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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明公開了一種基于NMOS管快速型前端輔管控制低端理想二極管,涉及功率二極管技術(shù)領(lǐng)域,電路包括電源VCC、NMOS主管V1、比較器電路、偏置電源和驅(qū)動電路;所述比較器電路包括兩個獨(dú)立輔管或參數(shù)相同且封裝在一起的對管、電阻組成,所述NMOS...
          • 本發(fā)明公開了一種基于NMOS管快速型前端輔管控制高端理想二極管,涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域,所述電路包括NMOS主管V1、比較器電路、偏置電源和驅(qū)動電路;所述比較器電路連接至偏置電源,包括兩個獨(dú)立輔管或參數(shù)相同且封裝的對管、電阻,所述NMOS主管V...
          • 本發(fā)明提供了一種定時觸發(fā)電路、偏置電壓調(diào)整裝置、功率放大器及電子設(shè)備。定時觸發(fā)電路包括至少兩個級聯(lián)的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)模塊,第一級單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)模塊的輸入端接收輸入信號,相鄰的前一級單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)模塊的第一輸出端耦接后一級單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)模塊的輸入端;單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)...
          • 本發(fā)明公開了一種新型平衡不平衡匹配阻抗轉(zhuǎn)換器裝置。所述裝置包括8種阻抗變換比的阻抗轉(zhuǎn)換器、固定板和PVC機(jī)箱。每一種阻抗變換比的阻抗變換器包括鐵氧體磁芯變壓器、輸入諧振電容、輸出諧振電容、不平衡輸入端、平衡輸出端、PVC管和PVC管套。鐵氧...
          • 本申請?zhí)峁┮环N抗串?dāng)_與均衡一體的多功能有限脈沖響應(yīng)濾波器包括若干個濾波單元,每個濾波單元包括分?jǐn)?shù)間隔前饋均衡器,信號發(fā)射機(jī)被配置為出射目標(biāo)輸入信號或目標(biāo)干擾源信號;延時選擇器,延時選擇器與分?jǐn)?shù)間隔前饋均衡器連接,延時選擇器被配置為對分?jǐn)?shù)間隔...
          • 本申請涉及晶振的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種晶振基座及其有源石英晶振、制備方法、電子設(shè)備,有源石英晶振包括晶振基座、晶片和上蓋。晶振基座包括基座本體;IC組件,其包括一體形成于基座本體內(nèi)IC件、與IC件其中一側(cè)電極腳連接的內(nèi)引出電極、與IC件另一...
          • 本發(fā)明提供一種確保了DC截止以及通帶中的阻抗匹配的彈性波濾波器以及高頻模塊。彈性波濾波器(1)具備:多個串聯(lián)臂諧振器,配置在將輸入輸出端子(110以及120)連結(jié)的串聯(lián)臂路徑,包含串聯(lián)臂諧振子(12以及13);1個以上的并聯(lián)臂諧振器,連接在...
          • 本發(fā)明公開了基于TSV的集總分布式帶通型共模噪聲抑制濾波器,包括從上到下依次設(shè)置的頂部RDL、硅襯底及底部RDL,在頂部RDL中設(shè)置有兩根四分之一波長微帶線Line1和Line2,兩根微帶線Line1和Line2的兩端分別連接三個TSV螺旋...
          • 本發(fā)明公開了一種基于NMOS管快速型后端輔管控制高端理想二極管,涉及功率二極管技術(shù)領(lǐng)域,包括電路,所述電路包括電源VCC、NMOS主管V1、比較器電路、偏置電源和驅(qū)動電路;所述比較器電路包括兩個獨(dú)立輔管或參數(shù)相同且封裝在一起的對管、電阻組成...
          • 本實(shí)用新型提供一種電磁開關(guān)驅(qū)動電路、電磁開關(guān)的控制電路及接觸器系統(tǒng),電磁開關(guān)驅(qū)動電路包括續(xù)流晶體管、續(xù)流開關(guān)、主控開關(guān)、自舉電容以及續(xù)流二極管。增設(shè)續(xù)流開關(guān)來控制續(xù)流晶體管和自舉電容之間線路的通斷,在主控電路的控制下,在主控開關(guān)斷開后,可使...
