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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明提出了一種數(shù)控電調(diào)陷波器及選數(shù)控制方法,屬于陷波器調(diào)制技術(shù)領(lǐng)域;包括數(shù)控電路,用于生成驅(qū)動(dòng)信號(hào);至少一個(gè)陷波電路,接收所述數(shù)控電路生成的驅(qū)動(dòng)信號(hào),對(duì)輸入射頻信號(hào)進(jìn)行陷波處理;矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,與所述至少一個(gè)陷波電路的輸出端電性連接,用于...
          • 本申請(qǐng)適用于信號(hào)處理技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種自適應(yīng)濾波方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),其自適應(yīng)濾波方法包括:獲取N路并行的第一輸入數(shù)據(jù);將所述N路并行的第一輸入數(shù)據(jù)通過(guò)多路并行變換操作映射至第二處理域,得到N路第二處理域數(shù)據(jù);在第二處理域中,基...
          • 本發(fā)明涉及芯片加工技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種巨量轉(zhuǎn)移方法,該方法首先將各芯片依次轉(zhuǎn)移至驅(qū)動(dòng)背板中,芯片電極與驅(qū)動(dòng)背板中的焊盤(pán)一一對(duì)應(yīng),同時(shí)使后轉(zhuǎn)移芯片上表面到驅(qū)動(dòng)背板的距離大于已轉(zhuǎn)移芯片上表面到驅(qū)動(dòng)背板的距離,即后轉(zhuǎn)移芯片與已轉(zhuǎn)移芯片之間存在一定...
          • 本發(fā)明提供數(shù)字濾波器的生成方法、裝置及數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)。該方法包括:獲取N階IIR數(shù)字濾波器的傳輸特性所對(duì)應(yīng)的零點(diǎn)集合和極點(diǎn)集合;其中,零點(diǎn)集合包括n個(gè)零點(diǎn),極點(diǎn)集合包括m個(gè)極點(diǎn);基于零點(diǎn)集合和極點(diǎn)集合配置二階IIR數(shù)字濾波器的傳輸特性,得...
          • 描述了用于進(jìn)行無(wú)線通信的方法、系統(tǒng)和設(shè)備。在使用糾錯(cuò)碼進(jìn)行編碼之前,可在每組的基礎(chǔ)上將循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)位附加到信息位集合。被附加到每個(gè)信息位組的CRC位的量可基于該信息位組的優(yōu)先級(jí)。例如,該優(yōu)先級(jí)可基于由該信息位組輸送的信息類型。例如...
          • 本發(fā)明提供一種電源鉗位電路和芯片,該電源鉗位電路在現(xiàn)有的電源鉗位電路的基礎(chǔ)上引入一個(gè)增益放大器,進(jìn)而在靜電放電(ESD)事件到來(lái)時(shí),該增益放大器能基于密勒效應(yīng)對(duì)跨接在其輸入端和輸出端上的MOS電容的電容值實(shí)現(xiàn)放大,確保泄流管的開(kāi)啟時(shí)間足夠,...
          • 本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種全息掩模信息生成方法、裝置、曝光設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明提供的一種全息掩模信息生成方法,一種全息掩模信息生成方法,包括:獲取晶圓表面的初始強(qiáng)度信息,根據(jù)初始強(qiáng)度信息獲取晶圓表面的隨機(jī)相位信息;將初...
          • 本發(fā)明涉及濾波器的數(shù)據(jù)技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明提供的一種波導(dǎo)帶通濾波器及其優(yōu)化控制系統(tǒng),旨在解決高精度數(shù)據(jù)處理提升濾波器控制系統(tǒng)復(fù)雜度,導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間延長(zhǎng)的問(wèn)題。本發(fā)明通過(guò)數(shù)據(jù)處理模塊接收通信信號(hào)和基礎(chǔ)數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)篩選模塊篩選并轉(zhuǎn)換信號(hào),參數(shù)調(diào)節(jié)模塊利...
          • 本申請(qǐng)屬于脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種Marx發(fā)生器。該發(fā)生器包括:多級(jí)充放電單元;除第一級(jí)充放電單元以外,其他各級(jí)充放電單元均包括輔助觸發(fā)電路;輔助觸發(fā)電路用于在前一級(jí)充放電單元放電時(shí),向所在充放電單元中雙極晶體管的基極施加觸發(fā)脈沖,...
          • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種偏置電路、偏置芯片及偏置裝置,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,包括:第一電容、第二電容、電感和電阻;所述第一電容的第一端與所述電感的第一端連接并作為所述偏置電路的輸入端,所述第一電容的第二端作為所述偏置電路的輸出端;所述電阻的第一...
