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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		電子電路裝置的制造及其應用技術
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發明公開一種按鍵和鍵盤。其中，該按鍵包括光發射器；光接收器，所述光接收器和所述光發射器間隔設置；底座，所述底座形成有透光部和反射部，所述透光部和所述反射部與所述光發射器呈對應設置，所述反射部可將所述光發射器發出的光信號傳遞至所述光接收器；...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型提供了一種基于線性霍爾傳感器的懷擋開關，包括手柄和底座，所述手柄可移動的連接于所述底座，手柄上設置有第一檔位開關以及至少一個第一霍爾傳感器，第一霍爾傳感器用于采集撥動第一檔位開關時產生的第一磁場信號，并將第一磁場信號轉換成第一電壓...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及信號處理技術領域，尤其涉及一種基于滯后校正拓頻的微震傳感器前端信號調理電路。其中，該基于滯后校正拓頻的微震傳感器前端信號調理電路，包括：差分放大電路，用于將微震傳感器輸入的差分信號轉化為單端的振動信號，并根據預設增益對振動信號進行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種LED芯片轉移方法，通過LED轉移裝置將LED芯片轉移到LED排布板上，LED轉移裝置包括流體池和管道一、管道二和管道三以及設置在流體池內可拆卸安裝的排布板，LED排布板上設置有兩個以上開槽，所述管道二內流體的流動方向與管道...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及信號處理技術領域，尤其涉及短波電臺CW信號的摩爾斯電碼解碼裝置和方法。裝置包括：濾波增益模塊、全波整流模塊、平滑濾波模塊和信號轉換與解碼模塊對CW信號。其中，濾波增益模塊用于接收、濾波和增益控制CW信號；全波整流模塊用于將CW信號...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于及熒光材料技術領域，具體公開了一種量子點熒光玻璃的制備方法與應用。量子點熒光玻璃的制備方法，主要包括以下步驟：將具備核?殼結構的鉍基鈣鈦礦量子點的分散液冷凍干燥后，得到濕凝膠；再加入水，制成濕凝膠溶液；將濕凝膠溶液分散于所述硅烷偶...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種大電流霍爾信號無刷開關，本申請涉及開關技術領域，包括上蓋和基座殼，所述上蓋將基座殼給封閉蓋上，且上蓋和基座殼的一側之間形成一個推桿安裝槽，推桿安裝槽內穿插有推件，按動扳機后，所述推件的一端帶動跳板運動，另一端帶動導通觸片運動...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種巨量轉移方法和用于巨量轉移的功能膜及其制作方法，巨量轉移方法包括：將功能膜貼合到暫態基板上，在第一表面上涂覆熱解膠，熱解膠在多個第一微結構的限制下流動，使熱解膠固化；將暫態基板與臨時基板上的LED貼合，使得熱解膠與臨時基板上的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種串聯SiC MOSFET短路瞬態過壓過流抑制電路，屬于電力電子技術領域，包括：n個短路保護子電路，短路保護子電路包括：短路檢測電路，用于對SiC MOSFET是否發生短路進行檢測；過流抑制電路，用于對當所述短路檢測電路檢測到...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于光學顯微三維成像技術領域，具體涉及一種基于全內反射數字全息術的近場層析顯微成像方法。在滿足全內反射的條件下，令激光入射角度由大到小變化，激發穿透深度由淺到深的倏逝波來照明樣品，利用二次曝光數字全息干涉術探測有/無樣品時反射光波的反...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種在小空間也能夠配置位置傳感器的葉片驅動裝置。葉片驅動裝置(1)具備：葉片(11)；四個組，每組具有磁石(21)和與磁石(21)對向的至少一個線圈(121)，通過磁石(21)與線圈(121)之間產生的電磁力，推動葉片(11)活動...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及風力發電機技術領域，尤其涉及一種新能源電動車風力發電機系統及控制方法，該系統包括有進風斜口，設置于電動車前端；通風護網，覆蓋于進風斜口外側；風力發電機，安裝于進風斜口后方；發電機風葉，連接至風力發電機的轉子；整流穩壓電路，連接至風...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型屬于濾波器技術領域，尤其涉及一種防電磁信息泄露的濾波器，針對現有的在使用時不方便對濾波器進行散熱，而濾波器內部的零件在運行時會產生熱量，其無法對內部的熱量進行散熱的問題，現提出如下方案，包括濾波器本體，濾波器本體的上表面設有用于對...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于航天推進技術中的空間電推進領域，涉及一種適用于微型微波離子推力器的磁陣列結構，由多根Halbach型永磁條組成；多根Halbach型永磁條呈圓環狀排列，每根Halbach磁條的磁場增強指向圓環所在分布圓的圓心。在同等磁體體積情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及顯示技術領域，提供一種LED的弱化結構的制作方法及弱化結構，制作方法包括：在生長基板上制備多個LED，在暫態基板的一個表面形成臺階結構，在臺階結構遠離暫態基板的表面覆蓋粘附層，將生長基板生長有LED的表面與臺階結構具有粘附層的表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種供電電路和電子設備，屬于電子設備技術領域。供電電路包括：第一供電電源和第二供電電源，其中，第二供電電源的供電電壓大于第一供電電源的供電電壓；開關管，開關管的第一端與第二供電電源連接，開關管的第二端接地；第一電源通道，第一電源...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及開關型非互易防護電路和通信設備，該電路包括第一端口電路、定向耦合器、防護模塊、檢波模塊、開關模塊和第二端口電路。定向耦合器用于將通路信號耦合到檢波模塊，檢波模塊用于將耦合信號轉換成檢波電壓，開關模塊用于在檢波電壓大于開關導通電壓時...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種安防機井控制箱，包括控制箱，所述控制箱包括上蓋和側門，所述控制箱內固定有隔板，其特征在于：所述隔板上側中部固定對稱的支撐塊，對稱的所述支撐塊分別固定連接支撐板，所述支撐板的一側固定有卡槽，所述卡槽內兩端分別設置有滑桿，每...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種通風電纜橋架，包括主體；所述主體包括底板，以及位于底板兩側的側板；所述側板邊緣設置有固定板；所述側板上陣列設置有第一通風口；所述底板上陣列設置有第二通風口；所述第一通風口設置為突出的弧線槽；所述弧線槽包括進風口；所述進風...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種半導體器件的制備方法及半導體器件，包括形成襯底，形成位于襯底上的第一柵極和第二柵極，以及分別形成于第一柵極側壁和第二柵極側壁的第一側墻和第二側墻。襯底中形成有間隔設置的高壓阱區和低壓阱區，第一柵極和第二柵極分別對應高壓阱區和...
								
            
							
            
							
						
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