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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種電力線信號(hào)噪聲抑制方法、裝置、終端設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),其中方法包括:獲取電力線信號(hào);對(duì)電力線信號(hào)進(jìn)行k層多尺度小波變換,得到k個(gè)層次對(duì)應(yīng)的小波系數(shù);保留第一層的小波系數(shù);針對(duì)第二層到第k層的每一小波系數(shù),根據(jù)預(yù)設(shè)的閾值函數(shù),判斷...
          • 發(fā)明公開(kāi)了一種具有耦合單元的小型化差分帶通濾波器,包括信號(hào)端口、接地端口、通孔、電感、芯片電容、金絲鍵合等元件;在現(xiàn)代日益復(fù)雜的電磁環(huán)境下,單端帶通濾波器難以滿足緊湊布局和高信噪比的需求,小型化差分帶通濾波器不僅有助于節(jié)省空間,而且兼具抗噪...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了低功耗單斜式ADC電路,包括斜坡發(fā)生器,斜坡發(fā)生器依次連接電壓抬升模塊、比較器及計(jì)數(shù)器,比較器與計(jì)數(shù)器均通過(guò)開(kāi)關(guān)S5接時(shí)鐘A和時(shí)鐘B;比較器還連接采樣保持電路。本發(fā)明公開(kāi)了低功耗單斜式ADC電路的控制方法,...
          • 本文公開(kāi)了一種接口組件(100),其包括功能多層結(jié)構(gòu)(20),所述功能多層結(jié)構(gòu)包括第一基板(22、28)、在第一基板(22、28)的第一側(cè)上的模制材料層(26)、以及包括至少一個(gè)傳感器(32;32A、32B)的傳感器布置(30),其中所述傳...
          • 本申請(qǐng)屬于電子電路領(lǐng)域,提供了一種電平轉(zhuǎn)換電路、開(kāi)關(guān)電源芯片及電子設(shè)備。電路包括電壓輸出模塊、邏輯模塊和比較模塊,電壓輸出模塊和邏輯模塊的第一端接收輸出電壓;電壓輸出模塊的第二端分別連接邏輯模塊的第二端和比較模塊的第一端;比較模塊的第二端接...
          • 本發(fā)明涉及感應(yīng)式的接近開(kāi)關(guān),其具有:用于產(chǎn)生交變磁場(chǎng)的初級(jí)線圈;用于驅(qū)動(dòng)初級(jí)線圈的振蕩器;控制器和評(píng)估單元,該控制和評(píng)估單元與振蕩器工作連接并且被設(shè)立成用于檢測(cè)和評(píng)估初級(jí)線圈內(nèi)的電流的幅值和相位并且用于依賴于所檢測(cè)到的初級(jí)線圈內(nèi)的電流地輸出...
          • 本發(fā)明涉及一種用于確定技術(shù)系統(tǒng)(1)中的鎖相環(huán)(2)中的噪聲功率(5)的方法(100),所述方法包括以下步驟:在所述鎖相環(huán)(2)中提供(101)至少一個(gè)諧振器(3),在中心頻率、帶寬和/或積分時(shí)間方面配置(102)所述至少一個(gè)諧振器(3),...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種模塊式牙根尖定位儀信號(hào)調(diào)理電路,包括主控制器、激勵(lì)信號(hào)輸入端口和信號(hào)調(diào)理模塊,所述激勵(lì)信號(hào)輸入端口適于接收由所述主控制器生成的第一激勵(lì)信號(hào);所述信號(hào)調(diào)理模塊包括單端轉(zhuǎn)差分電路、衰減電路和根管測(cè)量輸出端口;所述單端轉(zhuǎn)差分電路與所...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種內(nèi)嵌兩位輔助量化器的SARADC結(jié)構(gòu),其涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。包括:包括輸入電壓模塊、高位電容陣列模塊、橋接電容模塊和比較器模塊。本發(fā)明所提供的一種內(nèi)嵌兩位輔助量化器的SARADC結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)在寬電壓輸入的前提下,通過(guò)兩位...
          • 功率放大系統(tǒng)(7)具備:功率放大器(2);輸出開(kāi)關(guān)電路(30),構(gòu)成為將多個(gè)離散電壓中的至少一個(gè)選擇性地輸出到功率放大器(2);第一濾波電路(41),與將輸出開(kāi)關(guān)電路(30)以及功率放大器(2)之間連結(jié)的路徑(44)連接;第二濾波電路(42...
