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電子電路裝置的制造及其應用技術

一種抗串擾與均衡一體的多功能有限脈沖響應濾波器

本申請?zhí)峁┮环N抗串擾與均衡一體的多功能有限脈沖響應濾波器包括若干個濾波單元，每個濾波單元包括分數(shù)間隔前饋均衡器，信號發(fā)射機被配置為出射目標輸入信號或目標干擾源信號；延時選擇器，延時選擇器與分數(shù)間隔前饋均衡器連接，延時選擇器被配置為對分數(shù)間隔...

2025-09-02
晶振基座及其有源石英晶振、制備方法、電子設備

本申請涉及晶振的技術領域，具體涉及一種晶振基座及其有源石英晶振、制備方法、電子設備，有源石英晶振包括晶振基座、晶片和上蓋。晶振基座包括基座本體；IC組件，其包括一體形成于基座本體內(nèi)IC件、與IC件其中一側電極腳連接的內(nèi)引出電極、與IC件另一...

2025-09-02
彈性波濾波器以及高頻模塊

本發(fā)明提供一種確保了DC截止以及通帶中的阻抗匹配的彈性波濾波器以及高頻模塊。彈性波濾波器（1）具備：多個串聯(lián)臂諧振器，配置在將輸入輸出端子（110以及120）連結的串聯(lián)臂路徑，包含串聯(lián)臂諧振子（12以及13）；1個以上的并聯(lián)臂諧振器，連接在...

2025-09-02
基于TSV的集總分布式帶通型共模噪聲抑制濾波器及其設計方法

本發(fā)明公開了基于TSV的集總分布式帶通型共模噪聲抑制濾波器，包括從上到下依次設置的頂部RDL、硅襯底及底部RDL，在頂部RDL中設置有兩根四分之一波長微帶線Line1和Line2，兩根微帶線Line1和Line2的兩端分別連接三個TSV螺旋...

2025-09-02
一種基于NMOS管快速型后端輔管控制高端理想二極管

本發(fā)明公開了一種基于NMOS管快速型后端輔管控制高端理想二極管，涉及功率二極管技術領域，包括電路，所述電路包括電源VCC、NMOS主管V1、比較器電路、偏置電源和驅動電路；所述比較器電路包括兩個獨立輔管或參數(shù)相同且封裝在一起的對管、電阻組成...

2025-09-02
電磁開關驅動電路、電磁開關的控制電路及接觸器系統(tǒng)

本實用新型提供一種電磁開關驅動電路、電磁開關的控制電路及接觸器系統(tǒng)，電磁開關驅動電路包括續(xù)流晶體管、續(xù)流開關、主控開關、自舉電容以及續(xù)流二極管。增設續(xù)流開關來控制續(xù)流晶體管和自舉電容之間線路的通斷，在主控電路的控制下，在主控開關斷開后，可使...

2025-09-02
一種脈寬可調(diào)的交替正負極性電流方波調(diào)制器

本發(fā)明公開了一種脈寬可調(diào)的交替正負極性電流方波調(diào)制器，32KHz振蕩信號經(jīng)兩級反相器整形后一路經(jīng)微分電路輸入兩個555電路的2端，另一路經(jīng)JK觸發(fā)器二分頻后輸入上述兩個555電路的4端，兩個555電路工作為單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，由于一只555電路復...

2025-09-02
一種高壓脈沖開關裝置

本申請涉及一種高壓脈沖開關裝置，包括門極組件，門極壓封組件，芯片組件和并聯(lián)銅環(huán)組件，所述門極組件固定連接在所述門極壓封組件上端，所述芯片組件設置在所述門極壓封組件內(nèi)部，所述并聯(lián)銅環(huán)連接于所述芯片組件下方。通過該并聯(lián)銅環(huán)組件巧妙的解決了多芯片...

2025-09-02
一種時鐘的校正方法及裝置

本申請公開了一種時鐘的校正方法及裝置，涉及集成電路技術領域，用于降低鎖相環(huán)小數(shù)雜散噪聲，以提高鎖相環(huán)的穩(wěn)定性。該方法包括：時鐘校正設備可以根據(jù)獲取的模擬信號和目標分頻系數(shù)確定第一序列。其中，第一序列可用于指示模擬信號對應的第一分頻系數(shù)和第二...

2025-09-02
寬帶高線性低噪聲放大器

本申請涉及微電子、半導體及通信技術領域，揭示了一種寬帶高線性低噪聲放大器，所述電路包括：從信號輸入端到信號輸出端的RC負反饋電路；從信號輸入端到信號輸出端的自適應有源偏置電路，其中，自適應有源偏置電路的電阻R2的一端連接晶體管T3的漏極，電...