          • 本發(fā)明公開了一種脈寬可調(diào)的交替正負(fù)極性電流方波調(diào)制器,32KHz振蕩信號經(jīng)兩級反相器整形后一路經(jīng)微分電路輸入兩個555電路的2端,另一路經(jīng)JK觸發(fā)器二分頻后輸入上述兩個555電路的4端,兩個555電路工作為單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,由于一只555電路復(fù)...
          • 本申請涉及一種高壓脈沖開關(guān)裝置,包括門極組件,門極壓封組件,芯片組件和并聯(lián)銅環(huán)組件,所述門極組件固定連接在所述門極壓封組件上端,所述芯片組件設(shè)置在所述門極壓封組件內(nèi)部,所述并聯(lián)銅環(huán)連接于所述芯片組件下方。通過該并聯(lián)銅環(huán)組件巧妙的解決了多芯片...
          • 本申請公開了一種時鐘的校正方法及裝置,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,用于降低鎖相環(huán)小數(shù)雜散噪聲,以提高鎖相環(huán)的穩(wěn)定性。該方法包括:時鐘校正設(shè)備可以根據(jù)獲取的模擬信號和目標(biāo)分頻系數(shù)確定第一序列。其中,第一序列可用于指示模擬信號對應(yīng)的第一分頻系數(shù)和第二...
          • 本申請涉及微電子、半導(dǎo)體及通信技術(shù)領(lǐng)域,揭示了一種寬帶高線性低噪聲放大器,所述電路包括:從信號輸入端到信號輸出端的RC負(fù)反饋電路;從信號輸入端到信號輸出端的自適應(yīng)有源偏置電路,其中,自適應(yīng)有源偏置電路的電阻R2的一端連接晶體管T3的漏極,電...
          • 本發(fā)明公開一種基于兩點(diǎn)調(diào)制的鎖相環(huán)頻率調(diào)制信號源,屬于傳感器探測以及鎖相環(huán)技術(shù)領(lǐng)域;信號源包括:小數(shù)欠采樣鎖相環(huán)電路和頻率調(diào)制電路;所述小數(shù)欠采樣鎖相環(huán)電路包括:鎖相主環(huán)路、輔助鎖頻環(huán)路和小數(shù)功能模塊,其中,鎖相主環(huán)路通過欠采樣技術(shù)實(shí)現(xiàn)環(huán)路...
          • 本發(fā)明公開了一種時鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路,包括:控制邏輯編碼器,用于根據(jù)預(yù)設(shè)查找表,將S信號轉(zhuǎn)換為坐標(biāo)(si,sq,siq);鎖相環(huán)用于產(chǎn)生四相正交時鐘,并將其提供至相位旋轉(zhuǎn)器;相位旋轉(zhuǎn)器用于通過改變坐標(biāo)(si,sq,siq)來對四相正交時鐘進(jìn)行相...
          • 本發(fā)明涉及一種新型GNSS LNA電路,包括:前置濾波器、第一級放大電路、π衰減電路、第二級放大電路和第二濾波器。本發(fā)明的有益效果是:相比于傳統(tǒng)的第一級放大+濾波選頻+第二級放大的GNSS LNA電路構(gòu)架,本發(fā)明的電路在第二級放大電路后設(shè)置...
          • 本發(fā)明提供在加入了基于特定歐拉角的旋轉(zhuǎn)角的旋轉(zhuǎn)Y切割的水晶基板中使相較于主振動而言處于低相位速度側(cè)的振動模態(tài)的機(jī)電耦合系數(shù)K2小于主振動而且將主振動的1次及2次溫度系數(shù)大致設(shè)為零值、在此基礎(chǔ)上能獲得更接近零值的3次溫度...
          • 本發(fā)明涉及一種用于高壓開關(guān)的控制電路,包括雙MOS高壓開關(guān)電路和集成控制電路;所述雙MOS高壓開關(guān)電路包括兩級級聯(lián)的高壓MOS開關(guān)管;所述集成控制電路包括:跨電壓域控制電路、恒流源驅(qū)動電路和過壓保護(hù)電路;所述跨電壓域控制電路用于將外部控制信...
          • 本發(fā)明公開了一種基于NMOS管快速型后端輔管控制低端理想二極管,涉及功率二極管技術(shù)領(lǐng)域,所述電路包括電源VCC、NMOS主管V1、比較器電路、偏置電源和驅(qū)動電路;所述比較器電路包括兩個獨(dú)立輔管或?qū)堋㈦娮杞M成;所述比較器電路用于比較NMOS...
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