          • 本發(fā)明提供一種運(yùn)算放大器,包括:第一運(yùn)算放大單元和第二運(yùn)算放大單元,第一運(yùn)算放大單元包括:第一差分對(duì)、第一鏡像電路、第一輸出級(jí)電路,用于產(chǎn)生第一輸出信號(hào)并反饋至第一差分對(duì);第二運(yùn)算放大單元包括:第二差分對(duì)、第二鏡像電路、第二輸出級(jí)電路,用于...
          • 提供一種靜噪檢測(cè)設(shè)備。靜噪檢測(cè)設(shè)備接收第一和第二輸入信號(hào)以及第一和第二閾值電壓。靜噪檢測(cè)設(shè)備確定第一和第二輸入信號(hào)的第一共模以及第一和第二閾值電壓的第二共模。靜噪檢測(cè)設(shè)備將第一共模與第二共模進(jìn)行平均以產(chǎn)生平均共模,并且將第一和第二輸入信號(hào)的...
          • 本申請(qǐng)屬于共模噪聲抑制領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種基于時(shí)分復(fù)用差分抑制通道低頻共模噪聲的方法及裝置,方法包括:將待測(cè)信號(hào)和參考信號(hào)時(shí)分復(fù)用輸出到同一個(gè)通道,得到復(fù)用信號(hào);時(shí)分復(fù)用為周期分時(shí)交替輸出待測(cè)信號(hào)和參考信號(hào);對(duì)復(fù)用信號(hào)采樣,并對(duì)各半個(gè)周期內(nèi)...
          • 一種對(duì)脈沖進(jìn)行前壓?后截的放電開(kāi)關(guān)裝置,包括:前壓開(kāi)關(guān)、后截開(kāi)關(guān)、密封外殼。本實(shí)用新型利用前壓?后截開(kāi)關(guān)裝置進(jìn)行波形處理,該結(jié)構(gòu)能夠在已有的脈沖條件下,進(jìn)一步產(chǎn)生高幅值、亞納秒級(jí)脈寬的脈沖,能夠滿足特種加工場(chǎng)景以及前沿生物醫(yī)療的需要。本實(shí)用...
          • 本發(fā)明涉及一種基于壓電螺釘?shù)碾x軸全息圖物參角度閉環(huán)調(diào)節(jié)方法及系統(tǒng),該方法包括以下步驟:S1:獲取全息圖并得到頻譜圖;S2:計(jì)算零級(jí)頻譜尺寸并抑制零級(jí);S3:確定正一級(jí)頻譜的可信范圍;S4:計(jì)算理論物參角度,將反光鏡傾角調(diào)至理論物參角度,執(zhí)行...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于SAR ADC的高精度比較器,屬于比較器技術(shù)領(lǐng)域,該所述高精度比較器為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu),第一級(jí)到N級(jí)為靜態(tài)放大器級(jí),其中每一級(jí)的電路結(jié)構(gòu)相同,內(nèi)部的器件尺寸以及驅(qū)動(dòng)電流會(huì)根據(jù)負(fù)載情況而有所調(diào)整;最后一級(jí)為鎖存器,通過(guò)正反饋將放大...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種功率控制系統(tǒng)及控制方法,包括分別與第一放大器、第二放大器和第三放大器的信號(hào)輸入端連接的信號(hào)控制電路和功放柵極電壓控制電路;第一放大器的信號(hào)輸出端與第二放大器的信號(hào)輸出端相連接,第三放大器的信號(hào)輸出端與第一放大器和第二放大...
          • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種二分頻器,包括:第一觸發(fā)器、第二觸發(fā)器、第三觸發(fā)器、第四觸發(fā)器和反相單元;第一觸發(fā)器、第二觸發(fā)器、第三觸發(fā)器、第四觸發(fā)器級(jí)聯(lián),反相單元用于分別對(duì)第一觸發(fā)器輸出的第一中間信號(hào)、第二觸發(fā)器輸出的第二中間信號(hào)、第三觸發(fā)器輸出的...
          • 本申請(qǐng)涉及一種全息防偽圖以及其制作裝置及方法,屬于全息防偽圖制作技術(shù)領(lǐng)域。一種全息防偽圖制作裝置,包括依次布置的光源、小孔濾波器、掩模版、聚光透鏡以及感光材料。所述的,掩模版采用人員手工雕刻成型。本申請(qǐng)的掩模版采用人員手工制作,在刻板中,體...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種超高壓平面MOS的電荷調(diào)控方法及系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體器件性能調(diào)控相關(guān)領(lǐng)域,包括:在器件漂移區(qū)預(yù)構(gòu)建可重構(gòu)耗盡層功能;基于預(yù)設(shè)時(shí)間窗進(jìn)行可重構(gòu)耗盡層功能的狀態(tài)感知;依據(jù)實(shí)時(shí)工作狀態(tài)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)初始化,輸出初始柵極驅(qū)動(dòng)行為;對(duì)實(shí)時(shí)工作狀...
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