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                  		電子電路裝置的制造及其應用技術
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本實用新型提供了一種封裝結構，通過根據塑封層的材料流動性不同，結合不同的塑封工藝形成塑封層或塑封層和隔離層，隨后再通過整條研磨工藝減薄封裝結構的厚度而后或在其之前進行裂片，進而實現了在無需改變濾波器芯片的傳統裂片方式的情況下，便可保證封裝結...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明使雜散降低。彈性波裝置(1)具備支承基板(4)、壓電體層(6)、以及IDT電極(7)。支承基板(4)包含石英。壓電體層(6)形成在支承基板(4)上，包含LiTaO3。IDT電極(7)形成在壓電體層(6)上，具有多...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及信息電子材料技術、信息通訊、無線射頻通訊等領域，具體涉及一種聲表面波器件結構及其應用，所述結構自下到上依次包括壓電襯底、金屬指條、溫度補償層，在溫度補償層上設置有附加層，附加層位于金屬指條正上方且附加層在金屬指條延伸方向與金屬指條...
								
            
							
            
							
						
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								      一種叉指型體聲波諧振器及濾波器，涉及諧振器技術領域。該叉指型體聲波諧振器包括襯底和位于襯底上的壓電疊層，壓電疊層包括位于襯底上的壓電層以及位于壓電層上的第一組叉指電極和第二組叉指電極，襯底靠近壓電疊層的一側設有空腔；其中，第一組叉指電極和第...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及聲表面波器件技術領域，具體涉及一種基于濕法轉移氮化鋁薄膜的柔性聲表面波器件及制備方法，具體采用濕法轉移技術將高質量氮化鋁(AlN)壓電薄膜從生長襯底轉移到柔性云母襯底上，通過引入緩沖層(如SrTiO3)解決界面應力問題，并在緩沖層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種體聲波諧振器及其制備方法，涉及諧振器技術領域，通過在方法中融入第一襯底以及單晶薄膜層，并且使得單晶薄膜層作為壓電堆疊膜層的生長表面，進而借助單晶薄膜層的特性，在單晶薄膜層上形成壓電堆疊膜層時，獲得高質量的準單晶壓電層，進而將其...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種諧振器及其制備方法，涉及諧振器技術領域，諧振器包括襯底以及依次層疊于襯底的底電極、壓電層和頂電極，頂電極具有位于諧振器工作區域邊緣的聲反射部，聲反射部朝向背離壓電層的至少一側拱起，以與壓電層之間形成多個反射空腔，利用反射空腔的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及集成電路領域，具體涉及一種流水式折疊內插型模數轉換器。本發明包括含冗余信息的折疊插值結構和糾錯邏輯電路，利用本級的冗余信息和后級的原始量化信息等對本級原始量化信息進行糾錯，再送入編碼電路以產生正確的數據轉換結果，可降低對比較器失調...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體器件技術領域，具體公開了一種濾波器，包括堆疊設置的基板、體聲波諧振器以及半導體制冷器；所述體聲波諧振器設置在所述基板的第一面上，所述半導體制冷器具有制冷端面，所述制冷端面與所述基板的第二面接觸；所述第一面與第二面為所述基板相...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種彈性波器件，電路和電子設備。該彈性波裝置包括電極和兩個壓電層。這兩個壓電層可以分別稱為第一壓電層和第二壓電層。該電極設置在該第一壓電層上，該第一壓電層設置在該第一壓電層之上。該電極被配置為生成具有波長λ的彈性波。該第一壓電層的...
								
            
							
            
							
						
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								      振蕩器和制造方法。在通過FCB進行IC和封裝的接合時，存在IC的性能可能劣化這樣的課題。振蕩器具有：封裝，其在安裝面設置有多個外部端子；電路元件，其收納于所述封裝；以及振子，其收納于所述封裝，與所述電路元件電連接，所述電路元件通過多個焊盤與...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種時鐘數據恢復電路系統及基于其的時鐘恢復運行方法，時鐘數據恢復電路系統包括：數據檢測控制模塊、鑒相器、濾波器以及電壓控制振蕩器；鑒相器第一輸入端用于接入待處理信號，鑒相器第二輸入端接入電壓控制振蕩器輸出端，電壓控制振蕩器輸出端...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開的一種具備抗干擾和欠壓的光MOS點火模塊，其特征在于：包括延時電路、隔離電路、輸出電路；通過延時電路抑制尖峰干擾，光隔離切斷共模干擾，輸入端可承受3～5ms(5V)尖峰及欠壓，確保點火信號穩定；在封裝時采用陶瓷外殼、全裸芯片裝配及...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基于跨導調制的增益誤差抑制電路，涉及集成電路技術領域，包括跨導調制電路、輸入級電路、輸出級電路，其中輸入級電路包括跨導器Gm11和跨導器Gm12，用于將輸入信號VIN和反...
								
            
							
            
							
						
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								      振動元件、振子以及電子器件。提供振蕩特性不易產生偏差的振動元件。振動元件具有配置在振動片的第1面上的第1激勵電極、第1焊盤電極和第1引出布線；配置在振動片的第2面上的第2激勵電極、第2焊盤電極和第2引出布線；以及配置在振動片的第1面上的螺旋...
								
            
							
            
							
						
            • 
					
						
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								      本發明公開了一種基于陶瓷貼片的低通濾波器，包括主體結構、焊盤結構組、電容結構組、電感結構組；焊盤結構組設置于主體結構；電容結構和電感結構設置于主體結構內側；焊盤結構組分別和電容結構組、電感結構組電連接；電容結構組和電感結構組包括諧振控制結構...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種功放電路和電子設備，涉及射頻領域，用于載波支路和峰值支路通過耦合器相耦合時，降低載波支路的插損。功放電路包括：第一功率放大器、第二功率放大器、匹配網絡、第二移相網絡、耦合器、匹配負載，第一功率放大器的輸入端用于輸入射頻信號，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種信號產生電路、鎖頻回路電路及鎖相回路系統。信號產生電路包含第一斬波器、第一轉導放大器、第二斬波器及漣波消除器。第一轉導放大器包含差動輸入電路、電流鏡電路及放大電路。差動輸入電路用以接收差動輸入信號，且差動輸入信號通過電流鏡電路、放大電路...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種濾波器芯片封裝結構及其晶圓級封裝方法，該封裝結構包括：濾波器芯片，濾波器芯片的正面具有諧振器工作區，其邊緣設有多個焊墊結構，焊墊結構的外圍設有支撐圍墻，焊墊結構和支撐圍墻上設有頂蓋層；焊墊結構包括第一焊墊部和第二焊墊部，第一焊...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及超寬帶信號處理技術領域，具體而言，涉及基于信道化技術的超寬帶低延遲信號處理方法，該方法的步驟包括：獲取輸入數字信號，對輸入數字信號進行多相分解，得到K個多相分量；選取原型低通濾波器，并根據信道總數和預設的內插因子從原型低通濾波器的...
								
            
							
            
							
						
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