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                  		電子電路裝置的制造及其應用技術
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明涉及表面聲波(surface acoustic wave，SAW)器件領域。具體地，本發(fā)明的SAW器件抑制了寄生模式，具體為橫向模式。本發(fā)明的所述SAW器件包括：壓電層(101)，用于傳播SAW；至少一個電極(102)，設置在所述壓電...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種濾波器裝置，該濾波器裝置包括基板和附接到該基板的壓電板。導體圖案（638a、638b、738a、738b）形成在壓電板的第一表面上，并且包括串聯(lián)諧振器和并聯(lián)諧振器的叉指換能器，每個叉指換能器在懸置板的相應振膜處具有交錯指狀物。第一...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種濾波器裝置，該濾波器裝置包括基板和附接到該基板的壓電板。導體圖案（638a、638b、738a、738b）形成在壓電板的第一表面上，并且包括串聯(lián)諧振器和并聯(lián)諧振器的叉指換能器，每個叉指換能器在懸置板的相應振膜處具有交錯指狀物。第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種諧振濾波器及其制作方法。諧振濾波器包括：第一襯底；以及形成于第一襯底的第一側的諧振濾波結構，其中諧振濾波結構包括體聲波諧振結構和蘭姆波諧振結構，并且體聲波諧振結構和蘭姆波諧振結構電連接。其中，體聲波諧振結構包括第一電極結構，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種彈性波器件，彈性波器件包括封裝基板和芯片；封裝基板設置有芯片的安裝面，安裝面上直立設置有柱狀凸塊，封裝基板與芯片通過該凸塊連接；柱狀凸塊包括柱狀部分以及形成于柱狀部分上的由焊料構成的焊接部；芯片的一面為功能面，功能面包括：含I...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開內容的各方面涉及實現(xiàn)具有電聲垂直耦合的濾波器的器件、無線通信裝置、方法以及電路系統(tǒng)。一個方面是一種濾波器，其包括：壓電襯底，其具有第一壓電表面以及與第一壓電表面相對的第二壓電表面。濾波器還包括：第一電聲諧振器，其包括被設置在壓電襯底的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種基于溫度補償?shù)倪x擇性工作Lamb波濾波器及其制備方法，涉及半導體技術，針對現(xiàn)有技術中缺乏溫度開關控制的無源器而提出本方案。包括設置在壓電層上的串聯(lián)諧振器和并聯(lián)諧振器；串聯(lián)諧振器串聯(lián)在第一信號端與第二信號端之間，并聯(lián)諧振器并聯(lián)在...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種基于AlN/AlGaN超晶格結構的聲波濾波器及其制備方法，涉及濾波器技術領域，包括超晶格主體，其特征在于：所述超晶格主體包括襯底與位于所述襯底一側的壓電超晶格層；其中：所述襯底為Si襯底、藍寶石襯底或SiC襯底；所述壓電超晶...
								
            
							
            
							
						
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								      一種聲學諧振器裝置（400）包括：基板，具有表面；以及壓電板，具有前表面和后表面，除了壓電板的形成跨越基板中的空腔的振膜的部分之外，后表面附接到基板的表面。叉指換能器IDT（130）形成在壓電板的前表面上，使得IDT的交錯指（136、436...
								
            
							
            
							
						
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								      一種濾波器、射頻器件和電子裝置。該濾波器包括串聯(lián)支路、N個并聯(lián)支路和第一跨接支路。串聯(lián)支路包括串聯(lián)設置的M個第一諧振器，各并聯(lián)支路包括第二諧振器，第一跨接支路包括串聯(lián)設置的第三諧振器和第四諧振器。各并聯(lián)支路包括第一端和第二端，第一端接地，第...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種表面聲波濾波器及其制備方法、射頻模組。其中，本發(fā)明是在晶圓切割分粒的過程中，增加一道制備膠材的工藝，以至少使得每個分割開的所述SAW晶粒的周向側壁上附著有所述膠材，進而在回流焊過程中，所述膠材受熱呈熔融狀態(tài)，并在重力作用下流淌...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出一種同時集成連續(xù)衰減與移相功能的反射式帶通濾波器，屬于無線通信系統(tǒng)領域。本發(fā)明在形成高選擇性帶通濾波器的同時，實現(xiàn)對通帶相位與幅度的連續(xù)獨立調節(jié)，從而為高集成小型化無線系統(tǒng)的設計提供一條新思路。本發(fā)明基于反射式電路架構搭建，通過調...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種諧振器及濾波器，屬于半導體技術領域。諧振器包括支撐基底和在支撐基底上堆疊的多個諧振單元，諧振單元包括層疊的壓電層、叉指換能器和耦合層，耦合層對相鄰兩個諧振單元所產(chǎn)生的聲波進行耦合。根據(jù)本申請的諧振器，通過堆疊多個諧振單元，并...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明由于與形成在壓電振動板的夾著振動部的兩端部的第一、第二安裝端子用金屬膜連接的第一、第二安裝端子形成在與壓電振動板接合的薄膜的外表面上，因此即使為了增大振動部，將振動部的兩側的第一、第二安裝端子用金屬膜的尺寸減小，也能夠確保用于安裝待形...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種零衰減多諧振回路帶內紋波可調諧均衡器及調節(jié)方法，具體涉及集成電路技術領域；要點為：均衡器包括依次連接的輸入隔離單元、放大單元、多個電可調諧振單元以及輸出隔離單元；相鄰兩個電可調諧振單元之間均連接有諧振隔離單元；多個電可調諧振...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區(qū)域設置有活塞結構，通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N薄膜表面聲波(SAW)射頻濾波器器件，包括：具有第一面和第二面的薄膜壓電層；設置于所述薄膜壓電層第一面的叉指換能器(IDT)金屬結構；具有第一面和第二面的支撐晶圓；在所述支撐晶圓第一面形成的聲速層堆疊結構，其配置包括：形成于...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種體聲學諧振器、包括該體聲學諧振器的濾波器設備、以及包括該濾波器設備的射頻模塊。體聲學諧振器包括：壓電層；以及在壓電層的表面上方的IDT。IDT包括第一多個交錯指狀物和第二多個交錯指狀物。第二多個交錯指狀物的一對子部分在IDT的長度...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條以及金屬凸塊，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區(qū)域設置有活塞結構，通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)更大的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條以及凹陷，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區(qū)域設置有活塞結構，通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)更大的聲速...
								
            
							
            
							
						
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