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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種大電流霍爾信號(hào)無(wú)刷開關(guān)，本申請(qǐng)涉及開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括上蓋和基座殼，所述上蓋將基座殼給封閉蓋上，且上蓋和基座殼的一側(cè)之間形成一個(gè)推桿安裝槽，推桿安裝槽內(nèi)穿插有推件，按動(dòng)扳機(jī)后，所述推件的一端帶動(dòng)跳板運(yùn)動(dòng)，另一端帶動(dòng)導(dǎo)通觸片運(yùn)動(dòng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種巨量轉(zhuǎn)移方法和用于巨量轉(zhuǎn)移的功能膜及其制作方法，巨量轉(zhuǎn)移方法包括：將功能膜貼合到暫態(tài)基板上，在第一表面上涂覆熱解膠，熱解膠在多個(gè)第一微結(jié)構(gòu)的限制下流動(dòng)，使熱解膠固化；將暫態(tài)基板與臨時(shí)基板上的LED貼合，使得熱解膠與臨時(shí)基板上的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種串聯(lián)SiC MOSFET短路瞬態(tài)過(guò)壓過(guò)流抑制電路，屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域，包括：n個(gè)短路保護(hù)子電路，短路保護(hù)子電路包括：短路檢測(cè)電路，用于對(duì)SiC MOSFET是否發(fā)生短路進(jìn)行檢測(cè)；過(guò)流抑制電路，用于對(duì)當(dāng)所述短路檢測(cè)電路檢測(cè)到...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于光學(xué)顯微三維成像技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于全內(nèi)反射數(shù)字全息術(shù)的近場(chǎng)層析顯微成像方法。在滿足全內(nèi)反射的條件下，令激光入射角度由大到小變化，激發(fā)穿透深度由淺到深的倏逝波來(lái)照明樣品，利用二次曝光數(shù)字全息干涉術(shù)探測(cè)有/無(wú)樣品時(shí)反射光波的反...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種在小空間也能夠配置位置傳感器的葉片驅(qū)動(dòng)裝置。葉片驅(qū)動(dòng)裝置(1)具備：葉片(11)；四個(gè)組，每組具有磁石(21)和與磁石(21)對(duì)向的至少一個(gè)線圈(121)，通過(guò)磁石(21)與線圈(121)之間產(chǎn)生的電磁力，推動(dòng)葉片(11)活動(dòng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及風(fēng)力發(fā)電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新能源電動(dòng)車風(fēng)力發(fā)電機(jī)系統(tǒng)及控制方法，該系統(tǒng)包括有進(jìn)風(fēng)斜口，設(shè)置于電動(dòng)車前端；通風(fēng)護(hù)網(wǎng)，覆蓋于進(jìn)風(fēng)斜口外側(cè)；風(fēng)力發(fā)電機(jī)，安裝于進(jìn)風(fēng)斜口后方；發(fā)電機(jī)風(fēng)葉，連接至風(fēng)力發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)子；整流穩(wěn)壓電路，連接至風(fēng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種防電磁信息泄露的濾波器，針對(duì)現(xiàn)有的在使用時(shí)不方便對(duì)濾波器進(jìn)行散熱，而濾波器內(nèi)部的零件在運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量，其無(wú)法對(duì)內(nèi)部的熱量進(jìn)行散熱的問(wèn)題，現(xiàn)提出如下方案，包括濾波器本體，濾波器本體的上表面設(shè)有用于對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于航天推進(jìn)技術(shù)中的空間電推進(jìn)領(lǐng)域，涉及一種適用于微型微波離子推力器的磁陣列結(jié)構(gòu)，由多根Halbach型永磁條組成；多根Halbach型永磁條呈圓環(huán)狀排列，每根Halbach磁條的磁場(chǎng)增強(qiáng)指向圓環(huán)所在分布圓的圓心。在同等磁體體積情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，提供一種LED的弱化結(jié)構(gòu)的制作方法及弱化結(jié)構(gòu)，制作方法包括：在生長(zhǎng)基板上制備多個(gè)LED，在暫態(tài)基板的一個(gè)表面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，在臺(tái)階結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離暫態(tài)基板的表面覆蓋粘附層，將生長(zhǎng)基板生長(zhǎng)有LED的表面與臺(tái)階結(jié)構(gòu)具有粘附層的表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種供電電路和電子設(shè)備，屬于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。