、調(diào)節(jié)劑2.3%—2.7%、水48%—60%；本發(fā)明還提供了一種農(nóng)作物葉面噴劑的制備...
								
            
							
            
							
						
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								      一種嵌入式隱形眼鏡，其包括鏡片主體，該鏡片本體具有前表面和相對的后表面。該鏡片主體由本體水凝膠材料和嵌入該本體水凝膠材料中的圓形插入物構(gòu)成，且包括在該鏡片主體的該前表面或該后表面上的環(huán)形掩模。該圓形插入物包括周邊邊緣。該環(huán)形掩模和該插入物兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┌雽w結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導體結(jié)構(gòu)包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域之間的半導體襯底中形成有溝槽，所述溝槽底部和側(cè)壁以及所述半導體襯底表面依次形成有填滿所述溝槽的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種量子設備、量子器件、約瑟夫森結(jié)及其制造方法，屬于量子計算技術(shù)領(lǐng)域。約瑟夫森結(jié)包括第一超導層、第二超導層、以及在二者重疊處的勢壘層。其中第一超導層具有第一線寬，第二超導層具有第二線寬。并且約瑟夫森結(jié)定義有由所述重疊處確定的結(jié)線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板。該陣列基板的制作方法包括：在基板上形成陽極層；陽極層包括至少一個陽極；對至少一個陽極進行混合氣體的等離子體表面預處理；對至少一個陽極進行單種氣體的等離子體表面處理；在基板上形成像素定義...
								
            
							
            
							
						
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