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半導體結構及其形成方法、封裝結構及方法

一種半導體結構及其形成方法、封裝結構及方法，半導體結構包括：基底，基底上形成有介質層；金屬層，位于部分厚度的介質層中，介質層露出金屬層頂面，金屬層包括第一金屬層、以及覆蓋第一金屬層的第二金屬層；應力阻隔結構，凸立于第一金屬層，應力阻隔結構將...

2025-09-16
中介層裝置及半導體封裝裝置

一種中介層裝置，用以提供兩個晶片之間的多個通信信號傳遞，包含多個線路層。多個線路層電性連接于兩個晶片之間且沿著垂直方向設置，多個線路層各自以彼此相反的第一或第二方向作為信號傳遞方向傳遞通信信號。第一及第二方向相異于垂直方向。多個線路層各自包...

2025-09-16
半導體結構及其形成方法

一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：襯底、以及凸于襯底的溝道結構；隔離層，位于襯底上、且覆蓋溝道結構的部分側壁，溝道結構凸于隔離層；預埋導電結構，沿垂直于溝道結構的延伸方向位于相鄰溝道結構之間的隔離層中、且凸于隔離層，預埋導電結構的...

2025-09-16
半導體結構及其形成方法、封裝結構

一種半導體結構及其形成方法、封裝結構，半導體結構包括：基底；多層介質層，沿縱向依次堆疊于基底上；應力緩沖層，位于任一層或多層介質層中，應力緩沖層包括在橫向上相間隔的多個子緩沖層。本發(fā)明有利于提升器件良率和工藝穩(wěn)定性。

2025-09-16
傳輸腔室、半導體工藝設備以及晶片傳輸方法

本發(fā)明提供一種傳輸腔室、半導體工藝設備以及晶片傳輸方法。其中，傳輸腔室包括：傳輸腔體、設置在傳輸腔體中的晶片傳輸裝置以及勻氣盤。勻氣盤環(huán)繞晶片傳輸裝置的驅動部設置，其內部具有與外部保護氣源連通的氣體流道，且氣體流道具有多個設置在勻氣盤表面的...

2025-09-16
一種光致彭寧電離質譜方法

本發(fā)明屬于質譜電離領域，具體涉及一種光致彭寧電離質譜方法。用光電效應產(chǎn)生的光電子在電場中加速獲得足夠能量，將基態(tài)的氦He、氖Ne、氬Ar激發(fā)至亞穩(wěn)態(tài)，這些中性原子的亞穩(wěn)態(tài)的能量高于10.6eV(He激發(fā)能20.62和19.82eV；Ne激發(fā)...

2025-09-16
一種用于隔離開關的操作機構

本發(fā)明涉及一種用于隔離開關的操作機構，包括：第一外殼、第二外殼、第三外殼、手柄接口、齒輪、第一滑塊、第二滑塊、第一軸、側板、第二軸、推桿、彈簧、凸接口、凹接口；第一外殼、第二外殼連接；手柄接口設于第一外殼、第二外殼上方；手柄接口與齒輪連接，...

2025-09-16
一種多功能一體按鍵結構

本發(fā)明的一種多功能一體按鍵結構，按鍵包括一個透光上面板，所述的透光上面板的下側面中并列設置有一個第一膜片和至少一個第二膜片，所述的第一膜片和任意一個所述的第二膜片中各自設置有圖案，第一膜片中的圖案由一層第一透光油墨涂覆形成，所述的第一透光油...

2025-09-16
大容量高頻變壓器

本發(fā)明涉及一種大容量高頻變壓器，其中第一C型磁芯和第二C型磁芯上下對稱設置形成口字型芯體，第一線圈組包括一次繞組A和二次繞組A，第二線圈組包括一次繞組B和二次繞組B，一次繞組A、二次繞組A、一次繞組B和二次繞組B均為空心電磁線繞制而成，并且...

2025-09-16
一種導電銀漿、片式聚合物疊層鋁電容器及其制備方法

為克服現(xiàn)有的導電銀漿難以滿足低阻抗和低體積要求的問題，本發(fā)明提供了一種導電銀漿，包括銀粉、第一溶劑和丙烯酸改性含氟環(huán)氧樹脂，所述丙烯酸改性含氟環(huán)氧樹脂含有環(huán)氧基團、丙烯酰氧丙基和氟代烷基結構。同時，本發(fā)明還公開了上述導電銀漿的制備方法以及采...

2025-09-16
一種三維連續(xù)彈性導體及其制備方法

本發(fā)明提供一種三維連續(xù)彈性導體及其制備方法，所述三維連續(xù)彈性導體至少包含三維多孔彈性材料、納米線導電介質。其中所述的三維多孔彈性材料，其孔洞至少包含一級孔洞和二級孔洞，一級孔洞骨架上包含一個或多個二級孔洞。所述納米線導電介質在三維多孔彈性材...

