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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 一種聲學(xué)諧振器裝置(400)包括:基板,具有表面;以及壓電板,具有前表面和后表面,除了壓電板的形成跨越基板中的空腔的振膜的部分之外,后表面附接到基板的表面。叉指換能器IDT(130)形成在壓電板的前表面上,使得IDT的交錯(cuò)指(136、436...
          • 一種濾波器、射頻器件和電子裝置。該濾波器包括串聯(lián)支路、N個(gè)并聯(lián)支路和第一跨接支路。串聯(lián)支路包括串聯(lián)設(shè)置的M個(gè)第一諧振器,各并聯(lián)支路包括第二諧振器,第一跨接支路包括串聯(lián)設(shè)置的第三諧振器和第四諧振器。各并聯(lián)支路包括第一端和第二端,第一端接地,第...
          • 本申請(qǐng)公開了一種諧振器及濾波器,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。諧振器包括支撐基底和在支撐基底上堆疊的多個(gè)諧振單元,諧振單元包括層疊的壓電層、叉指換能器和耦合層,耦合層對(duì)相鄰兩個(gè)諧振單元所產(chǎn)生的聲波進(jìn)行耦合。根據(jù)本申請(qǐng)的諧振器,通過(guò)堆疊多個(gè)諧振單元,并...
          • 本發(fā)明提出一種同時(shí)集成連續(xù)衰減與移相功能的反射式帶通濾波器,屬于無(wú)線通信系統(tǒng)領(lǐng)域。本發(fā)明在形成高選擇性帶通濾波器的同時(shí),實(shí)現(xiàn)對(duì)通帶相位與幅度的連續(xù)獨(dú)立調(diào)節(jié),從而為高集成小型化無(wú)線系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供一條新思路。本發(fā)明基于反射式電路架構(gòu)搭建,通過(guò)調(diào)...
          • 本發(fā)明由于與形成在壓電振動(dòng)板的夾著振動(dòng)部的兩端部的第一、第二安裝端子用金屬膜連接的第一、第二安裝端子形成在與壓電振動(dòng)板接合的薄膜的外表面上,因此即使為了增大振動(dòng)部,將振動(dòng)部的兩側(cè)的第一、第二安裝端子用金屬膜的尺寸減小,也能夠確保用于安裝待形...
          • 本發(fā)明提供一種表面聲波濾波器及其制備方法、射頻模組。其中,本發(fā)明是在晶圓切割分粒的過(guò)程中,增加一道制備膠材的工藝,以至少使得每個(gè)分割開的所述SAW晶粒的周向側(cè)壁上附著有所述膠材,進(jìn)而在回流焊過(guò)程中,所述膠材受熱呈熔融狀態(tài),并在重力作用下流淌...
          • 本發(fā)明公開了一種零衰減多諧振回路帶內(nèi)紋波可調(diào)諧均衡器及調(diào)節(jié)方法,具體涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域;要點(diǎn)為:均衡器包括依次連接的輸入隔離單元、放大單元、多個(gè)電可調(diào)諧振單元以及輸出隔離單元;相鄰兩個(gè)電可調(diào)諧振單元之間均連接有諧振隔離單元;多個(gè)電可調(diào)諧振...
          • 本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷,活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端,可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu),通過(guò)改變?cè)撃┒藚^(qū)域的聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜表面聲波(SAW)射頻濾波器器件,包括:具有第一面和第二面的薄膜壓電層;設(shè)置于所述薄膜壓電層第一面的叉指換能器(IDT)金屬結(jié)構(gòu);具有第一面和第二面的支撐晶圓;在所述支撐晶圓第一面形成的聲速層堆疊結(jié)構(gòu),其配置包括:形成于...
          • 提供了一種體聲學(xué)諧振器、包括該體聲學(xué)諧振器的濾波器設(shè)備、以及包括該濾波器設(shè)備的射頻模塊。體聲學(xué)諧振器包括:壓電層;以及在壓電層的表面上方的IDT。IDT包括第一多個(gè)交錯(cuò)指狀物和第二多個(gè)交錯(cuò)指狀物。第二多個(gè)交錯(cuò)指狀物的一對(duì)子部分在IDT的長(zhǎng)度...
