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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本申請公開了一種大電流霍爾信號無刷開關(guān),本申請涉及開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,包括上蓋和基座殼,所述上蓋將基座殼給封閉蓋上,且上蓋和基座殼的一側(cè)之間形成一個推桿安裝槽,推桿安裝槽內(nèi)穿插有推件,按動扳機后,所述推件的一端帶動跳板運動,另一端帶動導(dǎo)通觸片運動...
          • 本申請涉及一種巨量轉(zhuǎn)移方法和用于巨量轉(zhuǎn)移的功能膜及其制作方法,巨量轉(zhuǎn)移方法包括:將功能膜貼合到暫態(tài)基板上,在第一表面上涂覆熱解膠,熱解膠在多個第一微結(jié)構(gòu)的限制下流動,使熱解膠固化;將暫態(tài)基板與臨時基板上的LED貼合,使得熱解膠與臨時基板上的...
          • 本發(fā)明公開了一種串聯(lián)SiC MOSFET短路瞬態(tài)過壓過流抑制電路,屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域,包括:n個短路保護(hù)子電路,短路保護(hù)子電路包括:短路檢測電路,用于對SiC MOSFET是否發(fā)生短路進(jìn)行檢測;過流抑制電路,用于對當(dāng)所述短路檢測電路檢測到...
          • 本發(fā)明屬于光學(xué)顯微三維成像技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于全內(nèi)反射數(shù)字全息術(shù)的近場層析顯微成像方法。在滿足全內(nèi)反射的條件下,令激光入射角度由大到小變化,激發(fā)穿透深度由淺到深的倏逝波來照明樣品,利用二次曝光數(shù)字全息干涉術(shù)探測有/無樣品時反射光波的反...
          • 本發(fā)明提供一種在小空間也能夠配置位置傳感器的葉片驅(qū)動裝置。葉片驅(qū)動裝置(1)具備:葉片(11);四個組,每組具有磁石(21)和與磁石(21)對向的至少一個線圈(121),通過磁石(21)與線圈(121)之間產(chǎn)生的電磁力,推動葉片(11)活動...
          • 本發(fā)明涉及風(fēng)力發(fā)電機技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種新能源電動車風(fēng)力發(fā)電機系統(tǒng)及控制方法,該系統(tǒng)包括有進(jìn)風(fēng)斜口,設(shè)置于電動車前端;通風(fēng)護(hù)網(wǎng),覆蓋于進(jìn)風(fēng)斜口外側(cè);風(fēng)力發(fā)電機,安裝于進(jìn)風(fēng)斜口后方;發(fā)電機風(fēng)葉,連接至風(fēng)力發(fā)電機的轉(zhuǎn)子;整流穩(wěn)壓電路,連接至風(fēng)...
          • 本實用新型屬于濾波器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種防電磁信息泄露的濾波器,針對現(xiàn)有的在使用時不方便對濾波器進(jìn)行散熱,而濾波器內(nèi)部的零件在運行時會產(chǎn)生熱量,其無法對內(nèi)部的熱量進(jìn)行散熱的問題,現(xiàn)提出如下方案,包括濾波器本體,濾波器本體的上表面設(shè)有用于對...
          • 本發(fā)明屬于航天推進(jìn)技術(shù)中的空間電推進(jìn)領(lǐng)域,涉及一種適用于微型微波離子推力器的磁陣列結(jié)構(gòu),由多根Halbach型永磁條組成;多根Halbach型永磁條呈圓環(huán)狀排列,每根Halbach磁條的磁場增強指向圓環(huán)所在分布圓的圓心。在同等磁體體積情況下...
          • 本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,提供一種LED的弱化結(jié)構(gòu)的制作方法及弱化結(jié)構(gòu),制作方法包括:在生長基板上制備多個LED,在暫態(tài)基板的一個表面形成臺階結(jié)構(gòu),在臺階結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離暫態(tài)基板的表面覆蓋粘附層,將生長基板生長有LED的表面與臺階結(jié)構(gòu)具有粘附層的表面...
          • 本申請公開了一種供電電路和電子設(shè)備,屬于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。供電電路包括:第一供電電源和第二供電電源,其中,第二供電電源的供電電壓大于第一供電電源的供電電壓;開關(guān)管,開關(guān)管的第一端與第二供電電源連接,開關(guān)管的第二端接地;第一電源通道,第一電源...