2025-09-16
血流動力學參數(shù)結果的預測方法和計算機設備

本申請涉及一種血流動力學參數(shù)結果的預測方法和計算機設備，該方法包括：獲取檢測對象的目標血管的術前三維模型，以及目標血管的入口血壓和出口血壓；目標血管的至少部分區(qū)域存在狹窄；根據(jù)目標血管的術前三維模型、入口血壓和出口血壓，確定目標血管的出口血...

2025-09-16
病歷數(shù)據(jù)提取腳本生成方法、裝置、計算機設備以及介質

本申請?zhí)峁┮环N病歷數(shù)據(jù)提取腳本生成方法、裝置、計算機設備以及介質，涉及醫(yī)療信息化技術領域，該方法包括：從三方醫(yī)療業(yè)務系統(tǒng)中病歷數(shù)據(jù)接口的接口文檔中提取三方醫(yī)療業(yè)務系統(tǒng)中的多個三方病歷字段的信息，根據(jù)各三方病歷字段的標識信息，確定目標醫(yī)療業(yè)務...

2025-09-16
用于超高場磁共振的人工電磁材料的參數(shù)確定方法及裝置

本發(fā)明公開了一種用于超高場磁共振的人工電磁材料的參數(shù)確定方法及裝置，本發(fā)明改進了現(xiàn)有的人工電磁材料的設計方法，在原來設置周期邊界條件，并獲得散射系數(shù)計算人工電磁材料等效介電常數(shù)的基礎之上，再通過利用微帶線諧振法來精確調整人工電磁材料在感應近...

2025-09-16
固溶元素在增材制造鎳基高溫合金中強化作用的評價方法

本發(fā)明提供一種固溶元素在增材制造鎳基高溫合金中強化作用的評價方法，屬于高溫合金增材制造技術領域，包括以下步驟：步驟1)通過增材制造分別制備第一高溫合金、第二高溫合金至第N高溫合金；第一高溫合金中不含固溶元素，第二高溫合金至第N高溫合金中均含...

2025-09-16
一種預測地下儲氣庫注氣儲層溫度分布的半解析方法

本發(fā)明公開了一種預測地下儲氣庫注氣儲層溫度分布的半解析方法，包括：建立地下儲氣庫的蓋層傳熱模型，結合初始條件進行拉普拉斯變換，并根據(jù)內、外邊界條件計算蓋層與儲層的交界面處溫度；在恒定注氣質量流量下，結合流體的對流傳熱與節(jié)流效應、蓋層傳熱、儲...

2025-09-16
分子生成方法、裝置、設備及存儲介質

本申請公開了一種分子生成方法、裝置、設備及存儲介質，涉及人工智能技術領域。包括：采樣初始層次嵌入，初始層次嵌入包括分子圖層次的初始圖嵌入、子圖層次的初始子圖嵌入以及原子層次的初始原子嵌入，其中，分子圖由節(jié)點和邊構成，節(jié)點表示原子，邊表示連接...

2025-09-16
細胞靶向藥物初篩模型訓練方法、藥物初篩方法及設備

本申請?zhí)峁┘毎邢蛩幬锍鹾Y模型訓練方法、藥物初篩方法及設備，方法包括：獲取設有標簽信息的各個化合物樣本各自對應的分子指紋特征數(shù)據(jù)以形成對應的原始數(shù)據(jù)集，采用距離度量方式對原始數(shù)據(jù)集進行數(shù)據(jù)篩選，并訓練基于圖神經(jīng)網(wǎng)絡的回歸模型以學習各個化合物...

2025-09-16
在OTP存儲器單元中具有垂直晶體管的存儲器器件

本公開描述了在一次性編程(OTP)存儲器單元中具有垂直晶體管的存儲器系統(tǒng)和器件及其制造方法。示例半導體器件包括：存儲器單元的第一陣列，所述存儲器單元的第一陣列至少包括第一存儲器單元。所述第一存儲器單元包括第一垂直晶體管和在第一方向上耦合到所...

2025-09-16
一種存儲裝置、存儲裝置的操作方法及存儲系統(tǒng)

本申請?zhí)峁┝艘环N存儲裝置、存儲裝置的操作方法及存儲系統(tǒng)，涉及半導體芯片技術領域。存儲裝置包括存儲陣列和頁緩沖器，頁緩沖器通過位線與存儲陣列耦接；頁緩沖器充放電電路，耦接到位線、第一感測節(jié)點以及第二感測節(jié)點；在編程周期的驗證階段，充放電電路被...

2025-09-16

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