供電電路包括：第一供電電源和第二供電電源，其中，第二供電電源的供電電壓大于第一供電電源的供電電壓；開關(guān)管，開關(guān)管的第一端與第二供電電源連接，開關(guān)管的第二端接地；第一電源通道，第一電源...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及開關(guān)型非互易防護(hù)電路和通信設(shè)備，該電路包括第一端口電路、定向耦合器、防護(hù)模塊、檢波模塊、開關(guān)模塊和第二端口電路。定向耦合器用于將通路信號(hào)耦合到檢波模塊，檢波模塊用于將耦合信號(hào)轉(zhuǎn)換成檢波電壓，開關(guān)模塊用于在檢波電壓大于開關(guān)導(dǎo)通電壓時(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種安防機(jī)井控制箱，包括控制箱，所述控制箱包括上蓋和側(cè)門，所述控制箱內(nèi)固定有隔板，其特征在于：所述隔板上側(cè)中部固定對(duì)稱的支撐塊，對(duì)稱的所述支撐塊分別固定連接支撐板，所述支撐板的一側(cè)固定有卡槽，所述卡槽內(nèi)兩端分別設(shè)置有滑桿，每...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種通風(fēng)電纜橋架，包括主體；所述主體包括底板，以及位于底板兩側(cè)的側(cè)板；所述側(cè)板邊緣設(shè)置有固定板；所述側(cè)板上陣列設(shè)置有第一通風(fēng)口；所述底板上陣列設(shè)置有第二通風(fēng)口；所述第一通風(fēng)口設(shè)置為突出的弧線槽；所述弧線槽包括進(jìn)風(fēng)口；所述進(jìn)風(fēng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件，包括形成襯底，形成位于襯底上的第一柵極和第二柵極，以及分別形成于第一柵極側(cè)壁和第二柵極側(cè)壁的第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。襯底中形成有間隔設(shè)置的高壓阱區(qū)和低壓阱區(qū)，第一柵極和第二柵極分別對(duì)應(yīng)高壓阱區(qū)和...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種帶護(hù)罩的托盤式電纜橋架，涉及電纜橋架技術(shù)領(lǐng)域，包括內(nèi)置托盤架，所述內(nèi)置托盤架的側(cè)面套接設(shè)置有外置延伸托盤架，所述內(nèi)置托盤架和外置延伸托盤架之間卡合設(shè)置有直板護(hù)罩，本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有的托盤式電纜橋架長(zhǎng)度難以調(diào)節(jié)，形式較為...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種非自對(duì)準(zhǔn)高壓CMOS器件的工藝方法。該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底并形成包含化學(xué)機(jī)械研磨停止層的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；將該停止層在預(yù)定高壓器件區(qū)圖案化為具有梯形截面(斜邊與襯底形成預(yù)定角度θ小于90°)的硬質(zhì)掩模；在形成阱區(qū)之前，以該...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種多層基板以及電子設(shè)備，所述多層基板不易產(chǎn)生絕緣體層的層疊數(shù)不同的部位處的破裂、缺損，所述電子設(shè)備具備該多層基板。多層基板（101）具備第1基板部（1）、第2基板部（2）和隆起部（3）。第1基板部（1）由第1材料形成。第2基板部（2）...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及直線電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，具體公開一種定子組件及直線電機(jī)。定子組件具有寬度方向和長(zhǎng)度方向，定子組件包括至少一排定子單元，每一排定子單元均沿長(zhǎng)度方向延伸，在定子組件包括多排定子單元的情況下，多排定子單元沿寬度方向排列，每一排定子單元均包括沿...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種計(jì)算機(jī)集束電纜用的固定安裝裝置，涉及集束電纜安裝領(lǐng)域，包括安裝盒，所述安裝盒的側(cè)面間隔固定連接有用于卡接集束線纜的安裝槽，還包括壓板，所述壓板連接于安裝盒的側(cè)面，且朝向安裝槽皆設(shè)置有用于卡接集束線纜的卡接槽，所述安裝盒內(nèi)設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種自干擾消除模型生成方法、裝置、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，應(yīng)用于無(wú)線技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：根據(jù)待處理信號(hào)，建立自干擾消除模型，獲得自干擾消除模型的至少一基函數(shù)；通過(guò)GPU對(duì)至少一基函數(shù)進(jìn)行正交化處理，獲得正交處理后基函數(shù)；在GPU中存...
								
            
							
            
							
						
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