          • 本申請涉及開關(guān)型非互易防護(hù)電路和通信設(shè)備,該電路包括第一端口電路、定向耦合器、防護(hù)模塊、檢波模塊、開關(guān)模塊和第二端口電路。定向耦合器用于將通路信號耦合到檢波模塊,檢波模塊用于將耦合信號轉(zhuǎn)換成檢波電壓,開關(guān)模塊用于在檢波電壓大于開關(guān)導(dǎo)通電壓時...
          • 本實用新型公開了一種安防機井控制箱,包括控制箱,所述控制箱包括上蓋和側(cè)門,所述控制箱內(nèi)固定有隔板,其特征在于:所述隔板上側(cè)中部固定對稱的支撐塊,對稱的所述支撐塊分別固定連接支撐板,所述支撐板的一側(cè)固定有卡槽,所述卡槽內(nèi)兩端分別設(shè)置有滑桿,每...
          • 本實用新型公開了一種通風(fēng)電纜橋架,包括主體;所述主體包括底板,以及位于底板兩側(cè)的側(cè)板;所述側(cè)板邊緣設(shè)置有固定板;所述側(cè)板上陣列設(shè)置有第一通風(fēng)口;所述底板上陣列設(shè)置有第二通風(fēng)口;所述第一通風(fēng)口設(shè)置為突出的弧線槽;所述弧線槽包括進(jìn)風(fēng)口;所述進(jìn)風(fēng)...
          • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件,包括形成襯底,形成位于襯底上的第一柵極和第二柵極,以及分別形成于第一柵極側(cè)壁和第二柵極側(cè)壁的第一側(cè)墻和第二側(cè)墻。襯底中形成有間隔設(shè)置的高壓阱區(qū)和低壓阱區(qū),第一柵極和第二柵極分別對應(yīng)高壓阱區(qū)和...
          • 本實用新型公開了一種帶護(hù)罩的托盤式電纜橋架,涉及電纜橋架技術(shù)領(lǐng)域,包括內(nèi)置托盤架,所述內(nèi)置托盤架的側(cè)面套接設(shè)置有外置延伸托盤架,所述內(nèi)置托盤架和外置延伸托盤架之間卡合設(shè)置有直板護(hù)罩,本實用新型解決了現(xiàn)有的托盤式電纜橋架長度難以調(diào)節(jié),形式較為...
          • 本申請公開了一種非自對準(zhǔn)高壓CMOS器件的工藝方法。該方法包括:提供半導(dǎo)體襯底并形成包含化學(xué)機械研磨停止層的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu);將該停止層在預(yù)定高壓器件區(qū)圖案化為具有梯形截面(斜邊與襯底形成預(yù)定角度θ小于90°)的硬質(zhì)掩模;在形成阱區(qū)之前,以該...
          • 提供一種多層基板以及電子設(shè)備,所述多層基板不易產(chǎn)生絕緣體層的層疊數(shù)不同的部位處的破裂、缺損,所述電子設(shè)備具備該多層基板。多層基板(101)具備第1基板部(1)、第2基板部(2)和隆起部(3)。第1基板部(1)由第1材料形成。第2基板部(2)...
          • 本申請涉及直線電機技術(shù)領(lǐng)域,具體公開一種定子組件及直線電機。定子組件具有寬度方向和長度方向,定子組件包括至少一排定子單元,每一排定子單元均沿長度方向延伸,在定子組件包括多排定子單元的情況下,多排定子單元沿寬度方向排列,每一排定子單元均包括沿...
          • 本發(fā)明公開了一種計算機集束電纜用的固定安裝裝置,涉及集束電纜安裝領(lǐng)域,包括安裝盒,所述安裝盒的側(cè)面間隔固定連接有用于卡接集束線纜的安裝槽,還包括壓板,所述壓板連接于安裝盒的側(cè)面,且朝向安裝槽皆設(shè)置有用于卡接集束線纜的卡接槽,所述安裝盒內(nèi)設(shè)置...
          • 本發(fā)明提供一種自干擾消除模型生成方法、裝置、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及存儲介質(zhì),應(yīng)用于無線技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:根據(jù)待處理信號,建立自干擾消除模型,獲得自干擾消除模型的至少一基函數(shù);通過GPU對至少一基函數(shù)進(jìn)行正交化處理,獲得正交處理后基函數(shù);在GPU中存...
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