          • 本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條以及凹陷,活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端,可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu),通過(guò)改變?cè)撃┒藚^(qū)域的聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)更大的聲速...
          • 本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條以及金屬凸塊,活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端,可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu),通過(guò)改變?cè)撃┒藚^(qū)域的聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)更大的...
          • 本發(fā)明提供了一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、及相關(guān)設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在第一方向上叉指電極與承載基板之間具有的間隔區(qū)域即聲表面波濾波器的空腔區(qū)域;焊盤結(jié)構(gòu)在第一方向上分別與襯底以及承載基板接觸,叉指電極以及焊盤主體結(jié)構(gòu)位于第一...
          • 本發(fā)明涉及體聲波濾波器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種新結(jié)構(gòu)的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器及其制備方法,橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器包括:基片以及依次設(shè)置于基片上的介質(zhì)層、壓電薄膜、電極、調(diào)頻層;橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器還設(shè)置有背腔,背腔穿透基片和部分介質(zhì)層...
          • 本發(fā)明公開了一種帶巴倫反饋的X頻段低相噪低駐波信號(hào)發(fā)生裝置及方法,屬于信息技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明方法采用帶巴倫反饋的放大器,輸出通路從巴倫端口輸出,將功率放大器的前后用巴倫隔開,這樣降低信號(hào)反射對(duì)前級(jí)通路的影響,而且巴倫是一種幾乎沒(méi)有功率損耗的耦...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電量檢測(cè)電路以及電池管理系統(tǒng),模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括調(diào)制器、數(shù)字濾波模塊、信號(hào)檢測(cè)器以及選擇電路;調(diào)制器用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行量化,以輸出量化信號(hào);數(shù)字濾波模塊連接于調(diào)制器,且用于對(duì)量化信號(hào)進(jìn)行濾波;其中數(shù)字濾波模塊包...
          • 本發(fā)明公開了一種MCU芯片的智能復(fù)位電路,涉及復(fù)位技術(shù)領(lǐng)域,包括信號(hào)產(chǎn)生模塊,用于產(chǎn)生偏置電流和電壓檢測(cè);整形處理模塊,用于信號(hào)整形和反相處理;信號(hào)鎖存模塊,用于產(chǎn)生上電復(fù)位信號(hào);手動(dòng)復(fù)位模塊,用于手動(dòng)復(fù)位控制;RC濾波模塊,用于信號(hào)濾波和...
          • 本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于大規(guī)模MIMO獨(dú)立本振配置的本振功分電路,包括參考低頻本振源、多個(gè)鎖相環(huán)模塊、功率分配模塊、多個(gè)IQ混頻器和射頻處理模塊,參考低頻本振源的輸出端輸出多路低頻參考信號(hào),參考低頻本振源的輸出端分別與多個(gè)鎖相環(huán)模塊相連,每個(gè)鎖...
          • 本發(fā)明公開了一種基于NMOS管的高壓電子開關(guān)電路,涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,包括:低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路用于將來(lái)自外部的第一開關(guān)控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二開關(guān)控制信號(hào)和第三開關(guān)控制信號(hào);高壓側(cè)基本驅(qū)動(dòng)電路用于在第二開關(guān)控制信號(hào)的控制下,為低邊電子開關(guān)電路中所有NM...
          • 本實(shí)用新型公開了一種功率放大器開關(guān)及電子設(shè)備,通過(guò)合理的模塊化和復(fù)用策略,能夠有效解決現(xiàn)有功率放大器開關(guān)存在的輸出功率和功率附加效率下降、以及尺寸大和生產(chǎn)成本高的問(wèn)題。該分布式功效開關(guān)中,N個(gè)具有放大功能的晶體管的復(fù)用,使得M個(gè)晶體管不僅用...
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