          • 本申請(qǐng)涉及一種喚醒器電路,其特征在于,包括第一超截止堆疊結(jié)構(gòu),包括彼此串聯(lián)的第一晶體管和第二晶體管,其中第一晶體管的漏電極電連接至電源,源電極與第二晶體管源電極電連接,第一晶體管的柵電極作為第一信號(hào)輸入端,第二晶體管的柵電極作為第二信號(hào)輸入...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的4?2近似壓縮器、控制方法、裝置及應(yīng)用,基于兩個(gè)相同的基于憶阻器的多數(shù)門(mén)電路對(duì)4個(gè)1bit數(shù)X1、X2、X3、X4進(jìn)行近似壓...
          • 功率放大系統(tǒng)(7)具備:功率放大器(2),構(gòu)成為選擇性地被應(yīng)用D-ET模式以及APT模式;跟蹤器電路(1),構(gòu)成為在D-ET模式以及APT模式中,選擇性地將多個(gè)離散電壓的至少一個(gè)電壓供給至功率放大器(2);以及DPD電路(71),構(gòu)成為使功...
          • 本公開(kāi)涉及一種多頻段放大電路及芯片。其中電路包括至少兩個(gè)第一放大單元、第一開(kāi)關(guān)以及第二開(kāi)關(guān);第一放大單元支持的頻段相同;第一開(kāi)關(guān)包括至少兩個(gè)第一端與至少兩個(gè)第二端,第一開(kāi)關(guān)的任一第一端能夠與任一第二端導(dǎo)通;第二開(kāi)關(guān)包括一個(gè)第一端與至少兩個(gè)第...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于直接數(shù)字合成的復(fù)合模擬信號(hào)生成系統(tǒng)及方法,系統(tǒng)包括:上位機(jī),用于預(yù)設(shè)并傳輸計(jì)算參數(shù)和波形特征函數(shù);相位累加器模塊,用于根據(jù)上位機(jī)傳輸?shù)挠?jì)算參數(shù),通過(guò)非線性相位累加算法生成連續(xù)的波形相位序列;波形幅值計(jì)算模塊,用于接收相位...
          • 一種NMOS管高邊防反電路,包括NMOS管Q5及其控制電路。Q5的源極和漏極分別連接電壓輸入端Vin和電壓輸出端Vout。NMOS管控制電路包括第一至第四開(kāi)關(guān)電路、電容C1、單向?qū)ㄔ﨑1、穩(wěn)壓二極管D2和控制器。D1的第一端和第二開(kāi)關(guān)電...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種SAR ADC及實(shí)現(xiàn)方法。其中,SAR ADC包括:模數(shù)轉(zhuǎn)換器(DAC)和比較電路,所述DAC包含電容陣列;所述SAR ADC還包括電壓調(diào)整電路;其中,所述DAC,用于為比較電路提供N個(gè)參考電壓,N為大于或等于2的整數(shù);所述...
          • 本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明公開(kāi)了一種電平轉(zhuǎn)換電路、PCB板及芯片,包括整形單元、升壓?jiǎn)卧⑥D(zhuǎn)換單元和抑制單元;所述整形單元與所述升壓?jiǎn)卧娦赃B接,所述升壓?jiǎn)卧c所述轉(zhuǎn)換單元及所述抑制單元電性連接,所述轉(zhuǎn)換單元與所述抑制電性連接;所述整形...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有電子可調(diào)增益的儀器放大器。通過(guò)電子地控制耦接到該儀器放大器的反饋部分的電阻來(lái)調(diào)節(jié)該增益。通過(guò)由在該儀器放大器的輸入處出現(xiàn)的共模電壓的電阻器控制信號(hào)基準(zhǔn)控制的開(kāi)關(guān)來(lái)調(diào)節(jié)該電阻。因此,該儀器放大器能夠適應(yīng)共模電壓的高電壓范圍...
          • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種開(kāi)關(guān)機(jī)電路,涉及開(kāi)關(guān)機(jī)電路領(lǐng)域,其技術(shù)方案要點(diǎn)是通過(guò)PMOS管控制供電電源和設(shè)備之間的導(dǎo)通與截止,PMOS管的柵極同時(shí)與按鍵開(kāi)關(guān)和由開(kāi)關(guān)機(jī)軟件控制的開(kāi)關(guān)元件連接。設(shè)備開(kāi)機(jī)時(shí),按鍵開(kāi)關(guān)和開(kāi)關(guān)元件任意閉合即可實(shí)現(xiàn)PMOS管的...
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