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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本申請公開了一種諧振器及濾波器,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。諧振器包括支撐基底和在支撐基底上堆疊的多個諧振單元,諧振單元包括層疊的壓電層、叉指換能器和耦合層,耦合層對相鄰兩個諧振單元所產(chǎn)生的聲波進行耦合。根據(jù)本申請的諧振器,通過堆疊多個諧振單元,并...
          • 本發(fā)明提出一種同時集成連續(xù)衰減與移相功能的反射式帶通濾波器,屬于無線通信系統(tǒng)領(lǐng)域。本發(fā)明在形成高選擇性帶通濾波器的同時,實現(xiàn)對通帶相位與幅度的連續(xù)獨立調(diào)節(jié),從而為高集成小型化無線系統(tǒng)的設(shè)計提供一條新思路。本發(fā)明基于反射式電路架構(gòu)搭建,通過調(diào)...
          • 本發(fā)明由于與形成在壓電振動板的夾著振動部的兩端部的第一、第二安裝端子用金屬膜連接的第一、第二安裝端子形成在與壓電振動板接合的薄膜的外表面上,因此即使為了增大振動部,將振動部的兩側(cè)的第一、第二安裝端子用金屬膜的尺寸減小,也能夠確保用于安裝待形...
          • 本發(fā)明公開了一種零衰減多諧振回路帶內(nèi)紋波可調(diào)諧均衡器及調(diào)節(jié)方法,具體涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域;要點為:均衡器包括依次連接的輸入隔離單元、放大單元、多個電可調(diào)諧振單元以及輸出隔離單元;相鄰兩個電可調(diào)諧振單元之間均連接有諧振隔離單元;多個電可調(diào)諧振...
          • 本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷,活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端,可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu),通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N薄膜表面聲波(SAW)射頻濾波器器件,包括:具有第一面和第二面的薄膜壓電層;設(shè)置于所述薄膜壓電層第一面的叉指換能器(IDT)金屬結(jié)構(gòu);具有第一面和第二面的支撐晶圓;在所述支撐晶圓第一面形成的聲速層堆疊結(jié)構(gòu),其配置包括:形成于...
          • 提供了一種體聲學(xué)諧振器、包括該體聲學(xué)諧振器的濾波器設(shè)備、以及包括該濾波器設(shè)備的射頻模塊。體聲學(xué)諧振器包括:壓電層;以及在壓電層的表面上方的IDT。IDT包括第一多個交錯指狀物和第二多個交錯指狀物。第二多個交錯指狀物的一對子部分在IDT的長度...
          • 本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條以及金屬凸塊,活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端,可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu),通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)更大的...
          • 本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條以及凹陷,活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端,可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu),通過改變該末端區(qū)域的聲速來實現(xiàn)更大的聲速...
          • 本發(fā)明提供了一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、及相關(guān)設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在第一方向上叉指電極與承載基板之間具有的間隔區(qū)域即聲表面波濾波器的空腔區(qū)域;焊盤結(jié)構(gòu)在第一方向上分別與襯底以及承載基板接觸,叉指電極以及焊盤主體結(jié)構(gòu)位于第一...
          • 本發(fā)明涉及體聲波濾波器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種新結(jié)構(gòu)的橫向激勵薄膜體聲波諧振器及其制備方法,橫向激勵薄膜體聲波諧振器包括:基片以及依次設(shè)置于基片上的介質(zhì)層、壓電薄膜、電極、調(diào)頻層;橫向激勵薄膜體聲波諧振器還設(shè)置有背腔,背腔穿透基片和部分介質(zhì)層...
          • 本發(fā)明公開了一種帶巴倫反饋的X頻段低相噪低駐波信號發(fā)生裝置及方法,屬于信息技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明方法采用帶巴倫反饋的放大器,輸出通路從巴倫端口輸出,將功率放大器的前后用巴倫隔開,這樣降低信號反射對前級通路的影響,而且巴倫是一種幾乎沒有功率損耗的耦...
          • 本申請實施例提供了一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電量檢測電路以及電池管理系統(tǒng),模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括調(diào)制器、數(shù)字濾波模塊、信號檢測器以及選擇電路;調(diào)制器用于對輸入信號進行量化,以輸出量化信號;數(shù)字濾波模塊連接于調(diào)制器,且用于對量化信號進行濾波;其中數(shù)字濾波模塊包...
          • 本發(fā)明公開了一種MCU芯片的智能復(fù)位電路,涉及復(fù)位技術(shù)領(lǐng)域,包括信號產(chǎn)生模塊,用于產(chǎn)生偏置電流和電壓檢測;整形處理模塊,用于信號整形和反相處理;信號鎖存模塊,用于產(chǎn)生上電復(fù)位信號;手動復(fù)位模塊,用于手動復(fù)位控制;RC濾波模塊,用于信號濾波和...
          • 本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于大規(guī)模MIMO獨立本振配置的本振功分電路,包括參考低頻本振源、多個鎖相環(huán)模塊、功率分配模塊、多個IQ混頻器和射頻處理模塊,參考低頻本振源的輸出端輸出多路低頻參考信號,參考低頻本振源的輸出端分別與多個鎖相環(huán)模塊相連,每個鎖...
          • 本發(fā)明公開了一種基于NMOS管的高壓電子開關(guān)電路,涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,包括:低壓側(cè)驅(qū)動電路用于將來自外部的第一開關(guān)控制信號轉(zhuǎn)換為第二開關(guān)控制信號和第三開關(guān)控制信號;高壓側(cè)基本驅(qū)動電路用于在第二開關(guān)控制信號的控制下,為低邊電子開關(guān)電路中所有NM...
          • 本發(fā)明提供了一種基于Marchand巴倫的負(fù)載調(diào)制推挽式功率放大器及其設(shè)計方法,包括正交耦合器、輔功放電路和推挽式主功放電路。其中正交耦合器負(fù)責(zé)將射頻輸入信號分為幅度相同,相位相差90°的兩路信號,分別輸入輔功放電路和推挽式主功放電路。輔功...
          • 本實用新型公開了一種功率放大器開關(guān)及電子設(shè)備,通過合理的模塊化和復(fù)用策略,能夠有效解決現(xiàn)有功率放大器開關(guān)存在的輸出功率和功率附加效率下降、以及尺寸大和生產(chǎn)成本高的問題。該分布式功效開關(guān)中,N個具有放大功能的晶體管的復(fù)用,使得M個晶體管不僅用...
          • 集成電路裝置和振蕩器。提供能夠降低所輸入的基準(zhǔn)時鐘信號與輸出時鐘信號經(jīng)由端子而發(fā)生干擾的可能性的集成電路裝置。集成電路裝置具備:時鐘輸入端子,其沿所述第1邊配置,用于輸入基準(zhǔn)時鐘信號;第1電源電壓輸入端子,其沿所述第1邊配置,用于輸入第1電...
          • 本發(fā)明公開了一種基于聲音掩蔽效應(yīng)的音頻功放開機爆音抑制方法,屬于功放技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:步驟S1:預(yù)設(shè)用于音頻檢測的電壓參考基準(zhǔn)值;步驟S2:根據(jù)輸入電壓值與電壓參考基準(zhǔn)值的對比,對應(yīng)輸出抑制信號或工作信號;步驟S3:生成PWM信號,通過...
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