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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本申請實施例提供了一種時鐘校準(zhǔn)方法及電路,該方法包括:獲取預(yù)先配置的時鐘校準(zhǔn)配置表;分別基于多個待校準(zhǔn)時鐘的配置表項,根據(jù)DAC模擬電路輸出的諧波功率信號的功率變化多次調(diào)整第一輪校準(zhǔn)方式,DAC模擬電路用于根據(jù)每次調(diào)整后的第一輪校準(zhǔn)方式對每...
          • 本實用新型公開了一種車身域控驅(qū)動電流擺率可調(diào)的智能高邊驅(qū)動電路,包括有電流擺率可調(diào)電路以及與電流擺率可調(diào)電路相接的短路檢測與快速響應(yīng)保護(hù)電路和輸出鉗位電路。本實用新型具有以下優(yōu)點和效果:本實用新型通過精準(zhǔn)阻容匹配,從而控制MOS管MOS2開...
          • 本發(fā)明提供了聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)和聲表面波器件的封裝方法,涉及器件封裝技術(shù)領(lǐng)域,該聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)包括玻璃基板、壓電晶圓和覆膜層,玻璃基板的一側(cè)形成有基板凹槽,基板凹槽的底壁設(shè)置有玻璃通孔,玻璃通孔中形成有導(dǎo)電柱;壓電晶圓貼裝在玻璃...
          • 本申請涉及無線通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)領(lǐng)域,提供一種面向耳后腦電信號的低通道腦電放大電路及腦機接口設(shè)備,包括:干電極傳感模塊,用于進(jìn)行腦電信號采集;前置有源放大模塊,包含高輸入阻抗的運算放大器電路;抗混疊濾波模塊,由多階無源濾波網(wǎng)絡(luò)與有源濾波電路級聯(lián)構(gòu)...
          • 本公開提供一種數(shù)據(jù)壓縮和解壓方法及裝置,數(shù)據(jù)壓縮方法包括:定義壓縮后的數(shù)據(jù)格式,數(shù)據(jù)格式包括數(shù)據(jù)區(qū)和標(biāo)志位區(qū);將待壓縮數(shù)據(jù)當(dāng)前數(shù)據(jù)幀和上一數(shù)據(jù)幀進(jìn)行比較,確定數(shù)據(jù)變化的最高位;將最高位對應(yīng)的位數(shù)表述為預(yù)設(shè)進(jìn)制后存入標(biāo)志位區(qū),作為當(dāng)前數(shù)據(jù)幀的...
          • 本公開提供一種數(shù)據(jù)編碼方法和裝置、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品。種數(shù)據(jù)編碼方法包括:從數(shù)據(jù)表中獲取待編碼數(shù)據(jù)列,其中待編碼數(shù)據(jù)列中包括多行數(shù)據(jù);將待編碼數(shù)據(jù)列中的第1行數(shù)據(jù)寫入緩存,并將第1行數(shù)據(jù)作為當(dāng)前存儲數(shù)據(jù);按照從待編碼數(shù)據(jù)列中的第2行至第N行...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环NLDPC碼的編碼的方法和通信裝置,可以滿足IR?HARQ機制中通過重傳增加冗余比特數(shù)目,使得信道編碼速率降低的需求,能夠提高LDPC碼的譯碼性能。該方法通過將LDPC碼的一個校驗矩陣作為基礎(chǔ)矩陣,對其擴(kuò)展得到可以兼容多種碼率...
          • 本發(fā)明公開一種奇偶數(shù)據(jù)權(quán)重均勻化方法及系統(tǒng)。本發(fā)明的方法包含步驟:判斷多個比特值中的任一個是否等于權(quán)重值,若否,設(shè)定偶數(shù)初始比特以及奇數(shù)初始比特,若是,更新偶數(shù)初始比特為先前最后位移到的偶數(shù)比特的下一個偶數(shù)比特,更新奇數(shù)初始比特為先前最后位...
          • 本發(fā)明公開了一種低功耗Sigma?Delta調(diào)制器,屬于模擬集成電路設(shè)計領(lǐng)域。一種低功耗Sigma?Delta調(diào)制器,包括第一運放單元、第二運放單元、第三運放單元、比較器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器。所述第一運放單元構(gòu)造為第一級積分器,所述第二運放單元構(gòu)造...
          • 本實用新型公開了一種陶瓷脈沖形成線,涉及電子元件領(lǐng)域。用以解決現(xiàn)有陶瓷脈沖形成線依靠多個電容和電感元件多級并聯(lián)形成,存在對電子元件內(nèi)阻、感抗等有要求很嚴(yán)格的問題。包括:矩形陶瓷芯片,其上表面設(shè)置矩形銀片,在所述陶瓷芯片的下表面設(shè)置矩形銀片,...
