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								      本申請公開了一種基于AlN/AlGaN超晶格結構的聲波濾波器及其制備方法，涉及濾波器技術領域，包括超晶格主體，其特征在于：所述超晶格主體包括襯底與位于所述襯底一側的壓電超晶格層；其中：所述襯底為Si襯底、藍寶石襯底或SiC襯底；所述壓電超晶...
								
            
							
            
							
						
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								      一種聲學諧振器裝置（400）包括：基板，具有表面；以及壓電板，具有前表面和后表面，除了壓電板的形成跨越基板中的空腔的振膜的部分之外，后表面附接到基板的表面。叉指換能器IDT（130）形成在壓電板的前表面上，使得IDT的交錯指（136、436...
								
            
							
            
							
						
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								      一種濾波器、射頻器件和電子裝置。該濾波器包括串聯支路、N個并聯支路和第一跨接支路。串聯支路包括串聯設置的M個第一諧振器，各并聯支路包括第二諧振器，第一跨接支路包括串聯設置的第三諧振器和第四諧振器。各并聯支路包括第一端和第二端，第一端接地，第...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種表面聲波濾波器及其制備方法、射頻模組。其中，本發明是在晶圓切割分粒的過程中，增加一道制備膠材的工藝，以至少使得每個分割開的所述SAW晶粒的周向側壁上附著有所述膠材，進而在回流焊過程中，所述膠材受熱呈熔融狀態，并在重力作用下流淌...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提出一種同時集成連續衰減與移相功能的反射式帶通濾波器，屬于無線通信系統領域。本發明在形成高選擇性帶通濾波器的同時，實現對通帶相位與幅度的連續獨立調節，從而為高集成小型化無線系統的設計提供一條新思路。本發明基于反射式電路架構搭建，通過調...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種諧振器及濾波器，屬于半導體技術領域。諧振器包括支撐基底和在支撐基底上堆疊的多個諧振單元，諧振單元包括層疊的壓電層、叉指換能器和耦合層，耦合層對相鄰兩個諧振單元所產生的聲波進行耦合。根據本申請的諧振器，通過堆疊多個諧振單元，并...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明由于與形成在壓電振動板的夾著振動部的兩端部的第一、第二安裝端子用金屬膜連接的第一、第二安裝端子形成在與壓電振動板接合的薄膜的外表面上，因此即使為了增大振動部，將振動部的兩側的第一、第二安裝端子用金屬膜的尺寸減小，也能夠確保用于安裝待形...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種零衰減多諧振回路帶內紋波可調諧均衡器及調節方法，具體涉及集成電路技術領域；要點為：均衡器包括依次連接的輸入隔離單元、放大單元、多個電可調諧振單元以及輸出隔離單元；相鄰兩個電可調諧振單元之間均連接有諧振隔離單元；多個電可調諧振...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區域設置有活塞結構，通過改變該末端區域的聲速來實現...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了一種薄膜表面聲波(SAW)射頻濾波器器件，包括：具有第一面和第二面的薄膜壓電層；設置于所述薄膜壓電層第一面的叉指換能器(IDT)金屬結構；具有第一面和第二面的支撐晶圓；在所述支撐晶圓第一面形成的聲速層堆疊結構，其配置包括：形成于...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種體聲學諧振器、包括該體聲學諧振器的濾波器設備、以及包括該濾波器設備的射頻模塊。體聲學諧振器包括：壓電層；以及在壓電層的表面上方的IDT。IDT包括第一多個交錯指狀物和第二多個交錯指狀物。第二多個交錯指狀物的一對子部分在IDT的長度...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條以及金屬凸塊，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區域設置有活塞結構，通過改變該末端區域的聲速來實現更大的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條以及凹陷，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區域設置有活塞結構，通過改變該末端區域的聲速來實現更大的聲速...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種聲表面波濾波器封裝結構及其制備方法、及相關設備，涉及半導體技術領域。在第一方向上叉指電極與承載基板之間具有的間隔區域即聲表面波濾波器的空腔區域；焊盤結構在第一方向上分別與襯底以及承載基板接觸，叉指電極以及焊盤主體結構位于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及體聲波濾波器技術領域，特別涉及一種新結構的橫向激勵薄膜體聲波諧振器及其制備方法，橫向激勵薄膜體聲波諧振器包括：基片以及依次設置于基片上的介質層、壓電薄膜、電極、調頻層；橫向激勵薄膜體聲波諧振器還設置有背腔，背腔穿透基片和部分介質層...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種帶巴倫反饋的X頻段低相噪低駐波信號發生裝置及方法，屬于信息技術領域。本發明方法采用帶巴倫反饋的放大器，輸出通路從巴倫端口輸出，將功率放大器的前后用巴倫隔開，這樣降低信號反射對前級通路的影響，而且巴倫是一種幾乎沒有功率損耗的耦...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種應用于大規模MIMO獨立本振配置的本振功分電路，包括參考低頻本振源、多個鎖相環模塊、功率分配模塊、多個IQ混頻器和射頻處理模塊，參考低頻本振源的輸出端輸出多路低頻參考信號，參考低頻本振源的輸出端分別與多個鎖相環模塊相連，每個鎖...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種MCU芯片的智能復位電路，涉及復位技術領域，包括信號產生模塊，用于產生偏置電流和電壓檢測；整形處理模塊，用于信號整形和反相處理；信號鎖存模塊，用于產生上電復位信號；手動復位模塊，用于手動復位控制；RC濾波模塊，用于信號濾波和...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種模數轉換器、電量檢測電路以及電池管理系統，模數轉換器包括調制器、數字濾波模塊、信號檢測器以及選擇電路；調制器用于對輸入信號進行量化，以輸出量化信號；數字濾波模塊連接于調制器，且用于對量化信號進行濾波；其中數字濾波模塊包...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種基于NMOS管的高壓電子開關電路，涉及電子技術領域，包括：低壓側驅動電路用于將來自外部的第一開關控制信號轉換為第二開關控制信號和第三開關控制信號；高壓側基本驅動電路用于在第二開關控制信號的控制下，為低邊電子開關電路中所有NM...
								
            
							
            
							
						
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