2025-09-02
一種基于兩點調(diào)制的鎖相環(huán)頻率調(diào)制信號源

本發(fā)明公開一種基于兩點調(diào)制的鎖相環(huán)頻率調(diào)制信號源，屬于傳感器探測以及鎖相環(huán)技術領域；信號源包括：小數(shù)欠采樣鎖相環(huán)電路和頻率調(diào)制電路；所述小數(shù)欠采樣鎖相環(huán)電路包括：鎖相主環(huán)路、輔助鎖頻環(huán)路和小數(shù)功能模塊，其中，鎖相主環(huán)路通過欠采樣技術實現(xiàn)環(huán)路...

2025-09-02
一種時鐘數(shù)據(jù)恢復電路

本發(fā)明公開了一種時鐘數(shù)據(jù)恢復電路，包括：控制邏輯編碼器，用于根據(jù)預設查找表，將S信號轉換為坐標(si，sq，siq)；鎖相環(huán)用于產(chǎn)生四相正交時鐘，并將其提供至相位旋轉器；相位旋轉器用于通過改變坐標(si，sq，siq)來對四相正交時鐘進行相...

2025-09-02
一種新型GNSS LNA電路

本發(fā)明涉及一種新型GNSS LNA電路，包括：前置濾波器、第一級放大電路、π衰減電路、第二級放大電路和第二濾波器。本發(fā)明的有益效果是：相比于傳統(tǒng)的第一級放大+濾波選頻+第二級放大的GNSS LNA電路構架，本發(fā)明的電路在第二級放大電路后設置...

2025-09-02
彈性波元件

本發(fā)明提供在加入了基于特定歐拉角的旋轉角的旋轉Y切割的水晶基板中使相較于主振動而言處于低相位速度側的振動模態(tài)的機電耦合系數(shù)K²小于主振動而且將主振動的1次及2次溫度系數(shù)大致設為零值、在此基礎上能獲得更接近零值的3次溫度...

2025-09-02
一種用于高壓開關的控制電路

本發(fā)明涉及一種用于高壓開關的控制電路，包括雙MOS高壓開關電路和集成控制電路；所述雙MOS高壓開關電路包括兩級級聯(lián)的高壓MOS開關管；所述集成控制電路包括：跨電壓域控制電路、恒流源驅動電路和過壓保護電路；所述跨電壓域控制電路用于將外部控制信...

2025-09-02
一種基于NMOS管快速型后端輔管控制低端理想二極管

本發(fā)明公開了一種基于NMOS管快速型后端輔管控制低端理想二極管，涉及功率二極管技術領域，所述電路包括電源VCC、NMOS主管V1、比較器電路、偏置電源和驅動電路；所述比較器電路包括兩個獨立輔管或對管、電阻組成；所述比較器電路用于比較NMOS...

2025-09-02
一種用于穿戴傳感系統(tǒng)的多通道可重構電容數(shù)字轉換器

本發(fā)明提供了一種用于穿戴傳感系統(tǒng)的多通道可重構電容數(shù)字轉換器，屬于電容數(shù)字轉換器技術領域。本發(fā)明中所述電容分壓器網(wǎng)絡的輸出端與片上或片外偏移電容校準電路輸入端信號連接，片外偏移電容校準電路的輸出端與片上差分邏輯逐次逼近寄存器型模數(shù)轉換器電路...

2025-09-02
自適應的偏置電路及功率放大電路

本公開提供了一種自適應的偏置電路及功率放大電路；其中，自適應的偏置電路包括耦合模塊、直流轉化模塊和電流拷貝模塊。耦合模塊，連接放大器，被配置為采樣放大器的輸出端的電壓，生成采樣電壓；直流轉化模塊，被配置為接收采樣電壓，并將采樣電壓轉化為直流...

2025-09-02
一種提升晶振自主守時能力的方法和裝置

本申請涉及一種提升晶振自主守時能力的方法和裝置。所述方法包括：在晶振從馴服狀態(tài)轉入自主守時狀態(tài)時，通過對數(shù)模轉換器DAC的數(shù)值進行周期性極化調(diào)制，周期性緩慢改變DAC值，進而周期性緩慢改變晶振的壓控電壓，微調(diào)晶振頻率補償晶振本身的老化率和頻...

2025-09-02
全息超表面結構

本發(fā)明提供一種全息超表面結構，包括：金屬線柵；電控光開關層，所述電控光開關層設置在所述金屬線柵的其中一個表面，所述電控光開關層受到控制信號的控制控制打開或關閉；幾何相位納米柱陣列，所述幾何相位納米柱陣列設置在所述電控光開關層背離所述金屬線柵...

2025-09-02

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