          • 本申請涉及原子頻標(biāo)領(lǐng)域,提供了一種基于雙原子的原子束鐘靜磁場穩(wěn)定方法及其裝置。通過在傳統(tǒng)原子束鐘的基礎(chǔ)上引入了第二原子,使兩種原子在同路徑、同磁場下共同作用,第一原子負(fù)責(zé)產(chǎn)生鐘躍遷,作為主要頻率參考;而第二原子則專門用于靜磁場穩(wěn)定。通過周期...
          • 本發(fā)明公開了一種高精度的低壓復(fù)位裝置及方法,包括復(fù)位觸發(fā)信號生成模塊、延時濾波模塊和復(fù)位時鐘同步模塊,所述復(fù)位觸發(fā)信號生成模塊通過電性連接延時濾波模塊,所述復(fù)位觸發(fā)信號生成模塊通過電性連接復(fù)位時鐘同步模塊,所述復(fù)位時鐘同步模塊連接有電壓信號...
          • 一種艦載設(shè)備用電感式接近開關(guān),包括一體成型的電感式接近開關(guān)主體、安裝板、調(diào)整墊片,所述電感式接近開關(guān)主體上端為安裝凸緣,下端為圓形橫截面的探測部,所述電感式接近開關(guān)主體的安裝凸緣置于安裝板上方,安裝凸緣與安裝板螺栓固定連接,所述電感式接近開...
          • 本申請公開了一種逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器及其模數(shù)轉(zhuǎn)換方法,屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域,包括:預(yù)加載電容陣列、主電容陣列、比較器和邏輯開關(guān)控制器;主電容陣列和預(yù)加載電容陣列的工作電壓為比較器的 2025-09-18
          • 本發(fā)明公開了一種基于MOS管的高頻功率控制系統(tǒng)及方法,涉及MOS管控制技術(shù)領(lǐng)域,通過對目標(biāo)MOS管的門極驅(qū)動參數(shù)進(jìn)行有針對性的反饋調(diào)節(jié),并結(jié)合驅(qū)動控制邏輯策略的同步更新,使系統(tǒng)具備了對功耗異常行為的快速響應(yīng)與自適應(yīng)調(diào)控能力;最后形成了以周期...
          • 本實用新型公開了一種適用于碘環(huán)境的霍爾推力器,屬于霍爾推力器技術(shù)領(lǐng)域,包括外殼和設(shè)在其內(nèi)的內(nèi)芯,兩者間圍合形成有加速通道,所述加速通道中設(shè)有陶瓷腔殼,且陶瓷腔殼與外殼、內(nèi)芯兩者間均設(shè)有勵磁線圈,金屬陽極和空心陰極,所述陶瓷腔殼端部固定連接有...
          • 本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于高速模式的MIPI電路,包括輸出單元、驅(qū)動單元和匹配單元,所述匹配單元用于產(chǎn)生使MOS管導(dǎo)通阻抗與目標(biāo)阻抗相同的驅(qū)動電壓,并采用所述驅(qū)動電壓為所述驅(qū)動單元供電,所述驅(qū)動單元用于接收初始高速差分信號,產(chǎn)生所述驅(qū)動電壓電壓...
          • 本實用新型提供的電流舵型數(shù)模轉(zhuǎn)換器及其版圖結(jié)構(gòu),包括多個轉(zhuǎn)換單元,每一所述轉(zhuǎn)換單元均包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管;所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的源極相連,以構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)的電流源晶體管;所述第三晶體管的源極和...
          • 本申請涉及空調(diào)技術(shù)領(lǐng)域,提供一種晶振驅(qū)動電路、控制器、空調(diào)控制系統(tǒng)及變頻空調(diào),該晶振驅(qū)動電路包括電源、外圍應(yīng)用電路以及gm自反饋調(diào)節(jié)電路;所述電源產(chǎn)生基準(zhǔn)電流輸出到外圍應(yīng)用電路的放大器,所述gm自反饋調(diào)節(jié)電路產(chǎn)生額外一路隨晶體振蕩幅度變化的...
          • 本實用新型涉及電感式接近開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種電感式接近開關(guān),包括正相對設(shè)置的上板、下板;所述上板、下板之間固定有連接柱;所述連接柱外壁固定有安裝板;所述安裝板的頂部、底部分別對應(yīng)安裝有彈簧狀的第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線;所述第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線相...
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